等离子体电极电光开关驱动电源系统

 介绍了通光口径为300mm×300mm的等离子体电极电光开关驱动电源系统原理。该系统能产生时序上严格关联的两路幅值3kV、脉宽为500ms预电离高压脉冲；两路电压幅值为7kV、电流峰值为2kA的阻尼大电流、低抖动主放电脉冲；一路幅值为12kV、脉宽500ns低抖动矩形高压开关脉冲。这五路高压脉冲通过3根同轴电缆加载到充有惰性气体的纵向普克尔盒两边的阴阳电极上，对激光形成等离子体电极电光开关。     

Columnar growth of crystalline silicon films on aluminium-coated glass by inductively coupled plasma CVD at room temperature

Silicon films were grown on aluminium-coated glass by inductively coupled plasma CVD at room temperature using a mixture of SiH₄ and H₂ as the source gas. The microstructure of the films was evaluated using Raman spectroscopy, scanning electron microscopy and atomic force microscopy. It was found that the films are composed of columnar grains and their surfaces show a random and uniform distribution of silicon nanocones. Such a microstructure is highly advantageous to the application of the films in solar cells and electron emission devices. Field electron emission measurement of the films demonstrated that the threshold field strength is as low as ～9.8V/μm and the electron emission characteristic is reproducible. In addition, a mechanism is suggested for the columnar growth of crystalline silicon films on aluminium-coated glass at room temperature.     

中珠协四届四次常务理事会暨普及珠心算经验交流会在辽宁召开

中国珠算协会四届四次常务理事会暨普及珠心算经验交流会，于3月24日至27日在辽宁省辽阳宾馆召开。这次会议是在辽宁省财政厅、省珠协及辽阳市人民政府、市财政局、市珠协的大力协助下召开的。这次会议的主要内容：总结中珠协1997年工作，安排1998年工作计划，总结交流普及珠心算工作经验。     

全国各地珠算专家学者聚集长春进行算理算法研讨

中国珠算协会算理算法专业委员会98年年会暨理论研讨会，于7月16日至18日在长春市吉林省宾馆召开。来自全国各地的珠算专家学者及领导同志64人出席会议。这次会议．是由中珠协算理算法专业委员会举办的，在吉林省财政厅、省珠协的大力协助下召开的。     

中国珠协珠算史专业委员会出土陶丸鉴定会闭幕

出土陶丸经考古专家、珠算史专家考证。确认为算珠,珠算起源可追溯至西周。 中国珠算协会第四届珠算史专业委员会暨出土陶丸鉴定会,于1996年12月11日至13日在西周陶丸出土发源地,陕西省宝鸡市岐山县闭幕。     

全国第四届珠算比赛在北戴河揭晓

全国第四届珠算技术比赛大会(第二阶段决赛)，于9月11日至13日，在我国海滨旅游盛地——北戴河铁道部干休所举行。这次比赛会是在今年7月21日全国各地第一阶段选拔赛后举行的。参加这次比赛的选手都是经过第一赛程选拔出的，分数线在1600分以上的优秀尖子选手，共16个代表队83名选手。     

RESEARCH ANNOUNCEMENTS Persistent Homoclinic Orbits for a Perturbed Coupled Nonlinear Schroedinger System

We consider the following perturbed coupled nonlinear Schrodinger system (CNLS)     

双复合离散型艾里涡旋加速光的传输特性

利用全息技术,采用二元相位处理后的离散型艾里涡旋相位,制作了一种双复合离散型艾里涡旋加速光.理论模拟和实验探究了该加速光的传输特性,以及线性因子(s)、径向层数(N)和拓扑荷梯度(ΔL)对光场的调控机制.结果表明,双加速光在传输过程中,由于离散和旋转效应,逐渐分离为多个类艾里光;通过调节传输距离及ΔL,可实现二维类艾里光至一维类艾里光之间的演化.此外,N和s可分别调节双加速光的强度分布及其在初始截面(z=0处的x-y平面)中的位置分布;ΔL也可调节分离的类艾里光之间的强度分布.     

In掺杂对水热法合成ZnO晶体形貌的影响

本文采用水热法,在ZnO中添加In2O3为前驱物,3mol/L KOH作矿化剂,温度430℃,填充度35;,反应24h,制备了掺In的ZnO晶体.未掺杂In2O3合成的纯ZnO晶体呈六棱锥状,显露负极面-c{0001}、六棱锥面+p{1011}和-p{1011},一般不显露{0001}面.前驱物中掺杂In2O3所合成的ZnO晶体呈六角片状,直径约为5～20 μm,大面积显露{0001}面,另外还显露正锥面+p{1011}、负锥面-p{1011}和负极面-c{0001}.由此可见In掺杂可以明显的改变晶体的形态,使c轴极性快速生长趋向得到明显改善,有利于降低晶体生长缺陷.当采用ZnO晶片为籽晶时,通过水热反应在晶片上生长了一层掺In的ZnO薄膜,通过Hall参数测量得到晶体膜层的电子迁移率约为22cm2/(V·s),载流子浓度约为2×1020 cm-3,具有良好的导电性,同时也说明In可以微量掺入氧化锌晶体.     

非线性时滞差分方程的全局渐近稳定性

考虑非线性时滞差分方程xn+1-xn+pnxn-k=f(n,xn-l)(*)n=1,2,…其中pn＞0,k,l∈N={0,1,2,…},f(n,x)N×R→R关于x连续,本文获得了上述方程零解全局渐近稳定的充分条件,推广了文[1]的结果.