Si_（1－x）Ge_x／Si脊形波导X型分支器的研制

采用分子束外延方法制作低损耗Ｓｉ１－ｘＧｅ／Ｓｉ异质结脊形光波导,在Ｘ型交叉波导上实现了Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ光分支器的功能．设计中采用了ＳｉＧｅ大截面脊形波导的单模条件和交叉波导传输特性分析的结果．Ｘ型光分支器的实现为进一步研制Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ光开关和光电调制器积累了经验．     

贝纳德对流产生的温差条件

在Boussinesq近似的基础上,忽略贝纳德对流扰动方程二阶和更高阶的扰动,建立速度场和温度场的扰动方程.通过无量纲处理得到控制贝纳德对流的超越方程,利用MATLAB求解超越方程,得到实验室产生贝纳德对流的参数,为贝纳德对流实验提供参考和指导.     

5-芳基-3-二茂铁基二氢吡唑的合成及晶体结构

吡唑环是许多具有生理活性化合物的关键结构,许多吡唑衍生物都显示了较强的生理活性,如镇静止痛、消炎、杀菌、降血糖以及安眠的活性等~([1-3]),特别是芳基吡唑在医药以及农药方面具有重要的应用~([4,5]).     

Ca5(PO4)3Cl中铕和铽间的电子转移

本文通过对铕和铽在Ca₅(PO₄)₃Cl基质中的发光特征的研究，发现铕和铽之间存在着电子转移现象，并对其反应机理进行了探讨。Eu³⁺(4f⁶)和Tb³⁺(4f⁸)通过电子转移使它们达到电子结构稳定的Eu²⁺(4f⁷)和Tb⁴⁺(4f<     

Si1—xGex／Si脊形波导X型分支器的研制

采用分子束外延方法制作低损耗Ｓｉ１－ｘＧｅ／Ｓｉ异质结脊形光波导，在Ｘ型交叉波导上实现了Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ光分支器的功能，设计中采用了ＳｉＧｅ大截面脊形波导的单模条件和交波导传输特性分析的结果。Ｘ型光分支器的实现为进下Ｓｉ１－ｘＧｅｘ／Ｓｉ光开关和光电调制器积累了经验。     

大功率低功耗快速软恢复SiGeC功率开关二极管

为满足电力电子电路对功率开关二极管高频化的发展要求，提出了一种大功率低功耗快速软恢复p⁺(SiGeC)-n^--n⁺异质结二极管.与常规的Si p-i-n二极管相比，在正向电流密度不超过1000 A/cm²情况下，p⁺(SiGeC)-n^--n⁺二极管的正向压降减少了约1/5，有效降低了器件的通态功耗；反向恢复时间缩短了一半多，反向峰值电流降低了约25%，软 关键词： 快速软恢复 大功率低功耗 SiGeC/Si异质结功率二极管     

合成8-氨基-3,6-二氧杂辛酸前体的新方法

合成8-氨基-3;6-二氧杂辛酸前体的新方法;二缩三乙二醇;二缩三乙二醇单对甲苯磺酸酯;邻苯二甲酰亚胺基二氧杂辛醇;氨基二氧杂辛酸;合成     

Experimental study of surface crystallization on integrated circuit chips

A surface crystallization phenomenon on bonding pads and wires of integrated circuit chip is reported in this paper. Through a lot of experiments, an unknown failure effect caused by mixed crystalline matter is revealed, whereas non-plasma fluorine contamination cannot cause the failure of bonding pads. By experiments combined with infrared spectroscopy analysis, the surface crystallization effect is studied. The conclusion of the study can provide the guidance for IC fabrication, modelling and analysis.     

Si_3N_4陶瓷/冷激铸铁的摩擦学性能研究

采用块 -盘摩擦磨损试验机考察了陶瓷与冷激铸铁在干摩擦条件下的摩擦磨损行为 .通过研究发现 ,该摩擦副的摩擦系数随载荷和速度的增大而减小 ,当载荷和速度较大时 ,陶瓷的磨损严重 ,而由于摩擦温度升高引起的冷激铸铁材料的转移也会使陶瓷出现负磨损 .对磨损表面的形貌分析和化学成分测试结果表明粘着磨损和疲劳磨损在磨损过程中占主导地位 .     

Er~(3+)掺杂玻璃腔内增强激光冷却理论分析

近年来,掺Er3+的CdF2-CdCl2-NaF-BaF2-BaCl2-ZnF2玻璃已成为固体材料激光冷却领域中新的研究材料之一.本文利用激光器输出理论和驻波腔内共振增强原理分析了该材料的两种腔内增强激光的冷却,计算结果表明腔增强可获得几十到几百倍的增强因子.此外,比较了内腔和外腔这两种增强方案,研究结果表明,当材料的吸收比较小时,特别是材料长度小于0.3 mm时,采用内腔增强方案,腔内抽运功率高,冷却材料对激光的吸收大.然而当材料的吸收比较大时,特别是材料长度大于3 mm时,外腔增强方案更具优越性.最后,根据Er3+掺杂材料制冷工作波长和功率的要求,指出腔增强实验可通过半导体激光器来实现.