Absolute differential, elastic integrated and moment transfer cross sections for electron--OCS collisions at intermediate and high energies

A complex optical model potential modified by incorporating the concept of bonded atom, which takes into consideration the overlapping effect of electron clouds between atoms in a molecule, is firstly employed to calculate the absolute differential, elastic integrated and moment transfer cross sections for electron scattering by OCS over the incident energy range from 200 to 1000\,eV using the additivity rule model at Hartree--Fock level. The calculated results are compared with those obtained by experiment and other theories wherever available, and good agreement is obtained over a wide energy range. It is shown that the additivity rule model together with the modified potential is completely suitable for calculating the absolute differential, elastic integrated and moment transfer cross sections of electron scattering by molecules such as OCS.     

有机半导体材料聚(3-己基噻吩)及[6,6]-苯基-C60丁酸甲酯在氯苯溶液中粒径研究

以聚(3-己基噻吩)(P3HT)为电子给体,[6,6]-苯基-C60丁酸甲酯(PCBM)为电子受体材料,制备了不同浓度活性层材料(P3HT:PCBM)的聚合物太阳能电池.通过对比电池性能参数,活性层表面形貌,进一步分析了氯苯溶剂中有机半导体材料的分散规律,并讨论了溶液温度和浓度对溶质粒径的影响,以及粒径大小对器件性能的影响.结果表明,溶液中溶质直径在4000 nm左右的粒子占有较大比例,溶液的浓度和温度对溶液中粒子的粒径有明显的影响,浓度较低时,溶质粒径受温度影响较大.相反,温度对高浓度溶液中的溶质粒径的影响作用减小.溶液浓度为12.67 mg/mL时,分散效果最好,具有最优的填充因子,浓度为19.00 mg/mL时,具有最优的短路电流和能量转换效率.     

胆甾液晶掺杂活性层对有机太阳能电池性能的影响

以poly(3-hexylthiophene)(P3HT)为电子给体,indene-C60bisadduct(ICBA)为电子受体,通过掺杂不同浓度胆甾液晶氯化胆甾醇制备了有机体异质结太阳能电池.结果表明,适当浓度掺杂使器件的开路电压提高到了0.78 V,但短路电流密度却有所降低,填充因子几乎不变,能量转换效率提高了10%.利用X射线、光致发光、原子力显微镜及紫外-可见吸收光谱进行表征,发现液晶掺杂对活性层的结晶度、分子内部排列情况、薄膜表面形貌和光吸收特性等都有明显影响.     

Elastic Collisions Between two Ground-State P and D Atoms at Low and Ultralow Temperatures

The PD（X^3∑^-） interaction potential is constructed using the CCSD（T） theory and the basis set, augcc-pV5Z. Using this potential, the spectroscopic parameters are accurately determined. The present Do, De, Re, ωe, ωeχe, αe, and Be are of 3.056 99 eV, 3.161 75 eV, 0.142 39 nm, 1701.558 cm^-1, 23.6583 cm^-1, 0.085 99 cm^-1, and 4.3963 cm^-1, respectively, which almost perfectly conform with the measurements. A total of 26 vibrational states is predicted when J = 0 by solving the radial Sehrodinger equation of nuclear motion. The complete vibrational levels, classical turning points, initial rotation and centrifugal distortion constants when J = 0 are reported for the first time, which favorably agree with the experiments. The total and various partial-wave cross sections are calculated for the elastic impact between two ground-state P and D atoms at 1.0 × 10^-12 - 1.0 × 10^-4 a.u. when they approach each other along the PD（X^3∑^-） potential. No shape resonances exist in the total elastic cross sections, though the peaks can be found for each partial wave until l=6. The shape of the total elastic cross sections is dominated by the s partial wave at very low temperatures. Due to the weakness of the shape resonances of each partial wave, they are all passed into oblivion by the strong total elastic cross sections.     

碱溶液修饰硅纳米线阵列绒面

提出用碱溶液修饰硅纳米线阵列制作太阳能绒面的方法。实验中首先采用金属催化化学腐蚀法在Si(100)基底上制备了定向排列的硅纳米线阵列,然后将纳米线阵列浸入碱溶液中进行修饰,修饰时间分别为10,30,50,60,90s。通过扫描电子显微镜(SEM)对硅纳米线阵列进行形貌分析,采用太阳能测试系统附带的积分球测量纳米线阵列绒面结构的反射光谱。通过测量和分析发现硅纳线阵列在碱溶液中修饰30s时表面分布均匀,在400～1000nm波段的综合反射率低于4%。结果表明碱溶液修饰纳米线阵列的方法能够有效分散束状硅纳米线阵列,明显降低绒面的反射率,并且初步分析了碱溶液修饰硅纳米线阵列的分散机理。     

碱液修饰对硅纳米线阵列电池光谱响应的影响

采用金属催化化学腐蚀法在p型(100)硅基底上制备了硅纳米阵列,然后用碱溶液对纳米线阵列进行修饰。分别研究了碱液修饰对硅纳米线阵列形貌、光电性质的影响。研究表明: 与绒面及纳米线阵列相比,碱修饰30 s硅纳米线阵列的表面分散均匀,反射率降低;光谱响应度显著提高,并且出现最大量子效率对应波长红移现象。最后,详细讨论了碱液修饰硅纳米线阵列电池对光谱响应的影响机制。     

一种计算中、高能电子被分子散射总截面的修正势方法

在考虑分子内成键原子间的电子云重叠效应的基础上，提出了一种能够在中、高能区准确计算“电子-分子”散射总截面的修正势方法.利用可加性规则及Hartree-Fock波函数，使用这一修正过的复光学势，在30—5000eV内对电子被4个等电子(Z=18)分子(HCl，H₂S，PH₃和SiH₄)散射的总截面进行了计算，并将理论计算值与实验结果及其他理论值进行了比较.结果表明，利用这一修正过的复光学势及可加性规则进行计算，所得理论值与实验结果更为接近. 关键词： 电子散射 总截面 可加性规则 束缚原子     

烷基环己苯异硫氰酸液晶材料太赫兹波吸收

基于密度泛函理论,利用Gaussian09程序包,通过Opt+Freq优化结构,以B3LYP/6-311g基组对4-(trans-4-n-alkylcyclohexyl) isothiocyanatobenzenes (CHBT) 16种液晶分子在0.1—5.0 THz波段的吸收进行研究,提出了通过考察分子转动惯量和质量重心偏移对太赫兹吸收的影响方法.计算结果表明,随着分子烷基链上碳原子数目增加,分子的转动惯量和重心的偏移将对太赫兹波的吸收产生影响.在0.1—5.0 THz波段, 3—7个碳原子的分子吸收相对较强.以此为参照,减少和增加烷基链上的碳原子数目都会降低分子对太赫兹波的吸收.在0.3—3.0 THz范围内,将计算结果与10种有实验数据的分子进行了对比.结果发现,低频波段计算结果与实验测量相比存在差异,其中吸收峰位置的差异可能来源于氢键.比较吸收强度的相对大小值,发现实验测量与计算结果较为一致,表明吸收强度来源于偶极子振动、转动吸收,展现了计算模拟的积极意义.研究结果可对相关分子的设计与合成提供有用的建议.     

50—5000 eV电子被C4H8O,C5H10O2, C6H5CH3和C4H8O2散射的总截面

使用电子被C, H和O原子散射总截面的实验数据, 利用修正后的可加性规则计算了能量为50—5000eV的电子被4个复杂大分子C₄H₈O, C₅H₁₀O₂, C₆H₅CH₃和C₄H₈O₂散射的总截面, 并将计算结果与实验结果及其他理论计算结果进行了比较. 结果表明, 即 关键词： 电子散射 可加性规则 总截面 几何屏蔽效应     

7Li2(X1Σ+g)分子的振动能级、转动惯量及离心畸变常数

使用密度泛函理论B3LYP和B3P86，以及组态相互作用方法CCSD(T)和QCISD, 利用多个基组对⁷Li₂(X¹Σ⁺_g)分子的平衡核间距(R_e)、谐振频率(ω_e)和离解能(D_e)进行了计算, 发现在CCSD(T)/cc-PVQZ理论水平下得到的结果(R_{e相似文献}