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111.
112.
拉曼光谱法快速检测掺入梨汁的浓缩苹果汁 总被引:4,自引:0,他引:4
应用便携式拉曼光谱仪结合化学计量学技术建立了浓缩苹果汁掺入梨汁的快速检测方法.实验表明,苹果汁和梨汁的拉曼特征频率相同,给出了特征频率及其对应的分子振动模式.发现苹果汁和梨汁在866 cm-1和1 126 cm-1处的拉曼光谱有微小差别,这可能由于苹果汁和梨汁中果糖异构体含量不同所致.用支持向量分类机(SVC)中的4个核函数对19个苹果汁、梨汁样本进行有效鉴别,准确率达100%,并使用支持向量回归机(SVR)对掺入不同含量梨汁的苹果汁样本进行建模预测,大部分样品相对误差在10%以内. 相似文献
113.
114.
脉冲直流等离子体增强化学气相沉积Ti—Si—N纳米薄膜的摩擦磨损特性 总被引:3,自引:1,他引:3
采用工业型脉冲等离子体增强化学气相沉积设备,通过调节氯化物混合比例控制薄膜成分,在高速钢基材表面于550℃下沉积由纳米晶TiN和纳米非晶Si3N4组成的Ti—Si—N复合薄膜;采用扫描电子显微镜、透射电子显微镜、X射线衍射仪及X射线光电子能谱仪分析了薄膜的结构、组成和化学状态;采用球-盘高温摩擦磨损试验机考察了薄膜同GCrl5钢对摩时的摩擦磨损性能.结果表明:薄膜的Si含量在0%~35%范围内变化,随着Si含量增大,薄膜沉积速率增大,但薄膜由致密形态向大颗粒疏松态过渡;薄膜的晶粒尺寸为7~50nm;Ti—Si—N薄膜的显微硬度高于TiN的硬度,最高可达60GPa;引入少量Si可以显著改善TiN薄膜的抗磨性能,但薄膜的摩擦系数较高(室温下约0.8、400℃下约0.7);随着Si含量的增加,Ti—Si—N薄膜的耐磨性能有所降低,其原因在于引入导电性较差的Si元素使得薄膜的组织变得疏松. 相似文献
115.
High-quality p-type boron-doped IIb diamond large single crystals are successfully synthesized by the temperature gradient method in a china-type cubic anvil high-pressure apparatus at about 5.5 GPa and 1600 K.The morphologies and surface textures of the synthetic diamond crystals with different boron additive quantities are characterized by using an optical microscope and a scanning electron microscope respectively.The impurities of nitrogen and boron in diamonds are detected by micro Fourier transform infrared technique.The electrical properties including resistivities,Hall coefficients,Hall mobilities and carrier densities of the synthesized samples are measured by a four-point probe and the Hall effect method.The results show that large p-type boron-doped diamond single crystals with few nitrogen impurities have been synthesized.With the increase of quantity of additive boron,some high-index crystal faces such as {113} gradually disappear,and some stripes and triangle pits occur on the crystal surface.This work is helpful for the further research and application of boron-doped semiconductor diamond. 相似文献
116.
117.
Effects of a carbon convection field on large diamond growth under high-pressure high-temperature conditions 下载免费PDF全文
Large diamond crystals were successfully synthesized by a FeNi-C system using the temperature gradient method under high-pressure high-temperature conditions. The assembly of the growth cell was improved and the growth process of diamond was investigated. Effects of the symmetry of the carbon convection field around the growing diamond crystal were investigated systematically by adjusting the position of the seed crystal in the melted catalyst/solvent. The results indicate that the morphologies and metal inclusion distributions of the synthetic diamond crystals vary obviously in both symmetric and non-symmetric carbon convection fields with temperature. Moreover, the finite element method was applied to analyze the carbon convection mode of the melted catalyst/solvent around the diamond crystal. This work is helpful for understanding the growth mechanism of diamond. 相似文献
118.
提出三种风轮结构动力学性能改进方法,在风轮实际挂机安装条件下进行模态测试。研究发现:翼型加厚可有效提升风轮前三阶固有频率15%以上,但却会使风轮共振带拓宽;双夹板式叶片连接方式可使风轮1阶固有频率明显下降,但却使风轮2、3阶固有频率显著升高,且亦会使风轮共振带拓宽;沿叶展方向开槽和加肋提升风轮前三阶固有频率的程度相对较小,其对各阶反对称振动频率的提升效果较同阶对称振动频率提升效果显著,且不会造成风轮共振带的拓宽;翼型加厚和双夹板式叶片连接方式可实现风轮前三阶振动阻尼比呈较均匀稳定的下降;沿叶展方向开槽和加肋虽使风轮1阶反对称振动阻尼比增大,但随振动阶数升高,可使阻尼比一直保持稳定的下降趋势。 相似文献
119.
尾迹与势流的相互作用对压气机叶片表面的压力波动强度和出口的轴向速度分布及波动会产生很大影响。针对两级跨声速轴流压气机,采用数值方法研究两排转子叶片周向相对位置不同情况下,叶片表面压力波动抵消区域位置发生的变化。研究结果表明:转子叶片周向位置的变化会对静子叶片尾迹形态产生影响,会导致叶片表面压力波动抵消区域发生变化。伴随转子叶片周向相对位置的变化,存在上游转子叶片尾迹减缓下游静子叶片尾迹衰减的现象,从而改变了叶片排之间的相互干涉强度,并使叶片表面压力波动强度发生变化。 相似文献
120.
The ionization spectrum of sulfur dioxide has been successfully studied by using the symmetry-adapted-cluster configuration-interaction (SAC-CI) general-R and SD-R methods and the basis set correlation-consistent polarized valence triple-zeta (cc-pVTZ). The SAC-CI general-R method reproduces the experimental spectrum well for both the main peaks and the satellite peaks of ionization spectrum of SO2. The sequence of ionic states corresponding to main peaks of SO2 has been re-determined according to the SAC-CI conclusions and it is reordered as X^2A1, A^2B2, B2A2, C^2B1,D^2A1, E^2B2 and F^2A1. Besides, the equilibrium structures and adiabatic ionization potentials (AIPs) of ionic states of main peaks of SO2 are calculated by using the SAC-CI SD-R method. 相似文献