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71.
假定强子-核作用中的产生粒子相对于反应体质心系各向同性衰变,给出了强子-核作用中横能快度分布,计算结果能够解释最新的HELIOS合作组的实验结果. 相似文献
72.
73.
利用神光Ⅱ上激光与等离子体相互作用得到的软X光,建立了基于多层镜的四通道软X光单色器系统。研究了光源的性能,测量了光源强度、单色器系统稳定性、相应通道的一致性。研究表明,采用多层镜作为脉冲光源的分光元件,可以得到具有较好单色性的强脉冲软X 光标定源。光源的光子能量为253 eV和820 eV,两能道的光源强度分别为1.8×1019 photon/(s·cm2)和3.2×1019 photon/(s·cm2)。在该标定源上可以实现XRD、平面镜、多层镜、透射光栅和滤片的标定。 相似文献
74.
The rapidity densities at mid-rapidity and the transverse momentum distributions for strange hadrons produced in pp collisions are analyzed using the modi ed PACIAE model by considering the effect of inelastic (re)scattering processes ss→gg and gg→ss in parton (re)scattering. The calculated results of the transverse momentum spectra of the strangeness fitting with data measured by STAR and ALICE Collabora- tions can be improved, especially at large transverse momentum levels. This demonstrates that the effect of inelastic (re)scattering processes of ss→gg and gg→ss is not negligible at RHIC and LHC energy levels. 相似文献
75.
将并行时域有限差分方法用于分布式负载平行板有界波电磁脉冲模拟器模拟,并给出模拟器的尺寸参数对工作空间半高处几个测试点场的影响。研究结果表明:与源在x轴向距离上越靠近的点,其电场的上升沿越小;模拟器传输线最大宽度和最大高度之比为2,且下金属板宽度与传输线最大宽度相同时,测试点场的上升沿较小,半高宽较大;随着传输线在x方向投影长度的增加,与源位置x轴向等距离的测试点场的峰值增大,场的上升沿减小,但减小的量趋于平缓。且同轴线馈电时得到的各测试点场脉冲的上升沿要比直接加平面电场源的方式更大一点,半高宽则要小一点,但两者波形相似。 相似文献
76.
在反应体质心系中,依据热化模型并考虑碰撞参量的涨落及核阻止性,对工作在BNL/AGS上E-802合作组给出的中心和周边Si与Au、Cu和Al相互作用的强子快度分布进行了分析和讨论. 相似文献
77.
BSO(硅酸铋)晶体除了具有热自聚焦效应外1,还具有电控自聚焦效应2,基于电控自聚焦效应,又进一步对高斯光束经BSO晶体自聚焦后的远场光斑中心处的光强与加在晶体通光方向上的电压和入射光功率的关系进行了理论和实验研究,提出一种新的电光调制方法。理论与实验相符,进一步验证了文献1、2的结论. 相似文献
78.
利用时域奇异值分解(SVD)技术对并行时域有限差分(FDTD)方法计算得到的分布式负载平行板有界波电磁脉冲(EMP)模拟器内的场进行模式分析,给出有、无效应物时模拟器内场的3个主要模式(即TEM,TM1和TM2模)奇异值的变化及该奇异值随效应物的位置及高度的变化规律。研究结果表明:电磁波在模拟器中传播时,其主模TEM模的高频分量在衰减;效应物越靠近源时测试点场的3个主要模式所对应的奇异值变化越大;且当效应物的高度与所在位置处两极板距离之比小于等于60%时,效应物附近位置处场的TEM模对应的奇异值会出现两个极大值点,两点的水平间距与效应物的水平尺寸相当。 相似文献
79.
80.
苯乙烯和喹啉是有机荧光材料的常用官能基团,已经在有机发光二极管(OLED)中得到了应用.本文用一种苯乙烯基喹啉衍生物2,2’-(2,5-二甲氧基-1,4-苯二乙烯基)双-8-乙酰氧基喹啉(MPV-AQ)同时作为发光材料和电子传输材料,研究了它在OLED器件中的稳态和瞬态光电性质.研究发现,在基于N,N’-二(萘-1-基)-N,N’-二苯基-联苯胺(NPB)/MPV-AQ的双层OLED中,电子以Fowler-Nordheim(FN)隧穿的方式从阴极注入到MPV-AQ层,这与MPV-AQ单电子器件中电子以Richardson-Schottky(RS)热电子发射的注入方式完全不同.这种电子注入方式的差别,主要是由于MPV-AQ的电子迁移率较低,大量空穴在NPB/MPV-AQ界面处形成电荷积累,使得MPV-AQ层的能带发生了弯曲,造成阴极一侧的电子隧穿距离减小,从而导致了FN隧穿的发生.通过拟合稳态电流-电压特性得到了电子注入势垒为0.23 e V,通过瞬态电致发光的延迟时间计算得到MPV-AQ的电子迁移率在10-6 cm~2/(V·s)数量级,通过瞬态电致发光的衰减获得... 相似文献