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21.
Large-area monolayer graphene samples grown on polycrystalline copper foil by thermal chemical vapor deposition with differing CH4 flux and growth time are investigated by Raman spectra, scanning electron microscopy, atomic force microscopy, and scanning tunneling microscopy. The defects, number of layers, and quality of graphene are shown to be controllable through tuning the reaction conditions: ideally to 2–3 sccm CH4 for 30 minutes.  相似文献   
22.
电子增强化学气相沉积法制备金刚石膜   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
 采用EACVD方法在Si衬底上制备出生长速率高的优质金刚石膜,其生长速率最大可达7 μm/h,成膜范围Φ40 mm,并对优质金刚石膜的生长特性进行了研究。  相似文献   
23.
The preparation and electrical properties of diamond nanocones are reviewed, including a maskless etching pro- cess and mechanism of large-area diamond conical nanostructure arrays using a hot filament chemical vapor deposition (HFCVD) system with negatively biased substrates, and the field electron emission, gas sensing, and quantum transport properties of a diamond nanocone array or an individual diamond nanocone. Optimal cone aspect ratio and array density are investigated, along with the relationships between the cone morphologies and experimental parameters, such as the CH4/H2 ratio of the etching gas, the bias current, and the gas pressure. The reviewed experiments demonstrate the possi- bility of using nanostructured diamond cones as a display device element, a point electron emission source, a gas sensor or a quantum device.  相似文献   
24.
磁性金属纳米结构的畴壁特性与磁逻辑电路构筑   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
自旋电子学由于其丰富的物理内涵和广泛的应用前景受到学术界和工业界的高度重视,成为近年来凝聚态物理和信息技术领域关注的焦点。本文介绍了利用磁性金属纳米结构实现作为自旋电子器件基础的自旋注入的方法,特别涉及利用铁磁金属纳米点接触结构钉扎磁畴的特点,研究自旋极化电流与磁畴壁的相互作用规律, 理解纳米结构中畴壁的动力学行为,并以此为基础构筑结构简单、性能优异的全金属磁逻辑电路,从而实现了由电信号驱动,通过电信号检测,并与CMOS技术兼容的目的。  相似文献   
25.
Carbon nanotubes (CNTs) are electrochemically treated in a lithium chloride solution at a concentration 0. 1 mol/L The field emission properties of the CNTs are investigated at different temperatures before and after the electrochemical treatment. After treatment, the turn-on voltage to produce field emission current of 10μA decreases from 4.2kV to 2. 7kV and the field emission current increases distinctly, but the stability falls off. Based on the Fowler-Nordheim plot, the values of the work function for the CNTs are calculated, which reveals that work function decreases after the electrochemical treatment. These results are attributed to the decrease of the work function of the carbon nanotubes.  相似文献   
26.
石墨烯在未来微电子学领域有极大的应用前景,但是其零带隙的特点阻碍了石墨烯在半导体领域的应用.研究发现,打开室温下可用的石墨烯带隙所需要的石墨烯纳米结构尺度在10 nm以下,这一尺度的纳米结构一方面制备比较困难,另一方面器件可承载的驱动电流较小.因此,如何实现亚10 nm石墨烯纳米结构的有效加工以及如何在有效调控带隙的基础上增大石墨烯器件可承载的驱动电流,还需要进一步的研究.本文首先研究了利用聚甲基丙烯酸甲酯/铬(PMMA/Cr)双层结构工艺,通过刻蚀时间的控制,利用电子束曝光及刻蚀工艺实现了亚10 nm石墨烯纳米结构的可控制备.同时设计并制备了单排孔石墨烯条带结构,该结构打开的带隙远大于相同特征宽度石墨烯纳米带所能打开带隙的大小.该结构在有效打开石墨烯带隙的同时,增加了石墨烯纳米结构可以承载的驱动电流,有利于石墨烯在未来微电子领域的应用.  相似文献   
27.
电流在铁磁金属中可以用来驱动磁畴壁,从而可以进行信息的读写。然而,具体如何在器件中实现并不清楚。文章作者利用纳米加工技术制作出铁磁金属纳米点接触结构和逻辑电路,并对纳米结构中畴壁的输运性质和逻辑电路特性进行了研究。发现了铁磁纳米点接触结构在电流驱动下存在的高阻态及低阻态,通过设计不同形状的点接触结构,用电学测量方法验证了畴壁在自旋极化电流作用下的移动方向与电流方向的关系。并基于电流控制点接触电阻变化的结果,制作出能够实现逻辑"非"功能的全金属逻辑电路,实现了电路的电信号驱动和利用电信号的检测功能。  相似文献   
28.
High density boron carbide nanowires are grown by an improved carbon thermal reduction technique. Transmission electron microscopy and electron energy lose spectroscopy of the sample show that the synthesized nanowires are B4 C with good crystallization. The field emission measurement for an individual boron nanowire is performed by using a Pt tip installed in the focused ion beam system. A field emission current with enhancement factor of 10^6 is observed and the evolution process during emission is also carefully studied. Furthermore, a two-step field emission with stable emission current density is found from the high-density nanowire film. Our results together suggest that boron carbide nanowires are promising candidates for electron emission nanodevices.  相似文献   
29.
长碳链季铵类卟啉钴配合物的合成及其LB膜和气敏性质   总被引:4,自引:0,他引:4  
四-(4-N,N,N-二甲基)卟啉(TDMAPP)与溴代正十六烷反应得到溴化四-(4-N,N,N-二甲基,十六烷基氨基苯)卟啉(TDMHAPPBr)并制得其钴的配合物,两者均具有良好的成膜性。电子吸收光谱表明LB膜与成膜前固体物分子排列规整性不同,钴配合物对敢有较好的敏感性和良好的选择性,其响应和恢复时间都较短。  相似文献   
30.
本文中,我们介绍一个中心频率大约为2.015GHz,相对带宽小于0.35%,通带内回波损耗大于20dB,带外零点高度大约为-45dB,通带内插损小于0.2dB的窄带四阶双模片型高温超导滤波器.我们对该滤波器在不同输入功率下的传输特性曲线进行了测试,测试结果表明,在输入微波信号功率值为11.7W的情况下,该器件的传输特性曲线没有发生显著退化.  相似文献   
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