三新戊氧基溴硼亚酞菁薄膜材料的三阶非线性光学特性

通过单光束Z扫描技术 ,在波长为 1.0 6 4μm和 5 32nm、脉宽为 38ps条件下研究了一种新的酞菁相关化合物三新戊氧基溴硼亚酞菁薄膜材料的三阶非线性光学特性。观察到在 1.0 6 4μm(离强吸收带很远 )下的双光子吸收和在 5 32nm下的反饱和吸收现象 ,并计算出了相应的非线性吸收系数。在 1.0 6 4μm下的非共振三阶非线性极化率和在 5 32nm下的共振三阶非线性极化率 χ(3 ) 分别为 6 .1× 10 - 1 2 esu和 6 .7× 10 - 1 0 esu ,显著大于相关酞菁的值。这些结果表明三新戊氧基溴硼亚酞菁薄膜材料在非线性光学方面具有潜在的应用前景。     

具有表面修饰的SnO2纳米微晶的光学性质研究

给出了裸的及包裹ＳｎＯ２纳米微晶的吸收、荧光和激发谱的实验结果。发现随着粒子尺寸的减小,包覆一层有机分子的ＳｎＯ２纳米微晶的吸收谱带边向长波方向发生位移,这与裸ＳｎＯ２纳米微晶的结果是不一致。表明纳米晶体的尺寸及其表面状态对它们的光谱性质有很大影响。从量子限域效应和介电限域效应两个方面对实验结果进行了讨论。     

p-HPcCo和p-HPcZn的非线性光学性质研究

采用皮秒Z-扫描技术研究了两种不同中心金属取代的酞菁配合物2,9,16,23-四-(对羧基苯氧基)酞菁钴(p-HPcCo)和2,9,16,23-四-(对羧基苯氧基)酞菁锌(p-HPcZn)的非线性光学性质,并从离域电子共轭结构理论和共振、非共振增强理论进行了分析.结果表明:吸电子能力强的金属离子Zn2+ 取代的p-HPcZn的吸收带相对于Co2+ 取代的p-HPcCo略有红移|两种样品均具有正的三阶非线性极化率,共振增强使得p-HPcZn和p-HPcCo的三阶非线性极化率在532 nm条件下比1 064 nm条件下增强了近两个量级,中心金属离子强的吸电子能力使得p-HPcZn的三阶非线性极化率大于p-HPcCo,并在532 nm激发时,χ(3) 具有最大值1.76×10-10 esu.     

聚乙烯咔唑超分子膜／p－Si体系的表面光电压谱研究

利用ＬＢ技术，以二十碳酸作辅助成膜材料，在疏水处理的Ｐ－Ｓｉ上分别制备了２、４、６、１０和２０层聚乙烯咔唑（ＰＶＫ）超分子膜。对这种体系的表面光电压谱（ＳＰＳ）研究结果表明，表面光电压随ＰＶＫ膜层数的增加而增强，在紫外区增强较为明显。随着膜层数的增加，表面光电压有趋于饱和的趋势。膜对基底的敏化主要是由于ＰＶＫ的光导电性引起的。     

Yb~(3 )离子掺杂浓度对Yb∶YAG晶体发光及荧光寿命的影响

研究了不同掺杂浓度Yb∶YAG晶体的发光特性和荧光寿命·Yb3 在YAG晶体中的掺杂浓度分别为5at%、10at%、20at%、30at%·Yb3 离子掺杂浓度越高,Yb∶YAG晶体的吸收系数越大·采用940nm波长的LD泵浦源和TRIAX550荧光谱仪,对这一系列掺有不同浓度Yb3 的Yb∶YAG晶体进行了荧光光谱的测定.结果表明:在1030nm主发光波段的荧光强度以10at%Yb∶YAG的为最强·同时发现它在450nm~680nm波段有明显的可见发光,其强度随Yb3 掺杂浓度的增加而迅速地增强·Yb∶YAG晶体的荧光寿命存在浓度猝灭现象,对猝灭机制进行了分析研究,指出浓度猝灭的主要原因是合作发光和痕量稀土离子的上转换发光·     

取代基对卟啉类化合物三阶非线性光学特性的影响

主要采用吸收光谱、荧光光谱和皮秒Z-扫描等实验方法研究了三种不同取代基的卟啉化合物5,10,15,20-四对羟基苯基卟啉[T(4-HP)P]、5,10,15,20-四对酯基苯基卟啉[T(4-EP)P]和5,10,15,20-四对溴苯基卟啉[T(4-BrP)P]的光学及非线性光学性质,并从离域电子共轭结构理论和共振、非共振增强理论进行了分析。结果表明,强给电子基团取代的T(4-HP)P的吸收和荧光发射带比弱给电子基团取代的T(4-EP)P及吸电子基团取代的T(4-BrP)P有明显红移;三种样品均具有正的三阶非线性极化率χ(3),强的给电子能力和共振增强使得T(4-HP)P的三阶极化率比T(4-BrP)P增强了近两个量级,并在532 nm光激发时,χ(3)具有最大值6.81×10-10esu。     

碳化气体引入温度对3C-SiC薄膜生长的影响

通过低压化学气相沉积方法,在Si(100)衬底上生长了高度择优取向的3C-SiC(100)薄膜.SiC(200)峰的摇摆曲线表明SiC薄膜的结晶质量随着丙烷气体引入温度(Tgi)的升高而增加.选区电子衍射像表明高Tgi下生长的薄膜比低Tgi下生长的薄膜具有更好的取向.典型的SiC薄膜高分辨像中观察到了孪晶和层错.表面场发射扫描电镜像表明随着Tgi的升高,SiC薄膜的表明形貌发生了改变.     

聚乙烯咔唑超分子膜／p—Si体系的表面光电压谱研究

利用ＬＢ技术，以二十碳酸作辅助成膜材料，在疏水处理的ｐ－Ｓｉ上分别制备了２，４，６，１０和２０层聚乙烯咔唑超分子膜。对这种体系的表面光电压谱研究结果表明，表面光电压随ＰＶＫ膜层数的增加而增强，在紫外区增强较为明显。随着膜层数的增加，表面光电压有趋于饱和的趋势。膜对基底的敏化主要是由于ＰＶＫ的光导电性引起的。     

酞菁掺杂有机改性溶胶凝胶材料的自衍射及限幅特性

实验测得八异戊氧基钯酞菁掺杂有机改性溶胶－凝胶固体材料在Ar^ 激光作用下形成的大的与光强相关的多环衍射图案。研究了不同波长下的光学限幅特性,由于其大的光学限幅效应及其固体的可加工性,这种材料在制备光学限幅器件方面具有潜在的应用前景。     

表面光电压谱及其检测技术实验

利用锁相放大器、单色仪、Xe灯光源等搭建了表面光电压谱检测仪.基于表面光电压谱技术的原理,并借助场诱导表面光电压谱测定了半导体材料的光伏响应、导电类型、能带隙和表面电荷分布.