Theoretical studies on the structures and isomerization of the LiSiF_3 system

Various possible isomers of LiSiF_3 system and isomerization between them have been studied at G2(MP2) level using ab initio calculations. The relative energies of four minimum points on the potential energy surface are -128.6, -194.3, -12.7 and -122.8 kJ/mol (taking the sum of the energies of LiF and SiF_2 as zero) . The structural energy of the four-membered ring that contains three F-Si-F-Li four-membered rings with C_(3v) symmetry is the lowest. The highest potential barrier for the isomerization of the remaining three-or four-membered structure is 12.5 kJ/mol.     

[Mn2(TNR)2(CHZ)2(H2O)4]·2H2O的合成和晶体结构

将ＭｎＣＯ３与２,４,６－三硝基间苯二酚（斯蒂芬酸、ＴＮＲ）分散于蒸馏水中,加热搅拌制备出斯蒂酚酸锰溶液,再与碳酰肼（ＣＨＺ）水溶液反应制备〖Ｍｎ２（ＴＮＲ）２（ＣＨＺ）２（Ｈ２Ｏ）４〗·２Ｈ２Ｏ（Ｃ１４Ｈ２６Ｍｎ２Ｎ１４Ｏ２４,Ｍｒ＝８８４．３６）,并对其进行了元素分析和红外表征,利用单晶分析测定了晶体结构。该化合物为双核配合物,属三斜晶系,空间群为＾－Ｐ１,晶体学数据如下：ａ＝７．２８０（１）     

直流等离子体法中脱膜开裂的金刚石膜组织结构分析

为了解决用直流等离子体喷射法制备金刚石膜在脱膜过程中膜体开裂的问题,本文对3组脱膜开裂的金刚石膜组织结构进行了分析,发现由热应力作用产生的裂纹形貌随沉积温度的不同而呈现网状、河流状和环状,裂纹尖端的膜体具有最小的Raman 谱峰半高宽值.在所研究的温度范围内,膜体断口都是穿晶断裂和沿晶断裂的混合断口,而且断口面中的占优晶面都是{111}晶面.X射线和Raman谱结果还表明沉积温度愈高,膜体中的残余应力愈大.     

层状二氧化锰的离子注入改性及其电化学性能的研究

应用高温热解法合成层状二氧化锰(δ-MnO2),借助离子注入技术在其表层注入钛离子,形成复合材料(δ-MnO2-Ti).材料结构及形貌由XRD、SEM及XPS表征,用恒电流充电仪测定其电化学性能.结果表明:注入钛离子后形成新的复合材料,其MnO2的层状结构没有被破坏,钛离子主要以Ti(Ⅳ)态嵌入MnO2结构.与δ-MnO2相比,改性后的δ-MnO2-Ti首次放电比容量和最大放电比容量均有明显提升.     

PrGa1-xMgxO3作为燃料电池固体电解质的研究

用固相反应法合成了具有正交钙钛矿结构的PrGa1-xMgxO3（x=0,0.05,0.10,0.15,0.20,0.25)通过掺杂,样品的电导率显著提高,活化能降低,所有样品均以离子导电为主,其中PrGa0.9Mg0.1O3的氧离子电导率最高,在800℃达到0．05S／cm,PrGa0.8Mg0.2O3的导电活化能量低,为24．19kJ/mol。随着温度的升高,样品的离子迁移数增加,PrGa0.9Mg0.1O3作为电解质的燃料电池在940℃短路电流密度为0．45A／cm^2,最大功率密度达0131W／cm^2,镁掺杂的PrGaO3是一种性能优良的固体电解质。     

铕-对氨基苯甲酸-邻菲咯啉配合物[Eu(p-ABA)_3Phen·H_2O](C_2H_5OH)的晶体结构

［Ｅｕ（ｐＡＢＡ）３Ｐｈｅｎ·Ｈ２Ｏ］（Ｃ２Ｈ５ＯＨ）（ｐＡＢＡ＝对氨基苯甲酸根，Ｐｈｅｎ＝邻菲咯啉）配合物晶体属三斜晶系，Ｐ１空间群，ａ＝１２２６８（３）ｎｍ，ｂ＝１４００５（３）ｎｍ，ｃ＝１０４４０（３）ｎｍ；α＝１０２６９（２）°，β＝１０８９３（２）°，γ＝９２８５（２）°；Ｚ＝２，Ｔ＝２７３Ｋ。最终的Ｒ因子为００３９。配合物中心Ｅｕ３＋离子与周围ｐＡＢＡ的６个氧原子和Ｐｈｅｎ的一对氮原子以及一个水分子的氧原子配位，配位多面体属畸变的单帽四方反棱柱体，水分子的氧原子占据帽位。     

某些滥用药物分析的进展

本文以滥用药物吗啡和可卡因的分析检测为例，对当前毒品分析的几种主要应用技术进行简要介绍。这些方法包括物理化学方法和免疫化学方法，侧重阐述滥用药物免疫分析法，强调了免疫分析技术在毒品分析中的特殊优越性。指出发展免疫分析化学研究是加强我国毒品检测能力的一条有效途径。     

L-丙氨酰-L-谷氨酰胺的合成反应研究

以L-乳酸乙酯和L-谷氨酰胺为原料,通过L-乳酸乙酯氯化、水解、酰化得到D-2-氯-丙酰基氯,再将D-2-氯-丙酰基氯与4-谷氨酰胺缩合后氨解,得到目标化合物,总收率43%,纯度(HPLC)大于98%。缩合反应的溶剂甲苯不需要脱水处理。重点讨论了中间体D-2-氯-丙酸的合成。     

富勒烯C60硫桥键联四硫富瓦烯衍生物的理论研究

利用半经验AM1法研究了富勒烯C₆₀硫桥键联四硫富瓦烯衍生物和富勒烯C₆₀键联四硫富瓦烯衍生物的几何构型,电子结构.计算结果显示,富勒烯C₆₀硫桥键联四硫富瓦烯衍生物的四硫富瓦烯(TTF)平面与C₆₀发生作用,使其弯曲的程度比富勒烯C₆₀键联四硫富瓦烯衍生物的大,从而形成一种独特的四硫富瓦烯(TTF)平面半包裹C₆₀的空间构型的D-A体系.这很可能是由于C-S单键的灵活性造成的.而且它们的HOMO轨道主要分布在四硫富瓦烯(TTF)部分,而LUMO轨道则主要分布在C₆₀上.预测了富勒烯C₆₀硫桥键联四硫富瓦烯衍生物很有可能在激发态下产生更长寿命的电荷分离态.     

磁性石墨烯修饰辛基酚印迹传感器制备及应用研究

以辛基酚(4-OP)为模板分子,多巴胺为功能单体,采用电聚合技术在磁性石墨烯修饰碳电极表面制备对辛基酚具有高选择性与灵敏性的印迹电化学传感器。采用循环伏安法(CV)和差分脉冲伏安法(DPV)对此印迹传感器的电化学性能进行详细表征;采用扫描电子显微技术对修饰电极的形貌进行表征。结果表明,此印迹电化学传感器对辛基酚具有良好的特异识别性能。采用 DPV 法考察了孵化时间和洗脱溶剂对印迹传感器性能影响,结果表明,最佳孵化时间为14 min。此印迹电化学传感器的响应电流(△IR )与辛基酚在5.0×10-6~5.0×10-9 mol/ L 范围内浓度的负对数(-lgC)呈良好的线性关系,线性方程为△IR ( mA)=-0.25lgC(mol/ L)+2.35,检出限为3.64×10-10 mol/ L (S/ N=3)。此印迹电化学传感器对辛基酚具有良好的选择性和灵敏性,成功用于实际水样中辛基酚的检测,回收率为96.0%~104.0%。