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991.
Designs of p-doped in quantum well (QW) barriers and specific number of vertically stacked QWs areproposed to improve the optical performance of GaN-based dual-wavelength light-emitting diodes (LEDs).Emission spectra, carrier concentration, electron current density, and internal quantum efficiency (IQE)are studied numerically. Simulation results show that the efficiency droop and the spectrum intensityat the large current injection are improved markedly by using the proposed design. Compared with the conventional LEDs, the uniform spectrum intensity of dual-wavelength luminescence is realized when aspecific number of vertically stacked QWs is adopted. Suppression of electron leakage current and the promotion of hole injection efficiency could be one of the main reasons for these improvements. 相似文献
992.
993.
在理想条件下,为了研究等离子体参数、填充率、入射角度和介质层相对介电常数对一维三元磁化等离子体光子晶体的禁带特性的影响,用由传输矩阵法计算得到的TE波任意角度入射时的左旋极化波(LCP)和右旋极化波(RCP)的透射系数来研究其禁带特性。结果表明,仅增加等离子体碰撞频率不能实现禁带宽度的拓展,改变等离子体频率、填充率和介质层的相对介电常数能实现对禁带宽度和数目的调谐。改变等离子体回旋频率能实现对右旋极化波的禁带的调谐,但对左旋极化波的禁带几乎无影响。入射角度的增大使得禁带低频区域带宽变大,而高频区域带宽则是将先减小再增大。 相似文献
994.
利用光刺激放电方法研究了线性低密度聚乙烯(LLDPE)中的陷阱能级分布,分别介绍了连续扫描与分段扫描这两种扫描方式并对它们进行了对比.指出在通常使用的连续扫描过程中,光刺激脱阱的不彻底给实验数据带来了一定的误差,着重讲述了分段扫描的理论基础以及实验过程.实验结果表明:单一波长辐照下的光刺激衰减电流的对数与时间成线性关系,它和分段扫描方法中的理论分析完全符合,同时也验证了在本实验中忽略载流子的重俘获过程是合理的;LLDPE中的俘获电荷位于4.14—6.22eV的陷阱能带内,但它们主要集中在陷阱能级为4.78 相似文献
995.
用脉冲激光沉积方法(PLD)在铝酸镧衬底上制备了c取向的高氧空位含量的锶钴氧薄膜.X射线衍射分析表明薄膜单一取向且没有明显杂相.原位的高气压反射式高能电子衍射仪(RHEED)监测显示,薄膜为层状生长.通过对薄膜磁化强度随温度、磁场及时间的变化曲线进行测量,发现零场冷曲线上可能存在两个特征温度:Tf和Ta.Tf为对应玻璃态的冻结温度而Ta对应少量的不缺
关键词:
自旋玻璃
超交换相互作用
双交换相互作用
脉冲激光沉积 相似文献
996.
利用百分位阈值方法定义极端事件,从极端事件再现时间的角度,研究了极端事件发生时间间隔的长程相关性.发现若原时间序列具有长程相关性,则它的极端事件再现时间序列也具有长程相关性,计算表明两者的标度指数α相当接近,这一特性与随机产生的再现时间序列有着本质的差别,再现时间序列的长程相关性是由原序列的长程相关性决定的.具有长程相关性的时间序列再现时间的概率分布明显不同于随机序列,其小值再现时间的概率较大,反映出极端事件的群发现象.本文根据这一特征定义了再现时间的群发性指数,发现时间序列的长程相关性是导 相似文献
997.
在Si(111)衬底上利用MOCVD方法生长了具有不同Al组分p-AlGaN电子阻挡层的绿光InGaN/GaN LED结构,并对其光电性能进行了研究.结果表明,不同Al组分样品的量子效率随电流密度的变化规律呈现多样性.在很低电流密度范围,LED量子效率随Al组分升高而下降;在较高电流密度范围,LED量子效率随Al组分升高而升高,即此时缓解了量子效率随电流密度增大而衰退的速率(即droop效应);但随着电流密度的进一步升高,反而加快了量子效率衰退的速率.这些现象解释为不同Al组分的p-AlGaN对空穴和电子
关键词:
氮化镓
p-AlGaN
绿光LED
量子效率 相似文献
998.
利用蒙特卡罗方法对LED并联电路的电流降额特性进行了模拟,假设分档后的大功率白光LED的正向电压(VF)分布符合正态分布,研究了1×n(2≤n≤15)系列LED并联电路电流降额量(IP)的概率(P)分布。模拟结果表明,IP的概率分布函数偏离了正态分布,密度函数曲线最高值点的两侧不对称,左侧较右侧陡峭;随着LED并联数(n)的增加,概率密度函数沿IP增大的方向移动,并且越来越趋近于正态分布。当n一定时,IP随电路中出现LED承载电流超过其额定电流的概率增大而降低,降低的速度由快转慢;当P为0.01%~1%时,IP大约为20%~30%。当P一定时,IP随n的增加而增大;当n6时,IP的增大速度变缓。模拟结果可以推广到m×n阵列化互连大功率LED模组。 相似文献
999.
1000.