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71.
采用喷雾热解法分别在普通钠钙玻璃、含Si O2过渡层与Ti O2过渡层的玻璃上制备了F掺杂Sn O2薄膜,比较了不同过渡层上生长的F掺杂Sn O2薄膜的表面形貌特点,分析了过渡层对F掺杂Sn O2膜层的光电性能的影响。结果表明,过渡层种类对F掺杂Sn O2薄膜各项性能影响很大,在Si O2薄膜过渡层上制备的F掺杂Sn O2薄膜晶粒最小且表面致密,在Ti O2过渡层制备的F掺杂Sn O2薄膜晶粒最大,在玻璃上生长的F掺杂Sn O2薄膜较为疏松,以Si O2为过渡层制备的F掺杂Sn O2薄膜光电性能最佳,其平均可见光透过率为82.9%,电阻率为5.33×10-4Ω·cm,适合喷雾热解法制备性能优良的玻璃基F掺杂Sn O2薄膜。 相似文献
72.
平均聚合度和聚合度分布是决定聚合物产品质量的一个重要指标。平均聚合度直接表征聚合产品的分子量的大小,它的大小又决定高分子材料的性能,因此,研究平均聚合度具有重要的理论意义和实际意义。聚合反应按机理分类,可分为链型聚合和逐步聚合,链型聚合又分为自由基聚合、离子聚合、配位聚合,逐步聚合又分为缩聚和加聚反应。本文以自由基聚合、离子聚合、配位聚合以及缩聚的聚合机理为主线,对不同聚合机理对应的平均聚合度的公式进行推导和讨论,并加深理解,掌握其内涵。旨在提高学生对平均聚合度的认识和把握。 相似文献
73.
在利用反求法构造B样条插值曲线时,往往需要选取端点条件。 因此,可对端点条件进行优化选取,使得构造的B样条插值曲线满足特定要求。提出了一种利用曲线内能极小选取平面二次均匀B样条插值曲线端点条件的算法。首先给出了二次均匀B样条插值曲线分控制顶点与首个控制顶点(即端点条件)的递推关系式;然后给出了利用曲线内能极小优化选取首个控制顶点的算法,证明了利用该算法构造的C 1连续二次均匀B样条插值曲线为保形插值,并通过数值算例证明了算法的有效性;最后,为便于实际应用,基于MATLAB平台设计了算法所对应的图形用户界面,用户通过简单的操作即可获得光顺的C 1连续二次均匀B样条保形插值曲线。 相似文献
74.
用差紫外光谱滴定法考察了新型猪去氧胆酸分子钳1~6对苯胺、对甲氧基苯胺、对硝基苯胺等中性分子的识别性能,测定了主客体间的结合常数(Ka)和自由能变化(△G°)。结果表明,分子钳主体对所考察的客体分子显示良好的识别作用,主客体间形成1∶1型超分子配合物,最大结合常数可达3123.46L.mol-1,识别作用的主要推动力为氢键,范德华力等的协同作用。讨论了主体与客体的识别模式以及客体间形状、大小匹配和几何互补等因素对形成超分子配合物的影响,并利用核磁共振氢谱与计算分子模拟作为辅助手段对实验结果与现象进行了解释。 相似文献
75.
本文对以蒸馏水为工质,流过内径和外径分别为168μm、406μm和399μm、798μm的电加热不锈钢管时的换热进行了实验研究。通过对微钢管直接通电进行加热,并采用红外成像仪及专用放大镜头的非接触式方法,获得了各种恒定加热功率及不同雷诺数下的微钢管壁面的温度场分布,进而得到较为精确的壁面平均温度。由此计算了在层流态下的换热系数Nu数。实验结果表明,在层流下,内径为168μm及399μm的微钢管内部的Nu数分别比经典的Hansen准则式所得到的Nu数高出很多。 相似文献
76.
建立了一种毛细管电泳测定左旋多巴药片光学纯度的新方法。D,L-多巴(D,L-dopa)用2,4-二硝基氯苯(CDNB)衍生,以β-环糊精(-βCD)为手性选择剂,在硼砂(pH 9.0)缓冲溶液中进行毛细管电泳手性分离。采用紫外检测,测定波长为220 nm。在测定条件下,对映体分离在9 m in内完成。L-dopa中D-dopa的含量在0.10%~2.0%范围内,与D-dopa的峰面积呈现良好的线性关系。在L-dopa中加入不同量的D-dopa,测得回收率在96%~102%之间,每个样品分别测定3次,其相对标准偏差(RSD)小于2.3%。方法用于市售左旋多巴药片的分析,测得左旋多巴药片中D-dopa的含量为0.20%。 相似文献
77.
78.
79.
基于石墨烯低压化学气相沉积技术,通过调控甲烷流量对比研究了传统生长腔和气相捕获腔中石墨烯在铜箔衬底上的形核生长特点.结果 表明,与传统生长腔相比,气相捕获腔能够将石墨烯的形核密度降低3个数量级,并促使石墨烯晶核快速长大.同时,气相捕获腔能够为石墨烯提供一个稳定的生长环境,有利于制备晶格完美的石墨烯晶畴,并为石墨烯晶畴的融合提供更多的有效活性碳原子,加速石墨烯晶畴之间的融合,提高石墨烯薄膜的质量.在此基础上分析了气相捕获腔对石墨烯低压化学气相沉积形核生长的影响机理. 相似文献
80.
加速器中子活化实验是核专业本科实验教学中的重要实验之一.本文在利用14 MeV快中子辐照238U诱发裂变截面实验过程中引导学生挖掘实验数据,测量了裂变核素(89Rb)的重要核参数—半衰期.本工作运用低本底HPGe-γ谱仪测定裂变产物的一系列γ射线能谱,解谱得到89Rb的特征γ峰计数,从而确定89Rb的半衰期.数据分析中应用89Rb核素两条γ射线分别独立得到89 Rb的半衰期为15.30±0.09 min和15.25±0.07 min.测量结果在与文献数据符合较好的基础上,提高了测量精度. 相似文献