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微等电聚焦分离等位基因表达蛋白的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
借助于显微操作方法,用等电聚焦和改进的超敏感染色技术对西葫芦单个花粉粒中的可溶性蛋白进行了电泳分析,获得了清晰的电泳图谱。在靠近酸性端有两条相距极近而且分布比较特殊的蛋白带,在第1种植株中,这两条带稍微靠近酸性端;在第2种植株中,它们稍微远离酸性端;在第3种植株中,它们相同于第1种和第2种,而且在两种之间的分布比例为1∶1。就这两条带的分布情况在判断植株的相对纯合性或杂合性方面的应用以及单花粉蛋白等电聚焦技术配合显微操作方法在群体遗传学和发育生物学研究方面的应用作了讨论。 相似文献
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阳离子交换树脂对盐酸麻黄碱交换吸附与解离的研究 总被引:5,自引:0,他引:5
研究了强酸型阳离子交换树脂对盐酸麻黄碱的交换吸附与妥离作用。发现在弱碱和酸性溶液中树脂地盐酸麻黄碱的亲和力很强。强碱性环境则不利同树脂的亲和;用2.0Mol/L NaOH或2.0Mol/L HCl作为解离液时的解离效果优于2.0Mol/L NaCl溶液的解离液效果。温度对解离的影响不是很大,在室温条件下进行解离即可取得较好的解离效果。选用了有机溶剂乙醇,乙二醇,乙腈和四氢呋喃作为解离增强剂,以乙醇较为合适,且其浓度在15%左右时较好,在给定离子交换柱中的解离情况,用含2.0Mol/L HCl的15%乙醇地,回收率为91%。 相似文献
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等离子体增强分子束外延生长ZnO薄膜及光电特性的研究 总被引:3,自引:0,他引:3
利用等离子体辅助分子束外延设备(P-MBE)在蓝宝石(Al2O3)衬底上外延生长ZnO薄膜,研究了不同生长温度对结晶质量的影响.随着生长温度的升高,X射线摇摆曲线(XRC)半高宽从0.88°变窄至 0.29°,从原子力显微镜(AFM)图像中发现薄膜中晶粒从20nm左右增大至200nm,室温光致发光(PL)谱中显示了一个近带边的紫外光发射(UVE)和一个与深中心有关的可见光发射.随着生长温度升高,可见光发射逐渐变弱,薄膜的室温载流子浓度由1.06×1019/cm3减少到7.66×1016/cm3,表明在高温下生长的薄膜中锌氧化学计量比趋于平衡,高质量的ZnO薄膜被获得.通过测量变温光谱,证实所有样品在室温下PL谱中紫外发光都来自于自由激子发射;随着生长温度的变化UVE峰位蓝移与晶粒尺寸不同引起的量子限域效应相关. 相似文献
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利用分子束外延设备在蓝宝石衬底上生长了B/N共掺的p型ZnO薄膜,对比了B/N共掺和N单掺杂样品的物理学性能。通过X射线光电子能谱测试证明了在薄膜中存在有B和B-N键。B/N共掺样品的空穴浓度比单一N掺杂样品高近两个量级。且ZnO:(B,N)薄膜在两年多的时间内一直显示稳定的p型电导。这是由于B-N键的存在提高了N在ZnO薄膜中的固溶度,且B-N键之间强的键能和B占据Zn位所表现的弱施主特性不会带来强的施主补偿效应,说明B是N掺杂ZnO薄膜的一种良好的共掺元素。 相似文献
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中国物理学会发光分会第11届会员代表大会于2010年11月7日在苏州召开。参加本次代表大会的会员代表共240余人。会议由发光分会上届委员会副主任、北京交通大学王永生教授主持。发光 相似文献
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为了实现MgZnO合金带隙全跨度调制,利用低压MOCVD设备,在c面蓝宝石衬底上采用MgO籽晶层和组分渐变缓冲层控制立方相MgxZn1-xO薄膜的生长,获得了Zn组分达到0.7的单一立方相MgxZn1-xO薄膜,把MgZnO合金带隙调制范围从MgO一侧扩展到了4.45 eV,覆盖了整个日盲紫外波段。对比实验分析表明,这种高Zn组分立方相MgZnO薄膜的生长得益于缓冲层晶格模板的结构诱导作用和适宜的生长温度(350~400℃)。Mg0.3Zn0.7O基MSM结构紫外探测器响应峰位于270 nm,截止波长295 nm。 相似文献
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用一种低成本的方法制备出了树形结构Si/ZnO纳米线阵列。首先在室温条件下用金属辅助化学腐蚀法在Si(100)衬底上制备了Si纳米线阵列,Si纳米线的直径尺寸及分布都很均匀,通过改变腐蚀时间,能够得到高度不同的Si纳米线阵列。利用磁控溅射在Si纳米线表面制备一层ZnO薄膜,然后利用水热法在Si纳米线阵列上生长了ZnO纳米线。通过扫描电子显微镜(SEM)、能谱分析仪(EDS)和光致发光(PL)测试对样品进行了表征。通过这种方法制备的Si/ZnO复合结构在太阳能电池、光催化等领域有潜在应用价值。 相似文献