适合于带纹柱体扭转的裂纹尖端奇异元素

给出一个适合于带纵向裂纹柱体圣维南扭围的等参数元素，在即在裂纹法端具有ｒ＾－１／２奇异性的“１／４”八结点等参数元素，利用这个尖端元素，配合以本文作者在「２」中引入的八结点等参数元素，对含有径向纵裂的圆柱进行了扭转计算。     

基于证据意识的物理科学素养的培养--以“力的作用是相互的”教学为例

义务教育物理课程标准指出,物理课程不仅应注重科学知识的传授和技能的训练,而且应注重对学生学习兴趣、探究能力、创新意识以及科学态度、科学精神等方面的培养.基于证据意识的培养,就是培养学生实事求是的科学态度、逻辑严谨的科学思维、勇于创新的科学态度,是培养学生物理科学素养的核心环节.本文以苏科版物理8年级下册第8章第4节“力的作用是相互的”的教学为例,谈谈在物理教学中如何在证据意识下培养学生的科学素养.     

Keggin结构多阴阳离子构筑高活性多酸基氧化脱硫催化剂

设计开发高活性超深度氧化脱硫催化剂是解决未来石化工业适应日益严格要求的清洁燃油标准的重要出路之一。本文合成了Keggin结构多聚铝阳离子烷基硫酸盐Al_13-SDS和磷钨酸(HPW)多阴离子构筑的催化剂HPW-Al_13-SDS(SDS=十二烷基硫酸钠),采用傅里叶红外光谱(FT-IR)、紫外可见光谱(UV-Vis)、热重分析(TG)、X射线衍射(XRD)和Brunauer-Emmett-Teller(BET)等测试手段对催化剂的结构进行表征。FT-IR和UV-Vis的表征结果表明,焙烧后的催化剂中多聚铝阳离子和HPW同时保持Keggin骨架结构。以有机硫二苯并噻吩(DBT)的正己烷溶液为模拟油品的氧化脱硫为探针反应,在选定的条件下,DBT有机硫的脱除率达到99.5%。反应后HPW-Al_13-SDS催化剂的FT-IR和XRD的表征证实产生过氧化多钨酸化合物。催化剂能够循环使用,易分离,循环使用后活性未见明显降低,是理想的模型有机硫化物氧化脱除用催化剂。     

连续交易制度与价格发现功能——基于我国黄金期货市场的实证研究

连续交易制度是提升我国黄金期货市场国际竞争力的重要举措。采用2011年1月至2014年9月中美黄金期货市场日收盘价数据,利用VEC模型、信息份额模型、VEC-BEKK-MGARCH模型、DCC-MGARCH模型,研究了该制度对上海黄金期货市场价格发现功能的影响。结果表明:制度推出后,上海黄金期货市场的价格发现功能得到提升,不过仍弱于美国市场,美国市场对上海市场的收益率传递效应减弱,两市场之间的波动溢出效应有所增强,时变动态相关系数振动幅度明显降低。     

块对偶Toeplitz算子的乘积

本文刻画了向量值Bergman空间上块对偶Toeplitz算子有界性和紧性,给出了块对偶Toeplitz算子的乘积是块对偶Toeplitz算子的充要条件.     

Effect of crystallographic orientations on transport properties of methylthiol-terminated permethyloligosilane molecular junction

The understanding of the influence of electrode characteristics on charge transport is essential in the field of molecular electronics. In this work, we investigate the electronic transport properties of molecular junctions comprising methylthiol-terminated permethyloligosilanes and face-centered crystal Au/Ag electrodes with crystallographic orientations of (111) and (100), based on the ab initio quantum transport simulations. The calculations reveal that the molecular junction conductance is dominated by the electronic coupling between two interfacial metal-S bonding states, which can be tuned by varying the molecular length, metal material of the electrodes, and crystallographic orientation. As the permethyloligosilane backbone elongates, although the σ conjugation increases, the decreasing of coupling induced by the increasing number of central Si atoms reduces the junction conductance. The molecular junction conductance of methylthiol-terminated permethyloligosilanes with Au electrodes is higher than that with Ag electrodes with a crystallographic orientation of (111). However, the conductance trend is reversed when the electrode crystallographic orientation varies from (111) to (100), which can be ascribed to the reversal of interfacial coupling between two metal-S interfacial states. These findings are conducive to elucidating the mechanism of molecular junctions and improving the transport properties of molecular devices by adjusting the electrode characteristics.     

银鲳脾脏和肾脏组织细胞体外培养研究

为探究银鲳脾脏和肾脏组织细胞体外培养条件, 本研究采用组织块培养法对银鲳脾脏和肾脏组织进行原代培养. 实验选用DMEM/F-12、M199和DMEM等作为基础培养基, 在其中分别添加体积分数为10％、15％、20％的胎牛血清, 并添加青链霉素及庆大霉素以防细菌污染. 结果表明: 银鲳脾脏和肾脏组织在胎牛血清体积分数为20％的DMEM/F-12培养基中贴壁最好, 迁出细胞的种类最多, 细胞生长速度最快. 其中脾脏组织共迁出6种不同的细胞, 分别为: 免疫细胞、基质细胞、上皮样细胞、成纤维样细胞、造血灶和未知细胞; 肾脏组织共迁出3种细胞, 分别为: 上皮样细胞、巨噬细胞和成纤维样细胞.     

黄曲霉素B1在银团簇表面吸附的表面增强拉曼光谱

采用密度泛函理论(DFT)的B3LYP方法和6-311g(d, p)(C, H, O)/LanL2DZ(Ag)基组, 优化得到黄曲霉素分子AFB₁与Ag小团簇形成的复合物AFB₁-Ag_n (n=2, 4, 6)的稳定结构, 并计算了三种复合物的表面增强拉曼光谱(SERS)和预共振拉曼光谱(SERRS), 与实验结果相一致. 计算结果显示: 三种复合物表面增强拉曼光谱中C＝O伸缩振动模的增强因子约为10²-10³, 是由于极化率改变引起的静化学增强. 根据含时密度泛函理论(TDDFT)方法计算得到的吸收光谱, 分别选择407.5、446.2和411.2 nm作为入射光, 计算三种复合物的共振拉曼光谱, 发现在SERRS光谱中, Ag―O伸缩振动的增强因子达到10⁴量级, 主要是由电荷转移产生的共振增强引起的.     

阻燃PVA-g-AN的制备、表征及性能

以K₂S₂O₈-NaHSO₃氧化还原体系为引发剂, 将丙烯腈(AN)接枝到聚乙烯醇(PVA)上, 得到聚乙烯醇接枝丙烯腈聚合物(PVA-g-AN), 将其与磷酸-尿素反应制备阻燃聚乙烯醇接枝丙烯腈聚合物(FR-PVA-g-AN). 利用傅里叶变换红外光谱(FTIR)、 X射线能谱(XPS)和X射线衍射(XRD)对其结构进行表征, 并用热重分析(TGA)对其热性能进行研究. 结果表明, 当引发剂用量占反应物总质量的1%, n(K₂S₂O₈):n(NaHSO₃)=5:1, m(丙烯腈):m(聚乙烯醇)=3.5:1, 70 ℃反应4 h时, 接枝率可达190%; 在m(磷酸):m(尿素)=5:1, 85 ℃条件下处理接枝产物PVA-g-AN 4 h时, 获得阻燃性能良好的FR-PVA-g-AN, 700 ℃马弗炉热处理后, 残炭量达到63%. TGA结果显示, FR-PVA-g-AN的热降解过程较PVA减慢, 且800 ℃后残炭量由PVA的3.12%增加到54.3%, 说明FR-PVA-g-AN具有优异的热稳定性和成炭性.     

An improvement to computational efficiency of the drain current model for double-gate MOSFET

As a connection between the process and the circuit design, the device model is greatly desired for emerging devices, such as the double-gate MOSFET. Time efficiency is one of the most important requirements for device modeling. In this paper, an improvement to the computational efficiency of the drain current model for double-gate MOSFETs is extended, and different calculation methods are compared and discussed. The results show that the calculation speed of the improved model is substantially enhanced. A two-dimensional device simulation is performed to verify the improved model. Furthermore, the model is implemented into the HSPICE circuit simulator in Verilog-A for practical application.