具有穿插界面结构的高效绿光有机电致磷光器件

以传统有机电致磷光器件ITO/NPB/CBP∶Ir(ppy)₃/BAlq/Alq₃/LiF/Al为研究对象,在NPB/CBP∶Ir(ppy)₃、CBP∶Ir(ppy)₃/BAlq及BAlq/Alq₃界面处构造交互穿插结构。器件的光电性能测试表明:交互穿插结构一方面能够降低电流密度,减少高电流密度下磷光猝灭中心的形成;另一方面能增加载流子复合界面面积,从而分散界面三线态激子,降低三线态-三线态激子的猝灭。此外,界面凸起的存在还有利于器件的光耦合输出。实验结果表明:当穿插厚度为10 nm,器件的最大电流效率达到34.0 cd/A,与传统器件的电流效率18.7 cd/A相比,提高了55%。     

基于[NPB+Zn(4-TfmBTZ)2-]电致激基复合物的有机电致白光器件

将不同浓度的NPB掺杂到一种新型有机电致发光材料Zn(4-TfmBTZ)2层中制备了有机电致白光及近白光器件,发现NPB浓度不仅影响器件的发光效率,而且影响器件的色度和显色指数.随着Zn(4-TfmB-TZ)2层中NPB摩尔分数从0％～10％逐渐增加,电致激基复合物的发射逐渐增强,器件发光效率先增加后减小,在相同电压下...     

一类新型苯基吡唑铱(Ⅲ)配合物的电子结构及光谱性质

为了探索新型苯基吡唑铱(Ⅲ)配合物的电子结构与光谱性质之间的关系,采用密度泛函理论(DFT)优化了铱金属配合物(ppz)2Ir(BTZ)(1)和(ppz)2Ir(4-TfmBTZ)(2)的基态与激发态的几何结构.通过含时密度泛函理论(TD-DFT)方法计算了配合物的吸收和发射谱,指认了它们的跃迁性质.和Ir(ppz)3相比,通过引入新的辅助配体并对其修饰实现了发光颜色的调节.配合物1和2的最低能磷光发射可指认为3MLCT/3LLCT/3ILCT[π*(R-BTZ)→d(Ir)+π(ppz)+π(R-BTZ)]的电荷混合跃迁.此外,它们的磷光发射和吸收有相似的跃迁性质.MLCT主要发生在Ir(R-BTZ)片段而不是Ir(ppz)2片段.第二配体在此配合物的发光过程中起了主要作用.     

一种上转换白光荧光粉的制备与发光性能研究

采用高温固相法制备了上转换白光荧光粉AlF3-YbF3:Er3+/Tm3+。通过XRD物相分析可知:上转换白光荧光粉AlF3-YbF3:Er3+/Tm3+是由三方AlF3相和正交YbF3相组成;利用发射光谱研究了该荧光粉的上转换发光性能,并且分析了当固定Er3+离子掺杂浓度时,Tm3+离子掺杂浓度对上转换白光荧光粉AlF3-YbF3:Er3+/Tm3+色度的影响,进而提出其上转换能量传递机制。结果表明:在980 nm激光激发下,波长为410 nm的紫光峰、550 nm的绿光峰和660 nm的红光峰分别对应于荧光粉中Er3+离子的2H9/2→4I15/2,4S3/2→4I15/2和4F9/2→4I15/2能级的跃迁,而波长为360 nm的紫外光峰、450 nm的蓝光峰、700 nm的红光峰,分别对应于荧光粉中Tm3+离子的1D2→3H6,1G4→3H6和1G4→3F4能级的跃迁,Er3+离子发出的光与Tm3+离子发出的光最终混合成色坐标为x=0.32,y=0.36的白光。此外,通过980 nm半导体激光器和EPM 2000 Dual-channel Joulemeter/Power meter测得该荧光粉最大上转换效率为6.90%。     

绿光荧光粉铽-磺基水杨酸-十一烯酸的合成及发光机理

实验合成了发光二极管(LED)用绿光荧光粉配合物Tb-磺基水杨酸(SSAH)十一烯酸(UA)。红外光谱表明配体与Tb成功发生配位;紫外光谱分析表明配合物的吸收主要来自配体的吸收;荧光光谱分析显示配合物在365nm的紫外光激发下,于543nm处发出强的特征绿光,这表明所合成的配合物可用于365nm波长紫外芯片的光致荧光粉;热重曲线可以看出配合物的起始分解温度在200℃附近,完全满足LED的工作温度;荧光寿命分析得出配合物的荧光寿命为1.413ms,量子效率ηs=42%;通过量子化学计算出配体的单重态与三重态能级,并对配合物发光机理进行了探讨分析。     

Improved light extraction of organic light emitting diodes with a nanopillar pattering structure

We have investigated the properties of organic light emitting diodes(OLEDs)with a nanopillar patterning structure at organic–metal or organic–organic interfaces.The results demonstrate that the introduction of a nanopillar structure can improve the light extraction efficiency greatly.We also find that the number,height,and position of nanopillars all affect the light extraction of OLEDs.The maximum power efficiency of a device with an optimized nanopillar patterning mode can be improved to 2.47 times that of the reference device.This enhancement in light extraction originates from the improved injected carriers,the broadened charge recombination zone,and the intensified wave guiding effects.     

位错形态与GaN外延薄膜电阻率之间的关系

利用金属有机化学气相沉积（MOCVD）,通过改变生长过程中成核层退火阶段的反应室压力,在蓝宝石衬底上制得了不同阻值的GaN外延薄膜。利用原子力显微镜（AFM）、X射线衍射（XRD）和透射电子显微镜（TEM）对所生长的GaN薄膜的表面形貌、位错密度和位错形态进行了研究。结果表明,GaN的电阻率与位错形态之间存在密切联系,由此建立了模型来解释两者之间的关系。由于刃型位错附近存在负电荷,因此可为电子提供传导通道。在低阻GaN中,绝大多数位错发生弯曲和相互作用,在平行于基底方向上形成负电荷的导通通道,GaN薄膜的电导率较高。在高阻GaN中,位错生长方向垂直于基底,负电荷很难在平行于基片方向上传导,GaN薄膜的电导率很低,由此得到高阻GaN。     

水溶性富勒醇的荧光特性及其与各种金属离子结合的研究

本文考察了C60 水溶性衍生物 富勒醇的荧光特性。观测到富勒醇的荧光自猝灭现象以及不同酸度对其荧光强度的影响。在 pH =6 5～ 7 5条件下 ,富勒醇的荧光发射最强 ,并以此为最佳酸度条件 ,详尽研究了富勒醇同各种金属离子的作用 ,发现金属离子Cu2 + ,Pb2 + ,Co2 + ,Fe2 + ,Fe3 + ,Al3 + ,Cr3 + 和Cr(Ⅵ )均能有效猝灭富勒醇的荧光。其中Cu2 + ,Fe2 + ,Fe3 + ,Al3 + 和Cr3 + 在猝灭富勒醇荧光的同时 ,还使富勒醇的荧光激发和发射峰发生不同程度的红移和蓝移 ,表明这五种金属离子与富勒醇之间同时形成了基态和激发态的络合物 ;而Pb2 + ,Co2 + 和Cr(Ⅵ )则只在激发态下同富勒醇发生作用。各金属离子与富勒醇的结合能力为 :Cu2 + >Fe2 + >Pb2 + >Co2 + ;Fe3 + >Al3 + >Cr(Ⅵ ) >Cr3 + ,同时估测了各金属离子与富勒醇的结合常数KA 及结合数n。     

石墨烯保护层对铜电化学腐蚀行为的影响研究

以铜箔为基底通过常压化学气相沉积法制备了高质量、连续的少层石墨烯.采用极化曲线和电化学阻抗谱对纯铜箔及石墨烯/铜样品在0.1 mol/L NaCl溶液中的抗腐蚀性能进行了研究.结果表明,石墨烯/铜样品的自腐蚀电位比纯铜箔的高0.114 V,腐蚀电流密度较纯铜箔的低1个数量级,极化电阻较纯铜箔的高4.4倍,阻抗模值比纯铜箔的提高了约1个数量级.因此,石墨烯可以作为铜表面的保护层,抑制铜在NaCl溶液中发生电化学反应,从而增强铜的抗腐蚀性能.