Luminescent Enhancement in Mg- and Er-Codoped LiNbO3 Crystals

We investigate the MgO codoping-induced effect on the luminescent properties of Er^3 -doped and Er/Mg codoped LiNbO3 crystals. The emission and excitation spectra and the absorption spectra are measured. The results show that the luminescent behaviour of Er^3 ions is very sensitive to the codoping of Mg^2 ions. According to the photorefractive level theory, we propose a quench model for the Er/Mg codoped lithium niobate crystal. The quench centres are suggested to be the bipolaron (NbLi-NbNb), we attribute the luminescent enhancement to the decreasing concentration of these centres. The luminescent enhancement effect is successfully explained.     

Nanocrystal formation and structure in oxyfluoride glass ceramics

The up-conversion luminescent property of the oxyfluoride glass ceramics 30SiO_{2}\cdot15Al_{2}O_{3}\cdot (50--x)PbF_{2}\cdot xCdF_{2} doped with 4ErF_{3}\cdot1YbF_{3} has been investigated. Up-conversion luminescent intensity of Er^{3+} ions increased obviously after heat-treatment due to co-doping with CdF_{2}. The structure model of nanocrystals Pb_{x}Cd_{1-x}F_{2} was determined and the effect of CdF_{2} in oxyfluoride glass ceramics was explained by the analysis of x-ray diffraction data. Different nucleation temperatures of samples with different compositions were obtained by differential thermal analysis curves and the results showed the growth process of different nanocrystals in glass ceramics.     

固态源MBE系统生长高质量的调制掺杂GaAs结构材料和InP/InP外延材料的兼容性研究

通过固态源的分子束外延系统生长了调制掺杂AlGaAs/GaAs结构材料和InP/InP外延材料.在生长含磷材料之后,生长条件(真空状态)变差;我们通过采取合理的工艺方法和生长工艺条件的优化,获得了电子迁移率为1.86×105cm2/Vs(77K)调制掺杂AlGaAs/GaAs结构材料和电子迁移率为2.09×105cm2/Vs(77K)δ-Si掺杂AlGaAs/GaAs结构材料.InP/InP材料的电子迁移率为4.57×104 cm2/Vs(77K),该数值是目前国际报道最高迁移率值和最低的电子浓度的InP外延材料.成功地实现了在一个固态源分子束外延设备交替生长高质量的调制掺杂AlGaAs/GaAs结构材料和含磷材料.     

掺钼近化学计量比铌酸锂晶体的光折变性能研究

通过生长一系列掺钼近化学计量比铌酸锂晶体,研究了晶体的光折变性能,发现在488 nm和532 nm波长辐照下,当Mo的掺入量为0. 5mol%时,晶体的光折变灵敏度分别达到0. 25 cm/J和0. 21 cm/J。此外,极化条件的改变可以缩短晶体在488 nm波长辐照下的光折变响应时间。通过红外光谱、紫外可见吸收光谱和X射线光电子能谱的测试,对掺钼近化学计量比铌酸锂晶体的光折变性能变化的机制进行了研究。     

周期极化掺镁不同组分LiNbO3晶体的研究

利用气相平衡扩散法研制出掺镁不同组分的LiNbO₃晶体，并对其极化特性进行了研究.研究表明晶体的开关电场和自发极化不仅与晶体组分［Li］/［Nb］比有关而且与掺镁量有关，［Li］/［Nb］比为0.973掺入2mol% MgO的近化学比LiNbO₃晶体的开关电场仅为1.8kV/mm，是同成分晶体的1/12，且其极化结构的质量要远好于同成分LiNbO₃晶体和近化学比LiNbO₃晶体. 关键词： 气相平衡扩散 3晶体')" href="#">掺镁LiNbO₃晶体 周期极化     

固体介质中的电磁感应透明效应及其应用

电磁感应透明技术不仅能够改变物质对光场的响应，而且能够调控光场本身的性质．文章介绍了电磁感应透明效应的基本原理，电磁感应透明现象在各种固体介质中的实现，比较了这些固体介质的特性，并讨论了由电磁感应透明现象所产生的各种效应及其应用．     

LiNbO3:Fe晶体二波耦合弱光放大的物理机理

对LiNbO₃: Fe晶体中二波耦合过程进行了动态观测.进一步探讨了LiNbO ₃:Fe晶 体中弱光放大的物理机理.发现LiNbO₃ : Fe晶体中二波耦合过程的弱光放大 对c轴指 向有明显的依赖关系，虽然光生伏打效应对光生载流子的迁移有主要贡献，但扩散机理的贡 献仍不可忽略.弱光最终得到放大是瞬态能量转移与扩散机理引起的能量转移的共同贡献.弱 光放大达到准稳态之后的下降过程为瞬态能量转移的时间指数衰减过程与光散射引起的能量 耗散的共同贡献. 关键词： 光折变效应 光放大 掺杂铌酸锂     

非相干非线性光学理论方法及其进展

文章主要综述了非相干非线性光学的几种理论方法,包括互相干函数法、相干密度法、自洽模理论、Wigner转换法、近似射线光学法和热动力学法等.其中,着重阐述了近期发展起来的理论方法——热动力学法,并对其原理进行了概括.对这几种理论方法的理解和探讨对非相干非线性光学效应的研究具有很重要的指导意义,有利于非相干非线性光学理论的进一步发展和完善.     

Ce3+在Ba2ZnB2O6中的晶体学格位及其发光性能研究

通过高温固相法合成了Ba2ZnB2O6∶Ce3+蓝色荧光粉.通过XRD、Rietveld结构精修、激发和发射光谱、荧光衰减曲线以及变温荧光光谱等,对荧光粉的晶体结构和发光性能进行了研究.结果表明:Ce3+的掺入并未对基质的晶格结构产生影响,在350 nm近紫外光激发下,Ba2ZnB2O6∶xCe3+的发射峰为位于430 nm的不对称的宽谱,最佳掺杂浓度为x=0.01,Ce3+在Ba2ZnB2O6晶格中占据Bal和Ba3两种格位,随掺杂浓度升高更倾向于占据Ba3位.Ce3+的择优占位使荧光粉的发光由蓝光向蓝绿色区域发生了明显的漂移.     

同成分铌酸锂晶体中反位铌的扩散研究

通常商业使用的同成分铌酸锂晶体(CLN)是固液同成分共熔点配比,其Li2O含量约为48.6mol;,晶体中存在大量的锂空位和反位铌等本征缺陷,进而影响了晶体的电光系数、折射率、光折变等性能.研究表明,将缺锂的晶体在高温、富锂气氛下进行扩散处理可获得接近化学计量配比的铌酸锂晶体(nSLN),这种方法获得的nSLN晶体光学质量高,且技术简便、成本低,具有实际应用价值.本文分析了富锂气氛下CLN晶体扩散过程中反位铌的扩散机制和扩散路径,认为反位铌在扩散过程中将迁移到晶体外部,并通过CLN晶片的单边扩散进行了验证.