半导体激光倍频晶体硫氰酸汞镉(CMTC)显微结晶的研究

采用显微结晶,系统地观察、研究了半导体激光(LD)倍频材料CMTC晶体在KCl/H2O的溶剂体系中,不同条件下的结晶习性。结果给出：在KCl浓度为3;～10;范围,pH值为3.0～4.3范围时,结晶形态规则,各项生长速度均匀,结晶透明;pH值为2.0～3.0条件下,z轴方向生长速度变快,a轴方向生长速度变慢;杂质严重影响了结晶的质量和外形;溶液稳定性随时间的增长和温度的升高而逐渐变差。本文分析了CMTC单晶生长和定向生长适宜的溶液条件和关键。     

适用于宽温度范围高稳定的Q开关LiNbO3晶体

分析了俄罗斯的Q开关LiNbO3晶体的成分,这种开关用在Nd∶YAG激光测距仪上,能够在温度-50～50℃范围内稳定工作.通过测量紫外吸收边的位置、红外振动光谱、晶格常数和居里温度的方法,测出晶体中的锂铌比([Li]/[Nb])为49.02/50.98.分析认为晶体中的锂铌比是影响LiNbO3晶体Q开关温度稳定性的主要因素.     

复合聚合物CTNI/PMMA薄膜的制备及传输特性的研究

合成了一种新型有机金属配合物:[C16H33(CH3)3N]Ni(dmit)2(简称为CTNI),通过旋涂法制备了不同质量比的复合聚合物CTNI/PMMA薄膜,用视频摄像技术测量了其光传输损耗。结果表明,对8%质量分数掺杂浓度的CTNI/PMMA聚合物复合薄膜的光传输损耗为3.001dB/cm,随着CTNI在复合聚合物薄膜中浓度的增加,薄膜的光传输损耗线性增长。     

4,5-二硫基-1,3-二硫杂环戊烯-2-硫酮与若干卤代烃的反应产物及其衍生物

合成了一组DMIT衍生物,其中两个化合物完成了晶体结构测定,讨论了化合物的合成条件,结构与谱学特征.     

一种新的有机非线性光学晶体——L-精氨酸磷酸盐

近年来,在探索新的有机非线性光学晶体的工作中,对含有给电子或受电子基团的芳香族化合物已有广泛深入的研究,并已研制出像2,4-二硝基苯丙氨酸甲酯(MAP)等具有较大倍频系数的新的非线性光学晶体。但是,由于强的共轭效应使它们大π键各能级间的距离接近而使此类晶体无法应用于紫外区。     

实现半导体激光倍频的有机新晶体——MHBA

一种半导体激光倍频有机新晶体3-甲氧基4-羟基苯甲醛(MHBA),采用溶液降温法已培养出70mm×40mm×15mm的大单晶,实现了对808—817nm的半导体激光倍频的紫光(404—408.5nm)输出,在809nm处,获得了连续功率为3μW的404.5nm的紫光输出。     

基于几何光学的红外成像模型

提出一种基于光线追击法的CFD湍流场的红外成像模型,用“数字图像”模拟“真实目标”进行仿真计算。通过对比原始图与仿真结果,得出超高声速导弹附面层可引起降晰效应的结论,为弹载计算机的图像复原算法提供了理论依据。按照导引头的工作原理,把模型分为远距离、临界距离和近距离3种类型分别讨论,最后分析了点扩散函数与数字图像处理中降晰模板之间的关系。     

聚合物薄膜中生色团分子间的相互作用对其宏观二阶非线性的影响

制备了3-(1,1-二氰基噻吩)-1-苯-4,5-二羟基-H-噻唑(DCNP)与聚醚醚酮(PEK-c)组成的主客掺杂聚合物薄膜,用Maker条纹法测量了不同掺杂浓度下薄膜的二阶非线性系数χ₃₃⁽²⁾.实验结果表明,聚合物中生色团的含量高到一定程度,其宏观二阶非线性随生色团含量的增加反而下降.本文在考虑聚合物中生色团分子相互作用的情况下,修正了聚合物宏观二阶非线性与生色团的含量之间的关系,此时聚合物宏观二阶非线性与生色团的含量已非简单的正比关系.讨论了生色团分子间 关键词：     

Two Electrons with Spin-Orbit Interactions in InAs Coupled Quantum Dots

We theoretically study the spin properties of two interacting electrons confined in the IhAs parallel coupled quantum dots （CQDs） with spin-orbit interactions （SOI） by exact diagonalization method. Through the SOI induced spin mixing of the singlet and the triplet states, we show the different spin properties for the weak and strong SOI. We investigate the coherent singlet-triplet spin oscillations of the two electrons under the SOI, and demonstrate the detailed behaviors of the spin oscillations depending on the SOI strengths, the inter-dot separations and the external magnetic fields. To better understand the underlying physics of the spin dynamics, we introduce a four-level model Hamiltonian for both weak and strong SOI, and find that the SOI induced in plane effective magnetic fields can be quantitatively extracted from the two-electron excitation energy spectra.     

HEK-TCNQ的光诱导电荷转移与HEK-DDQ的基态电荷转移

合成了电荷转移复合物HEK-TCNQ和HEK-DDQ(HEK=9-hydroxyethylcarbazole)。拉曼光谱和吸收光谱测定表明: 光电导为10^-^1^1s.cm^-^1的HEK-TCNQ在514.5nm激光照射下可发生电荷转移, 生成HEK^+TCNQ^-, 其光电导显著增大。X射线结构分析和红外光谱表明: HEK与DDQ之间基态电荷转移量为0.1~0.2。