1978年国际发光学学术会议概况

国际发光学会议每三年召开一次。由发光学国际组织委员会组织,委托某国家筹备。这次是由法国筹备,在巴黎召开。会议规模达538人,分属26个国家(其中法国185人,西德87人,日本42人,美国35人,英国31人,苏联22人,荷兰21人,波兰15人,以色列16人,匈牙利12人,中国5人。……)各国知名科学家几乎都参加了大会。大会交流了224篇学术报告。其中29篇邀请报告,讲述发展动态或介绍内容集中、工作系统的专题研究,113篇在会上宣读的专题报告(包括我国代表提出的“Y_2O_3·Eu压片及ZnS·Cu,Er,Cl薄膜的直流场致发光激发机理,老化及形成过程”)还有80篇以大字报形式交流的报告。     

埸致发光

将一种发光材枓置于两个平行的平板电极间(其中一个电极必需是透明的),在两个电极上加上电压就能发出光来的现象称为场致发光。图1为场致发光的示意图。早在1923年,     

用于日盲波段的MgZnO薄膜材料和紫外探测器

考虑ZnO优秀的物理和化学性能以及由于生长温度低而具有更低的缺陷密度从而易于实现高的光电器件效率等特点，本文采用射频磁控溅射和金属有机化学汽相沉积（MOCVD）方法在石英及蓝宝石衬底上生长了立方结构MgZnO薄膜，制备了MgZnO的MSM型紫外探测器。该器件实现了在日盲（太阳盲）波段的光响应，典型的光响应峰值分别在225和250nm，截止边为230和273nm。     

正向电压激发下发蓝光的ZnSe发光二极管

研究了用高纯ZnSe单晶制备的MIS二极管在正偏压下的电致发光发射光谱。室温时,在4655和4770Å处有二个强的蓝发射带,而在低温时观察到精细结构。在20°k时,自由激子和束缚激子的发射特别强,施主—受主对发射带(Q系列)及与之相伴的自由态到束缚态的发射也很明显。当温度升高时,束缚激子发射、D—A对带的发射、自由态到束缚态的发射都被猝灭,故在室温时只有两个蓝的发射带。证明了4655处的发射带和受导带中自由电子散射的自由激子的复合有关,4770Å处的发射带是自由激子的复合同时发射两个LO声子造成的。     

Fe掺杂ZnO纳米薄膜的光致发光

采用溶胶-凝胶法制备了Zn_1-xFe_xO(x=0.01,0.05,0.10)纳米薄膜。X射线衍射谱显示所有样品均具有六角纤锌矿结构。而且在X射线衍射谱中没有发现其他相存在。研究了在不同的溶液浓度、退火温度和Fe浓度下制备的掺杂ZnO薄膜的光致发光谱。结果表明,热退火提高了样品的光学质量。溶液浓度为0.1mol/L,且Fe含量较低的条件下,样品的光学质量有所提高。     

用电化学沉积方法制备钴掺杂的氧化锌薄膜及其光学性质

通过选用乌洛托品作为络合剂,采用电化学沉积的方法成功地制备出钴掺杂的氧化锌薄膜。通过对样品的XRD表征,得出生长的样品为ZnO纤锌矿结构,并没有其他杂相峰,即没有出现分相;通过对样品XPS的分析显示Co离子在薄膜中以+2价的形式存在;为进一步验证Co²⁺离子进入ZnO的晶格,对掺杂不同Co²⁺浓度的样品进行PL谱的测量,从发光光谱上可以看出随着掺杂Co²⁺浓度的增加,带隙逐渐变窄,发光峰位红移,证明Co²⁺部分取代了Zn²⁺而进入了ZnO晶格中。     

Ni/Au与N掺杂p型ZnO的欧姆接触

研究了Au,In,Ni/Au三种不同金属膜与N掺杂p型ZnO的接触特性,发现Ni/Au双层膜更适合作为其欧姆电极材料,并比较了不同气氛和不同温度退火对Ni/Au电极的影响.发现在O₂中退火电极性能发生蜕变,而在N₂中退火性能得到改善.指出即使在N₂中退火,退火温度的选择也是至关重要的,本实验在400℃,氮气气氛下退火150s,得到了较好的欧姆接触特性.     

射频磁控反应溅射生长AlN薄膜

用射频磁控反应溅射方法,在高纯Ｎ２、Ａｒ（纯度均为９９．９９９％）的气氛中,以高纯Ａｌ为靶材,成功地制备了ＡｌＮ薄膜．研究了不同气体组分、不同衬底温度对薄膜结晶性的影响．发现退火能使薄膜的结晶性得到改善,在退火后的样品中得到了室温蓝紫色阴极射线发光     

MgxZn1-xO合金制备及MgZnO/ZnO异质结构的光学性质

利用射频等离子体辅助的分子束外延(P-MBE)技术在c面的蓝宝石衬底上生长了具有不同Mg含量(0≤x≤0.28)的六方相MgZnO合金薄膜,研究了该系列样品Raman频移的幅度与合金组分的对应关系,为MgZnO合金中Mg含量的确定提供了新的方法。在此基础上选择具有合适带宽的MgZnO合金作为垒层,制备了MgZnO/ZnO量子阱结构。在较高的光激发密度下,观测到了发光强度随激发密度的超线性增加,并将之归因于激子-激子碰撞引起的超辐射过程。     

横山明聪优秀研究生奖学金

横山明聪现任台湾义守大学教授、大日本印刷株式会社终身顾问等职,曾任日本长岗技术科学大学教授、日本精机株式会社董事、台湾成功大学教授等职。横山明聪教授长期从事无机和有机电致发光材