静压下Znse／Zn_（1－x）Cd_xSe应变超晶格的光致发光研究

本文首次在室温和０—２．５ＧＰａ静压范围内研究了Ｚｎｓｅ／Ｚｎ０．２６Ｃｄ０．２６Ｓｅ应变超晶格的静压光致发光，观察到了室温条件下的超晶格阱层的重空穴激子跃迁随压力的亚线性变化的特性．经过计算机拟合实验数据得到了一阶和二阶压力系数．理论计算得到的一阶压力系数与实验得到的压力系数符合得较好。     

室温下ZnCdSe-ZnSe组合超晶格的子带跃迁

通过在室温下对ZnCdSe-ZnSe组合超晶格结构的电调制反射谱的测量,观测到分别来自两组超晶格的激子跃迁,由曲线拟合出的跃迁能量与由包络函数近似计算得到的能量相符合。     

中国物理学会发光分会第9届委员会（2004-2007）工作报告

我受中国物理学会发光分会第9届委员会的委托作工作报告,报告分为三个部分即:一、历史的回顾;二、任期内的工作报告;三、建议和期望。一、历史的回顾发光学会第9届委员会是承上启下的一届委员会,自发光学会第10届委员会起,将全部由年轻的一代组成,因此在汇报本届委员会任期内的工作之前,有必要简要的回顾一下发光学会的发展史。第1届全国发光学学术会议,始于1978年,由徐叙2、许少鸿、吴伯僖等老一代发光学家筹备、组织和召开,此后基本上每3年一届,在全国各地轮流召开,至今已是第11届全国发光学学术会议了,详情如表1所示。组织一次全国性的学…     

正向电压激发下CdS MIS发光二极管中的自由激子发光

在44~77K温度范围内.在正向电压激发下的Cds MIS二极管中,观测到了发射0、1或2个纵光学(O、1LO或2LO)声子的自由激子的辐射衰减.根据激子的动能分布,讨论了1LO和2LO声子协助的伴线的形状和温度依赖.这里激子的有效温度等于晶格温度.     

横山明聪优秀研究生奖学金20周年纪念会纪要

由中科院长春光学精密机械与物理研究所、发光学及应用国家重点实验室和中国物理学会发光分会联合主办的横山明聪优秀研究生奖学金20周年纪念会于7月5日在长春光机所召开。东北师范大学刘益春校长、吉林师范大学杨景海副校长、天津理工大学材料物理研究所李岚所长等人应邀参加了大会。纪念会由发光学会秘书长、重点实验室副主任赵东旭研究员主持,会议程序如下:首先,由长春光机     

低压-MOCVD方法制备CdS-ZnS应变多量子阱

本文报道了用低压(LP)-MOCVD方法制备CdS-ZnS应变多量子阱结构.通过X-射线衍射谱证实了所制备的样品具有比较好的多层结构,并通过77K下的光致发光(PL)光谱,观测到了大的垒层对电子的限制效应及由大的应变引起的阱层带边变化所导致的发光峰蓝移.     

低温下ZnSe－ZnS多量子阱的光致发光光谱和喇曼散射谱

本文报导了２Ｋ下，在ＧａＡｓ（１００）衬底上用ＭＯＣＶＤ方法生长的ＺｎＳｅ－ＺｎＳ多量子阱材料的光致发光光谱和喇曼散射谱．用共振激发、共振喇曼和共振瑞利散射等方法对各发光谱带和喇曼散射峰的来源和机制进行了鉴别．     

ZnSe－CdZnSe多量子阱F－P腔光双稳器件的室温皮秒反射式激子光双稳

ＺｎＳｅ－ＣｄＺｎＳｅ多量子阱Ｆ－Ｐ腔光双稳器件的室温皮秒反射式激子光双稳栗红玉，申德振，张吉英，范希武，杨宝均（中国科学院激发态物理开放研究实验室，长春１３００２１）（中国科学院长春物理研究所，长春１３００２１）近年来，半导体超晶格的光双稳器件由于...     

ZnSe-ZnS应变超晶格的光致发光

本文讨论了使用常压金属氧化物化学汽相沉积(MOCVD)技术生长的ZnSe-ZnS应变超晶格的发光特性。ZnSe-ZnS应变超晶格的发射光谱,在高密度激发下通常仅存在一个发射峰;在低密度激发下除带边发射之外,还存在深中心的发射;与低密度激发相比,高激发下发光峰值红移且其半高宽展宽,高质量的ZnSe-ZnS应变超晶格在低激发下,带边发光很强,而深中心发射能被大大抑制,我们观测到一个新的激子发射峰,考虑应变效应与量子限制效应,本文将这一新的发射峰归结为与n=1的轻空穴激子有关的复合发光。 关键词：     

电流激发下ZnSxSe1-xMIS二极管中的自由激子发光

在77K下,研究了ZnSxSe1-xMIS二极管在正向直流激发下的激子发光行为.首次在直流电流密度(20-35mA/mm2)下,在高质量ZnSe(x=0)和ZnSxSe1-x(x=0.22)MIS二极管中观测到两个新发射带,对于ZnSe单晶,谱带峰值分别为447.9nm和450.0nm,对于ZnS0.22Se0.78单晶,谱带峰值分别为426.3nm和428.7nm.这一现象在通常的ZnSxSe1-x晶体中观测不到,仅在高质量ZnSxSe1-x单晶中检测到.文中根据它们的发光特征,把两个谱带的起因归于不同的激子散射.