全文获取类型
收费全文 | 107篇 |
免费 | 42篇 |
国内免费 | 5篇 |
专业分类
化学 | 1篇 |
晶体学 | 4篇 |
物理学 | 149篇 |
出版年
2023年 | 2篇 |
2012年 | 1篇 |
2011年 | 1篇 |
2010年 | 2篇 |
2008年 | 6篇 |
2007年 | 1篇 |
2006年 | 10篇 |
2005年 | 7篇 |
2004年 | 10篇 |
2003年 | 13篇 |
2002年 | 6篇 |
2001年 | 3篇 |
2000年 | 11篇 |
1999年 | 2篇 |
1998年 | 4篇 |
1997年 | 11篇 |
1996年 | 6篇 |
1995年 | 5篇 |
1994年 | 7篇 |
1993年 | 1篇 |
1992年 | 2篇 |
1991年 | 4篇 |
1990年 | 6篇 |
1989年 | 6篇 |
1988年 | 3篇 |
1987年 | 3篇 |
1986年 | 4篇 |
1985年 | 4篇 |
1983年 | 1篇 |
1982年 | 3篇 |
1981年 | 2篇 |
1980年 | 1篇 |
1979年 | 1篇 |
1978年 | 1篇 |
1973年 | 3篇 |
1961年 | 1篇 |
排序方式: 共有154条查询结果,搜索用时 15 毫秒
101.
102.
103.
本文首先综述了在Ⅱ-Ⅵ族单晶材料中电致发光的激发和复合机理.然后介绍了在ZnS型粉末材料中交流和直流激发的电致发光机理. 相似文献
104.
本文报道了在双极性扩散系数较大情况下,用非相干光时间延迟四波混频测量失相时间和光栅衰减时间的理论,并对计算结果进行了讨论。 相似文献
105.
本文测量了经真空热处理的VPE ZnSxSe1-x(X=0.055,0.22)外延膜液氮温度下的光致发光(PL)光谱,观察到一个新的蓝色发光带,并把这一谱带归结为导带中自由电子与束缚在深受主中心上空穴的复合.实验表明,深受主中心是在真空热处理时形成,并与真空热处理时在外延层中产生的Zn空位有关. 相似文献
106.
107.
108.
本文首次报道了VPE ZnSxSe1-x外延膜在77K时起因于激子和激子(Ex-Ex)散射的自发辐射和受激辐射,研究了Ex-Ex散射发光的位置和强度与激发密度的关系,分析了受激辐射的光子能量比自发辐射稍低的原因. 相似文献
109.
利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在GaAs衬底上生长了不同组分的Zn1-xMnxSe薄膜。X射线衍射和X射线摇摆曲线证明样品具有较好的结晶质量。在低温、强磁场下对样品的发光进行了研究,在带边附近观察到两个发光峰的相对强度随着磁场增强发生了变化。通过变温光谱探讨了这两个发光峰的来源,并被分别归因于自由激子跃迁和与Mn有关的束缚态激子跃迁。同时随着磁场的增强,ZnMnSe带隙发光红移是由于类S带和类P带电子与Mn离子的3d5电子的自旋交换作用。 相似文献
110.
MgxZn1-xO单晶薄膜的结构和光学性质 总被引:1,自引:0,他引:1
用等离子辅助分子束外延(P-MBE)的方法,在蓝宝石c平面上外延生长了MgxZn1-xO合金薄膜。在0≤x≤0.2范围内薄膜保持着ZnO的纤锌矿结构不变。X射线双晶衍射谱的结果表明生长的样品是单晶薄膜。据布喇格衍射公式计算得到,随着Mg含量的增加,薄膜的品格常数C由0.5205nm减小到0.5185nm。室温光致发光谱出现很强的紫外近带发射(NBE)峰,没有观察到深能级(DL)发射,且随着Mg的掺入量的增加,紫外发射峰有明显的蓝移。透射光谱的结果表明,合金薄膜的吸收边随着Mg离子的掺入逐渐向高能侧移动,这与室温下光致发光的结果是相吻合的,并计算出随着x值增加,带隙宽度从3.338eV逐渐展宽到3.682eV。通过研究Mg0.12Zn0.88O样品的变温光谱,将紫外发射归结为束缚在施主能级上的束缚激子发射。并详细地研究了在整个温度变化过程中,束缚激子的两个不同的猝灭过程以及谱线的半峰全宽与温度变化的关系。 相似文献