全文获取类型
收费全文 | 108篇 |
免费 | 41篇 |
国内免费 | 5篇 |
专业分类
化学 | 1篇 |
晶体学 | 4篇 |
物理学 | 149篇 |
出版年
2023年 | 2篇 |
2012年 | 1篇 |
2011年 | 1篇 |
2010年 | 2篇 |
2008年 | 6篇 |
2007年 | 1篇 |
2006年 | 10篇 |
2005年 | 7篇 |
2004年 | 10篇 |
2003年 | 13篇 |
2002年 | 6篇 |
2001年 | 3篇 |
2000年 | 11篇 |
1999年 | 2篇 |
1998年 | 4篇 |
1997年 | 11篇 |
1996年 | 6篇 |
1995年 | 5篇 |
1994年 | 7篇 |
1993年 | 1篇 |
1992年 | 2篇 |
1991年 | 4篇 |
1990年 | 6篇 |
1989年 | 6篇 |
1988年 | 3篇 |
1987年 | 3篇 |
1986年 | 4篇 |
1985年 | 4篇 |
1983年 | 1篇 |
1982年 | 3篇 |
1981年 | 2篇 |
1980年 | 1篇 |
1979年 | 1篇 |
1978年 | 1篇 |
1973年 | 3篇 |
1961年 | 1篇 |
排序方式: 共有154条查询结果,搜索用时 125 毫秒
11.
ZnSe晶体中Cu杂质深能级的ODLTS谱 总被引:1,自引:1,他引:0
用控制Cu杂质在ZnSe品格中占据位置的方法,成功地得到了Cu-G和Cu-R中心分别占优势的ZnSe:Cu晶体.首次用ODLTS方法测得与Cu-R和Cu-G中心相应的受主能级分别位于价带顶上0.72eV和0.30eV. 相似文献
12.
13.
半导体量子阱及超晶格材料具有室温激子效应以及强的光学非线性从而得到人们广泛的重视。利用半导体量子阱和超晶格可以制备出高速度、低闭值、小尺寸及室温工作的半导体激光器、光双稳器件等一系列光电子器件. 相似文献
14.
白光发光二极管的制备技术及主要特性 总被引:19,自引:5,他引:14
利用发射波长为470nm的蓝光发光二极管作为基础光源,通过荧光粉转换方法制备白光发光二极管,荧光粉主要采用稀土激活的铝酸盐Y3Al5Ol2:Ce3 (YAG)。在工作电流为15mA条件下,所研制的白光LED的法向光强为2890mcd;色坐标为x=0.29,y=0.33;显色指数为77;流明效率为14.9lm/w。研究制备了不同色温的白光LED,色温范围从2700~8000K,研究了色温与色坐标之间的对应关系。并且与国外同类产品进行比较。部分指标已经超过了国外同类产品水平。 相似文献
15.
16.
中国物理学会发光分会(下文简称发光学会)是中国物理学会下属的分科学会,是中国共产党领导下的发光学科技工作者学术性群众团体。本文通过发光学会的创建、活动和影响来介绍徐叙瑢等老一代发光学家对发展我国发光事业的作用和地位。1发光学会的创建1976年,历时十年给中国人民带来深重灾难的“文化大革命”终于结束了,徐叙瑢等人重新回到发光学研究队伍,并走上了领导岗位。 相似文献
17.
今年 4月 2 3日是我国发光学的开创者和奠基人———徐叙院士 80寿辰。徐叙院士是我刊《发光学报》的创始人 ,历届主编 ,现名誉主编。本刊特转载此文 ,代表全国发光学界向徐叙院士 80华诞表示祝贺 相似文献
18.
19.
用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)的方法在GaAs(100)衬底上生长了(ZnCdTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱结构。测量了生长样品的光致发光(PL)谱,得到两个发光峰(记为Il,I2),分析认为高能侧的峰为Zn0.9Cd0.1Te浅阱峰,而低能侧的峰为ZnSe0.2Te0.8深阱层的发射。对样品进行了变激发强度的PL谱测量,当激发强度增加时,PL谱中两个发光峰的比值(I2/I1)开始时迅速增加,然后缓慢减小。这是由于浅阱中的电子和空穴隧穿入深阱中导致空间电荷的分离,从而在复合量子阱结构中产生了一个内建电场所引起的。 相似文献
20.