苯的XPS Shake-up谱的理论研究——对称和非对称的CNDO/S-CI计算

用不同方法对苯的XPS Shake-up谱进行了CNDO/S—CI计算,一种是用对称化(D_(6h))的基函数进行实芯隙(core—hole)离域模型的非等价核近似的计算,一种是在等价核近似下用实芯隙定域模型的约化对称(C_(2v))和非对称化进行计算。所有计算只考虑单电子激发的组态。在这些条件下,离域模型的结果要比定域模型的好。     

丙烷分子的价轨道(2b2)电子的动量分布测量

电子动量谱学（EMS）是在原子、分子和固体物理中研究电子结构的一种强有力的工具，它基于运动学条件完全确定的（e，2e）碰撞电离反应[1-3]．本文报告用高分辨电子动量谱仪首次测量得到丙烷门3H8）分子的价轨道电子（252）的动量分布·丙烷（C3Hs）价轨道电子的动量分布实验是     

M3Al2Si3O12（M=Ca,Cd）玻璃中Er^3＋离子的吸收和1534nm荧光光谱

本文报告了室温下M3Al2Si3O12:Er^3 (M=Ca,Cd）新硅酸盐玻璃从300－1650nm范围内的吸收光谱，在488nm、632．8nmLD激光泵浦下Er^3 离子发射很强的1534nm红外光及其荧光光谱性质。分析其荧光物理过程，指出Er63 掺杂的M3Al2Si3O12玻璃是1534nm激光和光纤放大器用的极好的候选材料。     

跨临界制冷循环中应用两相螺杆膨胀机的理论分析

本文在介绍利用环保、安全的CO2作为制冷剂的跨临界循环的基础上,分析了系统各部件的损失情况,并通过与常规工质对比,提出了采用汽液两相螺杆膨胀机取代系统中节流阀的方法。该方法可明显提高系统的COP,具有广阔的实际应用前景。文章结合CO2超临界流体的实际特点,对研制、开发CO2两相螺杆膨胀机提出了设计思想和建议。     

外激励作用下亚音速二维壁板分岔及响应研究

研究了亚音速流中二维壁板在外激励作用下的分岔和响应问题. 采用Galerkin方法将非线性运动控制方程离散为常微分方程组. 采用Runge-Kutta数值方法进行了数值计算,研究了壁板系统非单周期区在参数空间的分布情况. 结果表明: 在参数空间中, 非单周期区和单周期区会交替出现; 在不同的单周期区内, 系统运动轨线也在有规律的变化; 系统由单周期运动进入混沌运动是经过一系列周期倍化分岔产生的.      

String stability of infinite interconnected systems

ＩｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎＩｎｔｈｅｉｎｄｕｓｔｒｉａｌｐｒａｃｔｉｃｅ ,ｍａｎｙｃｏｎｔｒｏｌｐｒｏｂｌｅｍｏｆｓｙｓｔｅｍｓｃａｎｂｅｓｔｕｄｉｅｄｔｈｒｏｕｇｈｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔｅｄｓｙｓｔｅｍｓ.Ｅａｒｌｉｅｒｒｅｓｅａｒｃｈｏｎｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔｅｄｓｙｓｔｅｍｆｏｃｕｓｅｄｏｎｐｏｗｅｒｓｙｓｔｅｍ[1,2 ],ｃｏｎｔｒｏｌｏｆｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄｓｙｓｔｅｍｓ (ｅ .ｇ .,ｒｅｇｕｌａｔｉｏｎｏｆｓｅｉｓｍｉｃｃａｂｌｅｓ,ｖｉｂｒａｔｉｏｎｃｏｎｔｒｏｌｉｎｂｅａｍｓ,ｅｔｃ.) …     

Ca3MgSi2O8中Ce3+的光谱及其晶体学格位

本文合成了发射蓝紫色光的镁硅钙石Ｃａ３ＭｇＳｉ２Ｏ８：Ｃｅ＾３＋荧光体。测试了该荧光体的激发和发射光谱。利用这些光谱结果和Ｖａｍ Ｕｉｔｅｒｔ经验公式,结合对Ｃａ３ＭｇＳｉ２Ｏ８晶体的结构研究,确认Ｃａ３ＭｇＳｉ２Ｏ３：Ｃｅ＾３＋中存在两种性质有差异的Ｃｅ＾３＋发光中心,它们分别占据基质中的两种八配位的钙格位。     

CO_2跨临界循环高压侧压力控制的热力学分析

本文介绍了ＣＯ_２跨临界循环高压侧压力控制的基本原理;通过循环分析,阐述了不同压力运行条件对制冷量和制冷效率的影响。通过对所得结果的分析论证,提供并优化出一种简单、实用的压力控制调节方案,该方案对汽车空调、热泵系统更有实用意义。     

图形化Silicon-on-Insulator衬底上分子束外延生长可动GaN微光栅的研究

GaN材料作为第三代半导体材料,具有宽禁带、直接带隙、耐腐蚀等优点,是一种非常有前景的MOEMS材料。由于GaN的刻蚀目前尚未成熟,因此图形化外延生长法是一种较好的选择。本文基于SOI(silicon-on-insulator)基片,利用硅的微加工技术和图形化GaN分子束外延生长工艺,设计并加工了工作在太赫兹波段的、可以在二维方向上运动的SOI基GaN光栅。光栅周期为16μm,光栅宽度为6μm,峰值位置为25.901μm。通过仿真优化,设计的微驱动器在水平电压220V时,水平方向上的位移为±7.26μm;垂直方向加200V电压时,垂直位移2.5μm。为了研究在图形化SOI衬底上外延生长的InGaN/GaN量子阱薄膜的光学性能,用激光拉曼光谱仪对薄膜进行了光致发光光谱实验。实验结果表明,InGaN/GaN量子阱薄膜具有良好的发光性能,其发光范围为350~500nm,覆盖了紫外光到黄绿光。由于局域态效应与禁带收缩的作用,随着环境温度由10K升高至室温,薄膜的PL光谱的峰位呈现"S"形变化趋势。