Structural and optical investigation of nonpolar α-plane GaN grown by metalben organic chemical vapour deposition on r-plane sapphire by neutron irradiation

Nonpolar (1120) α-plane GaN films are grown by metal-organic chemical vapour deposition (MOCVD) on r-plane (1102) sapphire. The samples are irradiated with neutrons under a dose of 1 × 10¹⁵ cm^-2. The surface morphology, the crystal defects and the optical properties of the samples before and after irradiation are analysed using atomic force microscopy (AFM), high resolution X-ray diffraction (HRXRD) and photoluminescence (PL). The AFM result shows deteriorated sample surface after the irradiation. Careful fitting of the XRD rocking curve is carried out to obtain the Lorentzian weight fraction. Broadening due to Lorentzian type is more obvious in the as-grown sample compared with that of the irradiated sample, indicating that more point defects appear in the irradiated sample. The variations of line width and intensity of the PL band edge emission peak are consistent with the XRD results. The activation energy decreases from 82.5 meV to 29.9 meV after irradiation by neutron.     

细粒度可循证医药学文档知识融合表示和推理

知识图谱开放灵活、互操作性强,对于表达医学知识具有重要价值,但现有医学知识本体模型存在过于关注概念体系构建、深层次医学知识及关联缺失、无法循证和难以跨病种和学科等不足,为解决以上问题,提出了一种支持全文内容与结构细粒度知识和知识论证与循证关系表示的医药学融合知识表示模型及其推理机制,构建了一个面向高血压专病的医药知识图谱来验证这一方法。结果表明,该模型能全面、一致地表达医药学文献、文档中的细粒度知识,同时支持可循证查询和推理。     

垂直直立石墨烯纳米墙的制备及光热感应

基于等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术,通过调节实验参数,在绝缘衬底玻璃上成功制备出了三维垂直直立的石墨烯纳米墙(GNWs)材料.生长过程中发现石墨烯的质量和尺寸大小与相应的生长时间有关,利用拉曼(Raman)光谱、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)等仪器对石墨烯纳米墙作了表征.并且,利用石墨烯纳米墙超高的比表面积和优异的散热特性,发现垂直直立的石墨烯纳米片-玻璃杂化混合材料在光热感应上有着良好的响应,将有望促进垂直直立石墨烯纳米片-玻璃杂化的混合材料在透明的太阳热装置和绿色保暖建筑材料上的应用.     

基于太赫兹光谱的平面应力测量方法

本文提出了一种基于太赫兹光谱技术的平面应力状态测量方法。该方法在传统的太赫兹时域光谱系统中引入起偏镜和检偏镜,实现了对太赫兹脉冲偏振态的调控。针对该实验系统,建立了试件所受应力与穿透试件的太赫兹波相位延迟之间的定量关系,并提出了根据实验所测太赫兹波相位延迟计算平面应力状态三个应力参量的数据处理方法。将该方法得到的实验结果和应变仪测量的结果作对比,发现两种方法有很好的一致性,证明此实验方法合理可靠。     

以巯基乙酸为稳定剂的水溶性CdTe量子点的水热合成及表征

以巯基乙酸为稳定剂,采用水热合成方法在140℃下合成水溶性CdTe量子点.研究了不同的反应时间、反应温度、反应前驱体pH值、前驱体的配比、前驱体的浓度对CdTe量子点光学性质的影响.采用TEM、XRD、紫外-可见吸收光谱和荧光光谱等技术对所制得产品进行表征.结果表明:当反应前驱体n(Cd2+∶TGA∶ HTe-)=1.0∶2.0∶0.1,C(Cd2+) =2.63×10-3mol/L,反应温度为140℃,pH值为12.0条件下,所制的CdTe量子点的荧光漆发射波长在512 ～559 nm范围内连续可调,量子产率较高(44.9;),半峰宽较窄达(FWHM=50 nm、EM=547.0 nm).与回流方法制备的水溶性CdTe量子点相比,利用水热反应釜的合成方法简单,CdTe量子点生长速度快,70 min就可生长到2.5 nm,粒径较均匀,荧光强度强,能够为免疫层析试纸条的组装提供性能较好的荧光标记物.     

例谈结合教材栏目指导学生开展化学课外探究活动的策略

开展化学课外探究活动与日常的化学教学是相辅相成的.分析了初中化学教师在指导学生开展化学课外探究活动时存在的困惑,以案例的形式介绍了在教学实践中,结合初中化学教材中的"实验"、"习题"、"活动与探究"、"调查与研究"、"家庭小实验"和"讨论"等栏目指导学生开展化学课外探究活动的6个策略.     

α-环糊精主客体识别超分子水凝胶的制备及其宏观流变性能构建过程研究

采用7 wt%的α-环糊精(α-CD)溶液和5 wt%的甲氧基聚乙二醇甲基丙烯酸酯均聚物(PMPEGA-2000)溶液制备了α-CD/PMPEGA-2000超分子水凝胶,并对其形貌、结构、形成条件和宏观流变学性能构建过程进行了表征和研究。结果表明,体积比不低于1.5:1是两种溶液混合后形成凝胶的必要条件;当体积比为2:1时,形成的凝胶黏度最大。热重分析、X射线粉末衍射分析和扫描电镜结果表明,该凝胶是基于α-CD与PMPEGA-2000之间的主客体识别所形成,具有三维网络结构。光学微流变分析结果显示,该凝胶宏观流变性能的构建过程实则是凝胶内部主客体识别交联点不断增多,网络结构强度不断增强的过程。该过程始于α-CD溶液与PMPEGA-2000溶液混合后的8′36′′,在64′00′′后基本完成,耗时约55′24′′。     

胍盐离子液体捕获CO2温室气体的机理

通过量子力学与分子动力学对胍盐离子液体的模拟表明,胍阳离子与氯负离子之间存在较强的相互作用,其相互作用能约为-109．216kcal／m01．从能量与几何分布可见,两种空间分布方式中最稳定构象为Middle作用模式．径向分布函数也验证了这一结论．C02含量的不断增加并没有对离子液体的结构产生影响,而是被离子液体的空腔捕获．     

基于实时日志的故障恢复策略

为了在系统故障时保证嵌入式实时数据库系统中数据的时间一致性、恢复时间的可预测性及减少恢复时间,提出了一种基于实时日志的故障恢复策略.该策略根据数据的不同特征将其划分成不同类别,对每类数据采用不同的日志记录策略以提高系统性能;使用非易失性存储器作为稳定存储器存储关键数据及其日志以获得更快的存取时间及存取时间的可预测性.性能测试结果表明,所提出的恢复策略在降低事务超截止期比例和减少故障恢复时间等方面具有较好的性能.     

Supply voltage scaled dependency of the recovery of single event upset in advanced complementary metal-oxide-semiconductor static random-access memory cells

Using the technology computer-aided design three-dimensional simulation, the supply voltage scaled dependency of the recovery of single event upset and charge collection in static random-access memory cells are investigated. It reveals that the recovery linear energy transfer threshold decreases with the supply voltage reducing, which is quite attractive to the dynamic voltage scaling and subthreshold circuits radiation-hardened design. Additionally, the effect of supply voltage on charge collection is also investigated. It is concluded that the supply voltage mainly affects the bipolar gain of parasitical bipolar junction transistor (BJT) and the existence of the source plays an important role in the supply voltage variation.