CeF3闪烁探测器对DD中子的相对灵敏度

 用国内近年新研制的CeF₃闪烁体和常用闪烁体ST401分别配特性相同的光电倍增管，构成两种闪烁体探测器，在强度不随时间变化的DD中子源场中测量了这两种闪烁探测器的相对灵敏度，测量结果表明：CeF₃闪烁探测器对DD中子的灵敏度比同尺寸ST401的灵敏度低一个量级以上。     

大面积闪烁体探测器的中子探测效率刻度

介绍了一种利用同位素中子源(²⁴¹Am⁹Be)通过γn符合的中子飞行时间法对大面积探测器的中子探测效率进行刻度的方法,并用蒙特卡罗方法对该探测器的探测效率进行了模拟.实验与模拟结果基本一致.     

一种对中子相对不灵敏的大动态脉冲γ辐射探测器

使用CeF₃闪烁体配以CHT3,CHT5型大线性电流光电倍增管,组合成光电探测器.实验测量表明:CeF₃光电探测器对⁶⁰Coγ灵敏度约为常规塑料闪烁体ST401探测器的0.5—0.6倍,而对于脉冲DT中子,CeF₃探测器灵敏度相对于同尺寸闪烁体ST401探测器的灵敏度低约1个量级,探测器线性电流大于1.5A,暗流小于10nA,是一种对中子相对不灵敏的大动态脉冲γ辐射探测器.     

脉冲DT中子场中的CeF3、ST401 闪烁探测器输出比对

本工作对国内近年新研制的CeF3用于γ测量时的抗中子干扰能力进行研究,在脉冲DT中子源场中对分别由CeF3和ST401构成的闪烁探测器输出进行比较测量.在相同测点中子注量率情况下的测量结果表明:ST401探测器的输出电荷比同体积的CeF3高10多倍;ST401探测器的电流输出峰值幅度比同体积的CeF3高30多倍.由此可得到CeF3对中子相对不灵敏,在n、γ混合辐射场中测量快γ辐射时,该无机晶体将是一种较合适的候选闪烁体.     

6He中t+t结构的实验研究

在25MeV/u ⁶He轰击⁹Be靶的反应中,用探测器望远镜测得氚碎片,得到了5个角度的能谱,经过仔细的分析取得了高能直接破碎成分的角分布.利用Serber模型进行了破碎反应的理论计算,证实了实验中高能成分的t来自于⁶He的直接破碎反应.利用Fermi破碎模型计算了⁶He中各破碎反应道基于相空间的百分比产额,进而估算出⁶He初态中t+t结构的概率约占1/3, 而⁴He核心加价中子的组态约占2/3.     

晕核6He(25 MeV/u)在9Be上的弹性散射研究

分析了北京大学核物理实验小组在日本RIKEN实验室完成的25 MeV/u 6He和9Be的弹性散射实验数据，得到了弹性散射微分截面角分布. 利用双折叠模型，并通过拟合弹性散射微分截面得到了此弹靶体系在此能量下的弹性散射光学势. We analyzed the 6He elastic scattering from 9Be target at 25 MeV/u. A Center of Beam (CB) method was used to calibrate the particle tracking detectors and set the reference system of the detection system. The double folding model approach was used to calculate the real part of the optical model potential. The preliminary optical model potential parameters were extracted by fitting the experimental differential elastic scattering cross sections.     

双层丝阵Z箍缩电流分配实验研究

负载内外层电流分配是决定双层丝阵Z箍缩内爆动力学模式的关键因素. 在"强光一号"装置上, 利用微型磁探针系统定量测量了双层钨丝阵三个重要径向位置点的电流, 获得了其在驱动电流开始上升至驱动电流达到峰值之前20ns这一阶段内的时间演化行为. 实验使用的双层钨丝阵负载高度为20mm、单丝直径为3.8μm、内/外层丝阵直径分别为8mm/16mm. 对比了内/外层丝根数分别为42/21和21/42时电流分配的差异. 结果表明: 驱动电流上升过程中, 内外层丝阵的电流均逐步增大, 外层丝阵电流份额逐渐减小, 而内层丝阵电流份额逐渐增大; 内层丝阵最大电流份额未超过50%; 内/外层丝根数为21/42的负载外层电流较大. 关键词： Z箍缩 双层丝阵 电流分配     

平响应塑料闪烁体设计北大核心CSCD

通过采用北京同步辐射源标定了无镀膜闪烁体EJ232的能量响应曲线。该批次无镀膜闪烁体对于能量低于300eV的X射线的线性响应差。根据实验结果,进行了镀膜模拟设计,并通过真空磁控溅射法进行了闪烁体镀膜加工工艺。设计加工后的镀膜闪烁体经过实验标定后,其结果指标满足设计要求。该镀膜闪烁体对于能量低于1keV的X射线的平响应特性好,线性度高于99%。该闪烁体对普朗克谱的模拟输出结果表明,其输出谱与输入谱之间形变小,因此该镀膜闪烁体在Z-pinch实验中能有较好的适用性。     

Beta Decay of Neutron—Rich Nucleus ^208Hg

The β- decaying γ scheme of the neutron-rich nuclide 208Hg has been determined for the first time.The 208 Hg was produced in multi-nucleon transfer reaction taking place in the bombardment of 18O-beam on natural lead target,and the Hg-element products were sepaated with a gas-thermochromatography technique.The γ-ray single and γ-γ coincident spectra were measured.A partial 208 Hg γ scheme was proposed.Twenty-six γ rays were assigned to follow the β- decay of 208Hg.At the same time,a new level structure of the daughter nucleus 208 T1 was constructed,in which three new levels at 1.725MeV.1.652MeV,and 1.362MeV were affirmed.The experimental 208Tl level structure was compared with a shell-model calculation.     

Z箍缩动态黑腔冲击波辐射图像诊断

在“聚龙一号”装置上开展了单层钨丝阵加载重泡沫的动态黑腔实验, 初步研究了Z 箍缩动态黑腔中冲击波传播和黑腔形成的物理过程. 获得了冲击波辐射环的演化图像, 分析了丝阵等离子体与泡沫的作用过程及动态黑腔内的辐射特性. 测得冲击波的向心传播速度为(14.2±1.7) cm/μs, 冲击波平均宽度为0.8-0.9 mm. 冲击波辐射环的发光强度沿角向分布的标准偏差约为±10%, 中心黑腔区的标准偏差约为±4.2%.