Analysis of the resistive switching behaviors of vanadium oxide thin film

We demonstrate the polarization of resistive switching for a Cu/VOx/Cu memory cell.The switching behaviors of Cu/VOx/Cu cell are tested by using a semiconductor device analyzer(Agilent B1500A),and the relative micro-analysis of I-V characteristics of VOx/Cu is characterized by using a conductive atomic force microscope(CAFM).The I-V test results indicate that both the forming and the reversible resistive switching between low resistance state(LRS) and high resistance state(HRS) can be observed under either positive or negative sweep.The CAFM images for LRS and HRS directly exhibit evidence for the formation and rupture of filaments based on positive or negative voltage.The Cu/VOx/Cu sandwiched structure exhibits reversible resistive switching behavior and shows potential applications in the next generation of nonvolatile memory.     

扫描近场光学显微镜及其在单分子探测中的应用

扫描近场光学显微镜在光学显微镜中具有独特的性能,其突破衍射光限制,具有单分子探测灵敏度,且在研究时不损伤生物样品。文中简要介绍了扫描近场光学显微镜的原理,详述近年来扫描近场光学显微镜在单分子探测中的应用,介绍了扫描近场光学显微镜结合量子点对单分子探测的进展,并对单分子探测的前景做了展望。     

近红外上转换纳米转换器在光遗传学调控中的应用

光遗传学作为一种新兴的生物技术,能够在时间和空间上精准调控生理功能。尤其是在基于视紫红质离子通道蛋白来操控神经兴奋性及钙信号通路激活等方面,近年来该技术吸引了广泛的关注。然而,目前该技术所使用的光遗传学工具只能被可见光激发,难以穿透深层组织并实现无创地光学调控。为了解决这个问题,最近一些研究通过使用稀土掺杂上转换纳米粒子作为光转换器,将组织可穿透的近红外光转化为可见光发射,从而使复杂活体条件下的光遗传学调控成为可能。我们对近年来上转换纳米粒子介导的光遗传学技术的开发和应用进展做了详细的总结。另外,关于未来如何进一步推进该技术可用于临床研究提出了建议和展望。     

光敏氧化还原反应 VI: 卟啉光敏还原甲基紫精的溶剂效应

本文报道水溶性卟啉在DMSO-H2O混合体系中光敏还原甲基紫精的最新结果. 本研究包括三个敏化剂: ZnTPRS、二羟基锡(IV)meso-四(p-磺酸苯基)卟啉(Sn TPPS)和ZnTMPyP. 在0,20,40,60和80%DMSO水溶液中比较了敏化剂光敏还原甲基紫精的能力, 观察到量子产率随DMSO的比例而增长.     

基于小孔光阑的CCD过饱和像差分析方法

如何比较全面、准确地观测和分析光学系统的几何像差一直是光学以及光学设计领域中的一个重大问题.本文提出了一种观测和分析光学系统像差的新方法——基于小孔光阑的CCD过饱和分析方法,以激光为照明光源采用开放式的光路搭建,利用定标孔阑划分波带并结合CCD过饱和的分析手段.该方法具有原理易懂、操作简单、图样信息丰富、现象明显直观、成本低廉等优点,不仅为分析和观测光学系统的几何像差提供方便,同时也为光学系统的相关研究提供借鉴.     

以1,4-二硝基苯甲酸及邻菲咯啉为配位的镧系金属配位聚合物的合成、结构及性质研究

以1,4-二硝基苯甲酸(HL)和1,10-邻菲咯啉(phen)为配体,通过水热法与镧系金属盐合成了7个一维链状配位聚合物,其分子式为[Ce2L6(phen)2]n(1)和[LnL3phen]n(Ln=Sm,2;Eu,3;Gd,4;Tb,5;Dy,6;Er,7)。由X-射线单晶衍射测定了化合物晶体结构,通过磁性以及荧光测试表征了部分化合物的磁性和荧光性质。     

基于5-羟基-2-吡啶羧酸的五个过渡金属配合物的合成、结构及荧光性质

以5-羟基-2-吡啶羧酸为配体,通过水热法与过渡金属盐合成了5个配合物,其分子式分别为[M(HL)₂(H₂O)₂](M=Zn,1;Mn,2;Co,3;Ni,4),[Cu(HL)₂](5)。由元素分析,红外光谱,X-射线单晶衍射对化合物1~5的结构进行了表征。化合物1~5为单核结构的配合物,它们均通过氢键形成了三维超分子结构。测试了配合物1的光致发光及1~5的热稳定性。研究发现,配合物1发光归因于配体内的跃迁。     

氧化钒薄膜的微结构及阻变特性研究

采用射频反应溅射法于室温下在Cu/Ti/SiO₂/Si基底上制备了氧化钒薄膜. X-射线衍射、X射线光电子能谱分析仪及原子力显微镜结果表明, 室温下制备的氧化钒薄膜除微弱的V₂O₅ (101)和V₂O₃ (110)峰外, 没有明显的结晶取向, 是VO₂, V₂O₅, V₂O₃及VO的混合相薄膜, 且薄膜表面颗粒大小均匀, 表面均方根粗糙度约为1 nm. 采用半导体参数分析仪对薄膜的电开关特性进行测试. 结果表明薄膜具有较低的开关电压(V_Set<1 V, V_Reset<-0.5 V), 并且具有稳定的可逆开关特性. 薄膜从低阻态转变为高阻态的电流(I_Reset)随限流的增大而增大.通过高低阻态时I-V对数曲线的拟合(高阻态斜率>1, 低阻态斜率=1), 认为Cu离子在薄膜中扩散形成的导电细丝是该体系发生电阻转变的主要机制. 关键词： 氧化钒薄膜 电阻开关 电阻式非挥发存储器 导电细丝     

钨氧化物纳米结构的合成与表征

采用溶剂热法以WCl₆作为前体合成出了一维和二维的钨氧化物纳米结构,研究了反应溶剂和前体浓度对钨氧化物物相和形貌的影响并评价了各种钨氧化物纳米结构对NO₂气体的敏感性能。XRD、SEM、TEM和XPS的表征结果表明,通过改变溶剂和调整WCl₆浓度,可分别获得单斜的W₁₈O₄₉纳米棒、W₁₈O₄₉纳米线和WO₃纳米片结构。气敏性能测试结果表明,钨氧化物纳米结构对NO₂气体表现出良好的可逆性,与W₁₈O₄₉纳米棒和WO₃纳米片相比,W₁₈O₄₉纳米线对NO₂具有更高的灵敏度。     

介孔硅与大孔硅的结构、电学和气敏特性

采用双槽电化学腐蚀法在P型单晶硅表面制备两种多孔硅.根据它们的孔径将它们分为介孔硅和大孔硅.使用扫描电子显微镜(SEM)观察两种多孔硅表面和断面形貌,介孔硅和大孔硅的表面化学键用傅里叶变换红外(FTIR)光谱仪来研究,通过I-V特性测试表征两种多孔硅电学特性,随后在室温下测试其气敏特性.结果表明:介孔硅具有较高的气体灵敏度,大孔硅具有较好的气体响应恢复特性.介孔硅对NO2气体具有较好的选择性,大孔硅对NH3气体具有较好的选择性.