石墨炉原子吸收光谱法测定麦麸颗粒中镉

为消除石墨炉原子吸收光谱法测定麦麸中镉时基体产生的背景干扰,在消解液中加入镉标准溶液配制基体匹配工作曲线进行测定,对灰化温度、原子化温度及基体改进剂等条件进行优化,确定最佳分析方法。结果表明：在选定条件下镉在0.0~3.0 μg/L范围内工作曲线相关系数为0.9991,检出限为0.027 μg/L,定量限为0.091 μg/L,加标回收率为89.50%~104.12%,精密度为1.64%~4.30%,质控物质测定结果准确。该方法操作简便,快速准确,精密度良好,适用于麦麸中镉元素的测定。     

半导体热电效应演示实验优化

对半导体热电效应演示实验装置进行优化改进,使用大屏数字温度计显示Peltier效应的温度变化,通过声、光、电多种形式展示Seebeck效应的温差发电效果,优化后热电效应演示实验装置实验演示效果显著增强。     

热电材料室温下塞贝克系数测试装置的研制

提出一种测试热电材料室温下塞贝克系数的有效方法并搭建了其测试装置。该测试装置通过电路控制获得标准温差实现塞贝克系数的精确测量,其特点是利用电路控温取代传统的恒温循环水和温度测试仪表控温系统,结构简单、操作方便、成本低廉。     

原子质量对一维三原子链色散关系的影响

本文采用数值分析方法研究原胞中原子质量对一维三原子链色散关系的影响,建立了频谱宽度和频率禁带宽度随原子质量变化的基本规律.结果表明,在原胞内只有一个原子质量发生变化的情况下,声学波频谱宽度随任一原子质量的增加而减小,光学波的频谱宽度随小原子质量的增加而增大,随大原子质量的增加而减小;两个频率禁带均随小原子质量的增加而变...     

N型赝三元热压热电材料的微观结构和电学性能

通过熔炼/研磨技术和热压方法制备N型赝三元热压块体材料.通过SEM和XRD研究了由不同粒度粉末制备的热压块体材料的微观结构,在室温条件下测量了热压材料样品的电学性能.结果表明热压块体材料在微观结构和电学性能上存在各向异性,从而预示能够在增强材料机械强度的同时提高其热电性能.     

热电效应演示实验

本研制了用于物理教学演示半导体热电效应的热电转换实验仪,该仪器既可直观地演示半导体的热电效应,同时列展示出半导体制冷的诸多优点。     

质子辐射损伤对单结GaAs/Ge太阳电池暗特性参数的影响

基于p-n结暗特性双指数模型,对经质子辐射后的单结GaAs/Ge太阳电池的暗特性I-V曲线进行数值拟合,确定了单结GaAs/Ge太阳电池在辐射前后的四个暗特性特征参数,即串联电阻R_s、并联电阻R_(sh)、扩散电流I_(s1)和复合电流I_(s2).研究结果表明,质子辐射后单结GaAs/Ge太阳电池的R_s,R_(sh),I_(s1)和I_(s2)四个暗特性参数均发生显著变化.经低能质子辐射后,单结GaAs/Ge太阳电池的R_(sh)随位移损伤剂量的增加而减小,而R_s,I_(s1)和I_(s2)三个参数随位移损伤剂量的增加而增大,其中串联电阻随位移损伤剂量线性增加而与辐射质子能量无关.理论分析表明,上述参数的变化与质子辐射损伤区域分布有关.基区和发射区的损伤主要引起单结电池串联电阻和扩散电流的增加;结区的损伤导致并联电阻减小,复合电流增大.     

晶体X射线衍射模型和布拉格方程的一般推导

在多光束晶面反射模型的基础上采用单光束晶面反射模型推导了晶体X射线衍射的布拉格方程,并给出更具普遍意义下布拉格方程的推导过程.