以高性价比颗粒硅带为衬底多晶硅薄膜的二次引铝低温制备法

本文报道了在廉价的颗粒硅带上用PECVD法并两次引入铝的工艺制备多晶硅薄膜.第一次引入铝是为了去除薄膜上过多的杂质;第二次引入铝是为了实现低温诱导结晶.通过对薄膜样品的拉曼谱和X射线衍射(XRD)谱分析,我们认为金属低温诱导结晶成功与否跟诱导前薄膜的结构密切相关.采用该工艺成功地制备了结晶度92;左右、可应用于太阳能电池的高纯优质多晶硅薄膜.     

激光触发能量对横向结构4H-SiC光导开关导通电阻的影响

采用钒掺杂半绝缘4H-SiC衬底,利用磁控溅射在硅衬底上制备了Ni/Au金属电极,并封装加工成同面型横向电极结构SiC光导开关,研究了不同激光触发能量对光导开关光电响应及导通电阻的影响。用波长532 nm的激光作为触发源,当激光触发能量从26.7 mJ增加到43.9 mJ时,光导开关的导通电阻从295 降低到197 。利用复合理论推导出激光触发时导带中载流子浓度随时间的变化规律,并利用MATLAB模拟计算了不同触发能量下开关的导通电阻,得到了与实验较一致的结果。在此基础上,提出了降低开关导通电阻的两种途径。     

退火处理对YMnO3薄膜的结构和荧光性能的影响

室温下,采用脉冲激光沉积方法在Si(100)衬底上制备了YMnO3薄膜,并对其进行了不同温度的退火处理。采用X射线衍射和荧光光谱分析方法对薄膜的结构和荧光特性进行了研究。结果表明:通过退火处理,可以得到正交相和六方相共存的多晶态YMnO3薄膜,并且随着退火温度的升高,两相的比例发生变化,由正交相为主转变为六方相为主。YMnO3薄膜样品的荧光发射峰集中在波长430～620nm范围内,可能是由Mn3 离子从5T2到5E之间的能级跃迁所引起的。其荧光强度随着退火温度的升高逐渐增强,但峰位基本保持不变,说明薄膜结构的改变对Mn3 离子的能级跃迁几率有明显的影响,对能级位置的影响不大;而且荧光光谱还显示在同一薄膜中各个荧光峰的相对强度随着退火温度的变化不大。     

氧、氮掺杂硅基薄膜的荧光光谱

采用磁控溅射法制备了氧、氮掺杂的非晶硅膜 ,测量了薄膜的荧光光谱 ,获得了包括红光、绿光、蓝光及紫光和紫外的强荧光发射 ,其荧光特性受氮、氧含量及沉积时基片温度的影响。结果表明 :红光包括起源于量子限制效应的宽带及氧缺陷能级引起的分立峰 ;绿光依赖于氮的掺杂 ,起源于氮的缺陷能级跃迁 ,其峰型和峰位受基片沉积温度的影响 ;蓝光部分表现为多个分立峰的叠加 ,起源于复杂的氧缺陷能级 ;紫光部分包括一对双峰和多个宽发射带 ,发射带的强度受掺杂种类、掺杂浓度及沉积时基片温度的影响。当基片温度为750℃、中等氧氮掺杂时 ,可获得强的绿光和紫光发射。     

CP130-Ⅱ型弱光检测系统光谱灵敏度的分析研究

由光栅单色仪、光电倍增管组成的 CP1 30 - 型弱光检测系统的光谱灵敏度受其子系统的光谱灵敏度的制约。分析测试结果表明 :对该系统光谱灵敏度影响较大的主要是光电倍增管 ,同型号不同系统的光谱灵敏度存在显著差异。作定量光谱测量必须作相应的修正。     

溅射功率对Fe-Si-B-Nb-Cu薄膜微结构与磁性的影响

通过射频磁控溅射法制备了Fe_Si_B_Nb_Cu薄膜，采用x射线衍射与Mssb auer谱相结合分析了薄膜的微结构形态，研究了不同溅射功率对薄膜微结构的影响.其结果 表明：在较低溅射功率密度下，薄膜为无定型结构；随着溅射功率密度升高，沉积薄膜无需 热处理，便呈现出晶态和非晶态的混合相结构，晶态为纳米级的α_Fe(Si)和α_Fe(B)固溶 体；α_Fe(Si)相和α_Fe(B)相的体积分数、微结构组态、磁矩取向及宏观磁性能均随着溅 射功率的变化而变化. 关键词： 溅射功率 Fe_Si_B_Nb_Cu合金 薄膜微结构 磁矩取向