光化学反应中的磁场效应——吸附在硅胶表面上的芳砜的光解

本文研究了吸附在硅胶表面上的芳砜的光化学,发现硅胶表面限制光解产生的自由基的移动,外加约150高斯的磁场显著地改变产物的分配比例,对这种磁场效应的机理进行了讨论。     

疏水作用对光化学和光物理过程的影响II: 不良溶剂中长链水杨酸烷基酯的簇集和荧光光谱的变化

本文报道证明长链分子在不良溶剂中发生簇集的实验事实.长链水杨酸烷基酯在二甲基亚砜-水(DMSO-H2O)和乙二醇-水(EG-H2O)混合溶剂中的荧光光谱分布以及荧光量子产率与短链水杨酸烷基酯的显著不同,这些差别可以用长链分子发生簇集来加以解释.     

1,3-二β-萘甲酰基杯[4]芳烃的荧光光谱与光二聚反应

本文合成了含荧光发色团的杯芳烃衍生物1,3-二β-萘甲基杯[4]芳烃1,研究了它在极性溶剂及非极性溶剂中的光物理与光化学行为,并通过萘发色团荧光及光二聚反应研究了杯[4]芳烃衍生物的构象。     

一类新型氮杂芳香季铵盐:雌甾咪唑鎓盐的设计合成

近年来, 氮杂芳香季铵盐在农药, 特别是在主客体相互作用、人工酶和受体、自组装及纳米级装置、医药、生化反应、膜、电极、分子开关、荷电转移复合物、电致及光致变色材料、电导体及半导体等方面的潜在应用引起了人们极大关注^[1～5]. 咪唑 盐的设计合成、主客体研究以及超分子催化近年已开展了一些工作^[6～10]. 本文报道一类新型氮杂芳香季铵盐——雌甾咪唑盐 4_a、4_b的设计合成。     

PHOTOCHEMISTRY OF ARYLMETHYL ESTERS ADSORBED ON ZSM-5 ZEOLITE──SIZE/SHAPE SELECTIVITY

本文研究了对甲基苯乙酸苄基酯(BCO₂A)及苯乙酸1-萘基酯(ACO₂N)在ZSM-5沸石中的光化学反应。研究发现,光解BCO₂A在ZSM-5沸石中主要生成BA,而光解ACO₂N只生成AA及NN.两种酯的产物分布和在乙腈溶液中的光解完全不同。这些结果是由ZSM-5沸石孔腔对底物分子的尺寸及形状具有选择性而引起的。     

SELECTIVE PHOTOOXIDATION OF trans,trans-1, 4-DIPHENYL-1, 3-DIBUTADIENE IN ZEOLITE ZSM-5

本文研究了反式,反式-1,4-二苯基-1,3-丁二烯(DPB)在沸石NaZSM-5中的光敏氧化反应。在溶液中9,10-二氰基蒽(DCA)敏化光氧化反应有两种机制:单重态氧机制和电子转移产生超氧负离子机制。我们把DPB吸附在沸石ZSM-5孔道中,DCA溶解于沸石外部溶剂季戊四醇三甲醚中,溶剂和敏化剂都不能进入沸石孔道。光照反应后,在沸石孔道中只得到DPB的单重态氧的反应产物,没有电子转移的产物产生。反应产物产率为100%。大大提高了反应的选择性。     

芳砜在微环境中的光化学反应

本文研究了十二烷基磺酸钠-正戊醇-水三组分体系相图, 并用小角度X衍射仪确定了相图中液晶区域为层状。在不同微环境(W/O型微乳液、液晶、O/W型微乳液)中, 研究了对甲基苄基苄基砜(ASO2B)的光化学反应影响。结果发现微环境对反应产物分布(笼效应)有很大影响。外加磁场明显降低笼效应。证实了芳砜的光化学反应经历自由基中间体, 并且反应的激发态为三重态。     

利用Nafion薄膜-水溶液界面提高铂络合物和紫精间的光致电荷分离态的寿命

研究了铂络合物PtL₁ L₂²⁺(L₁=4 甲氧基苯基 6 苯基 2,2’ 联吡啶,L2 =吡啶)和磺酸丙基紫精(PVS⁰)在Nafion膜中进行的光致电子转移和电荷分离.Nafion膜被水溶胀后形成类似反胶束的结构,其空腔表面带有负电荷.将带有正电荷的电子给体PtL₁ L₂²⁺吸附到膜中,电中性的受体PVS⁰ 溶于水中,采用带有正电荷的N,N’ 四亚甲基 2,2’ 联吡啶(DQ²⁺)作为电荷载体,并且也被吸附到膜内.激发PtL₁ L₂²⁺导致与DQ²⁺发生电子转移,生成的DQ^+· 迁移到Nafion膜 水溶液界面并将电子传给受体PVS⁰,生成的PVS^+·被Nafion膜表面负电荷排斥从而阻止电荷回传.电子转移产物PtL₁ L₂³⁺位于膜中,PVS^+·位于溶液中,两者隔离,电荷分离状态的寿命可长达几天.     

渣油加氢裂化反应特性及反应机理初探

在１００ｍｌ高压釜反应器内,用ＩＣＲ１３０Ｈ催化剂,于氢初压８．５ＭＰａ、搅拌转速８５０ｒ／ｍｉｎ,反应温度３９０－４２０℃和不同的反应时间下,进行了孤岛渣油（ＧＤＶＲ）的加氢裂化反应实验。     

P替代对ZrV2O7介电与电导性能的影响

采用固相烧结法制备ZrV2-xPxO7系列材料,研究了P替代对ZrV2O7介电和电导性能的影响.研究发现,ZrV2-xPxO7系列材料的高频介电常数随着P含量的增加而降低;材料的离子弛豫极化和晶界极化速率随P含量的增加先变大后变小,其介电弛豫时间随P含量的增加先增大再减小,其中ZrV1.6P0.4O7具有最大的介电弛豫时间,为5.63 ×1O-4s.由于P和V离子半径和电负性的差异,P的加入会导致晶格畸变和散射几率变化.室温下,ZrV2-xPxO7系列材料的电导率对P的含量非常敏感,ZrV1.6P0.4O7具有最大电导率,为5.83 ×10-5 S·cm-1.对ZrV1.6P0.4O7进行变温特性测试发现,其活化能为0.19 eV.对ZrV2-xPxO7系列材料的电导率和介电的研究对拓展此类材料在电子器件方面的应用具有重要意义.