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电渗流广泛应用于微流控芯片中的流体输运与混合.该文提出了一种离子浓度梯度对电渗流及微混合产生影响的变量模型,采用有限元分析方法对微通道中电渗流及微混合的离子浓度效应进行了数值模拟,分别讨论了zeta电势、介电常数等对微通道内流场和浓度场的影响规律,定量分析了微混合效率.结果表明,当zeta电势和介电常数随浓度变化时,微通道中流场分布不均匀,离子分布不对称.当溶液浓度趋近1 mol/L时,溶液基本无法进入微通道.微混合效率随溶液间浓度差的增大而减小,而且浓度差越大越能在较短距离内到达充分混合. 相似文献
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以对-吡唑基苯甲醛(1a)[或对-1,2,4-三唑基苯甲醛(1b)]和苯乙酮经Aldol缩合反应得4-吡唑查尓酮(2a)[或4-三唑查尔酮(2b)];2a或2b与2-乙酰基吡啶(3)经Michael加成反应得1-苯基-5-(2-吡啶基)-3-[4-(1-吡唑基)苯基]-1,5-戊二酮(4a)或1-苯基-5-(2-吡啶基)-3-[4-(1-[1,2,4]-三唑基)苯基]-1,5-戊二酮(4b);4a或4b与AcONH4经关环反应合成了两种新型含吡唑和三唑基的联吡啶衍生物——6-苯基-4-[4-(1H-吡唑基)苯基]-2,2'-联吡啶(5a)或6-苯基-4-[4-(1H-1,2,4-三唑基)苯基]-2,2'-联吡啶(5b),其结构经1H NMR,IR,MS和元素分析表征。UV-Vis和FL研究结果表明:5a和5b的λmax分别位于290 nm和280nm;5a和5b的λem均位于360 nm。 相似文献
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Molecular Dynamics Simulation of Ion Implantation into HfO2 and HfO2/Si Multi-Layer Structure 下载免费PDF全文
We simulate the B, As and P implantations into HfO2 from 3keY to 40keY by a simulator LEACS developed based on molecular dynamics method and by the traditional Monte Carlo simulator TSUPREM4 respectively. The LEACS results accurately fit with the SIMS (secondary ion mass spectroscopy) data, while the TSUPREM4 results deviate from the SIMS data obviously except B implantation. Based on the verification of the simulator, influence of the oxide thickness on the retained range profiles in the Si layer has been quantitatively investigated in the case of HfO2/Si and SiO2/Si structures. The range profiles in the Si layer through HfO2 shift to the surface obviously for about 0.68 times of the oxide layer thickness on the average in comparison to those through SiO2. It can be predicted that this effect will have a significant impact on MOSFET (metallic oxide semiconductor field effect transistor) device performance in the integrated circuit process of the next decade if HfO2 is used to replace SiO2 as the gate dielectric. 相似文献
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反相高效液相法测定空气氧化青霉素衍生物反应的转化率 总被引:2,自引:0,他引:2
在空气氧化青霉素衍生物合成亚砜的反应中 ,用溶胶 凝胶法包容催化剂乙酰丙酮钴 (Ⅲ ) ,使反应在非均相条件下进行。采用反相高效液相法测定了该反应的转化率。采用的柱为C1 8反相柱 (4 6mmi d × 1 50mm ,1 0 μm) ,流动相为甲醇 水 (体积比为 85∶1 5)溶液。在 2 70nm检测波长下 ,青霉素G 对甲氧基苄基酯亚砜(PGPMBO)检测量在 0 0 5g·L- 1 ~ 0 40g·L- 1 时 ,与其峰面积具有良好的线性关系 ,线性相关系数为 0 9992。在不同反应条件下反应的最高转化率为 98 8%。该方法可直接对反应体系进行测定 ,可以快速准确地测定出反应的转化率 。 相似文献
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遗传信息的完整性不断受氧化基因的威胁,7,8-二氢-8-氧鸟嘌呤(8-oxo-G)是氧化DNA损伤最常见的产物. 氧化碱基会引起基因突变、癌变及衰老等. 应用量子化学方法分析得出:鸟嘌呤(G)被氧化为8-oxo-G后,其电荷分布、氢键的供体和受体位点的数目和位置随之改变,N7和O6原子所带的电荷变得更负,使得它们作为氢键供体的能力增强. 从而G被误认为其他碱基,与正常碱基形成多种氢键复合物. 可将8-oxo-G划分为3个作用位点与正常碱基相互作用. 与正常的单体相比,碱基对中形成氢键的受体原子上所带电荷平均变负0.05e,占原电荷的8%; 供体H原子所带电荷平均变正0.02e,占原电荷的4%. 1位点与正常碱基作用形成的氢键复合物更稳定,2位点和3位点性质相似,水溶剂使碱基对的结合能力减弱,其中与C作用形成氢键复合物的结合能减弱程度最大,且使碱基对结合能力的次序改变. 在8-oxo-G导致的GC→TA突变中,亲核反应位点从G所在链转到A(C)所在链,影响酶对碱基的识别,从而产生基因突变. 相似文献
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镍掺杂对氧化铝纳米片负载金催化剂在CO氧化反应中的促进作用(英文) 总被引:1,自引:0,他引:1
负载型金催化剂在CO氧化反应中具有良好的低温活性,受到了研究者的广泛关注,其催化性能与载体的性质密切相关.氧化铝具有廉价易得、比表面积大和热稳定性好等优点.然而,作为一种非还原性载体,氧化铝提供活性氧物种的能力差,与还原性载体相比催化剂的CO氧化活性较低.理论计算和实验结果表明,在金催化剂中引入过渡金属镍能够有效促进氧分子在催化剂表面的吸附和活化,从而提升金催化剂活性.此外,过渡金属的存在能够提高金的分散度,增加活性位数目,防止在高温预处理过程中金颗粒的烧结,从而提高催化剂的活性和稳定性.基于上述考虑,本文在氧化铝纳米片合成过程中原位引入硝酸镍,以实现对氧化铝载体的改性,然后负载金并应用于CO氧化反应.结果表明,当载体中的Ni/Al摩尔比为0.05,金负载量为1wt%时,采用还原性气氛对催化剂进行预处理可以得到具有CO氧化性能优良的金催化剂, 20 oC下CO转化率即可达100%.预处理气氛能够显著影响催化活性,采用还原性气氛预处理后催化剂活性明显优于氧化性气氛预处理.采用X射线衍射(XRD)、高分辨透射电镜(HRTEM)、氢气程序升温还原(H2-TPR)、氧气程序升温脱附(O2-TPD)、CO吸附原位红外光谱(CO-DRIFT)和X射线光电子能谱(XPS)等表征手段进一步研究了镍掺杂对Au/Al2O3催化剂上CO氧化反应的促进作用机制.XRD测试未观察到明显的金或镍衍射峰,表明金或镍物种均为高分散.HRTEM结果进一步证实,引入镍物种后金颗粒的粒径由3.6 nm减小为2.4 nm,表明镍掺杂有助于提高金的分散度.而XPS结果显示,镍掺杂催化剂中金与镍存在电子转移,而镍仍以Ni O为主.H2-TPR结果表明,镍掺杂的催化剂前驱体中的金物种更容易被还原.O2-TPD结果证实,镍掺杂催化剂能够引入更多的氧空位,促进氧分子的吸附和活化,从而促进CO氧化反应的进行.CO-DRIFT结果表明,相比于氧化性气氛,采用还原性气氛预处理后金物种的电子云密度增加, CO吸附增强.而对于镍掺杂的催化剂,金物种吸附CO分子的能力进一步提高,有利于CO氧化反应的进行.综上,镍掺杂能够有效提高催化剂中金的分散度,增强催化剂对CO的吸附,促进氧气分子的吸附和活化,从而提高了催化剂的CO氧化活性. 相似文献