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为了提高半导体激光器件的可靠性,研究了AlN过渡热沉上AuSn焊料不同配比对半导体激光器器件性能的影响。利用MOCVD 生长975 nm芯片,通过对半导体激光器器件表面形貌、空洞、光谱特性、热阻特性以及寿命测试,Au组分比重低于72%的AlN过渡热沉封装器件表面颜色明显不同于组分相对较高的,空洞较多,平均波长红移约5 nm,在寿命试验中过早失效,最终得出AuSn焊料中Au组分比重最好大于72%,小于80%,才能保证封装器件焊接质量,为实际生产和使用提供了指导意义。 相似文献
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从开放性、社区化的规划设计视角,分析了加拿大卡尔加里大学校园的可持续规划建设情况.总结其可持续校园规划建设的策略与措施,包括:开放型、社区化的规划理念,紧凑型发展的规划布局,与城市道路系统有机结合的校园交通结构,行人优先的校园道路系统以及人性化校园交往空间的建设等.这些系统性、层级化的设计措施推动了高品质绿色校园空间的形成与发展,其经验值得我国在建设绿色大学校园时借鉴. 相似文献
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遇世友张丝瑶王鑫黎晨晨刘颖马永强 《分析试验室》2023,(5):624-630
By preparing nano-CeO2 (CeO2) and reduced graphene oxide (RGO), an electrochemical sensor based on CeO2/RGO composite was constructed for the detection of histamine. The morphology and structure of the composites were characterized by scanning electron microscopy (SEM) and X-ray diffraction (XRD). The electrochemical behavior of histamine on the sensor was studied by cyclic voltammetry (CV), and the conditions such as the type proportion and addition amount of the composite scanning rate and buffer pH were optimized. The results showed that the optimal conditions were as follows: The mass ratio was m(CeO2): M(RGO)=1: 0.25, the addition amount of composite material was 10 μL, the scanning rate was 300 mV/s and the pH of buffer solution was 8. A good linear relationship was observed between the peak current and the concentration of histamine in the range of 0.25–100 mg/L with the detection limit of 0.16 mg/L. The CeO2/RGO/GCE electrochemical sensor has been applied to the determination of histamine in fish samples with the spiked recoveries of 98.4% −104%. The method can be used to determine histamine content in fish products. © 2023, Youke Publishing Co.,Ltd. All rights reserved. 相似文献
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半导体光催化是一种理想的太阳能化学转化绿色技术,可以实现水分解制氢和CO_2光还原制备碳氢化合物燃料.氧化锌(ZnO)作为一种直接带隙半导体材料,一方面具有性能优异、价格低廉、易制备等优点;另一方面因光腐蚀而不稳定,大大限制了该材料的实际应用.本文提出了一种简单易行的类石墨碳修饰方法,可以有效提高ZnO用于CO2光还原的光催化活性和稳定性.首先采用水热法在金属锌片基底上生长ZnO纳米棒阵列(ZnO-NRA),然后通过葡萄糖水热法进行不同含量的类石墨碳(C-x)修饰,形成ZnO-NRA/C-x纳米复合结构,同步实现碳包覆和碳掺杂.X射线衍射结果表明,ZnO纳米棒及ZnO-NRA/C-x纳米复合结构都具有良好的纤锌矿型(Wurtzite)结构;而拉曼散射则清楚地证实了类石墨碳的存在.扫描电子显微观察显示,生长的ZnO纳米棒长度大约2-5mm,直径为400-700 nm,沿方向[0001]生长,端部由六个规则的(103)晶面组成,进一步直观佐证了ZnO的典型纤锌矿型结构特征.透射电子显微分析结果表明,ZnO-NRA/C-x纳米复合结构中类石墨碳包覆层厚度大约为8 nm.ZnO-NRA/C-x纳米复合结构的X射线光电子谱分析结果验证了C-C,C-O和C=O键的存在与碳的包覆层相对应;而C-O-Zn键的出现则是由于碳在ZnO中掺杂所引起.从紫外-可见吸收谱上可观察到ZnO的典型吸收带边位置约为385 nm,而碳的包覆和掺杂导致ZnO-NRA/C-x纳米复合结构的吸收带边发生红移,并且吸收背底明显提高.电化学阻抗谱测试结果清楚地显示,ZnO-NRA/C-x纳米复合结构比单纯ZnO-NRA的电化学阻抗明显降低,说明类石墨碳包覆层大幅度提高了电导性能,从而有利于光生载流子的分离和传输.荧光分析结果也表明,与单纯的ZnO-NRA相比,ZnO-NRA/C-x纳米复合结构的荧光强度大幅度下降,进一步证实了ZnO-NRA/C-x纳米复合结构比单纯的ZnO-NRA更有利于光生载流子的分离和传输.光电化学测试结果表明,ZnO-NRA/C-x纳米复合结构的瞬态光电流4倍于单纯的ZnO-NRA,而CO_2光还原性能测试也得到一致的结果.长时间多循环CO_2光还原实验证实,ZnO-NRA/C-x纳米复合结构具有稳定的光催化活性和极好的光稳定性.综上,我们利用一种简单易行的水热法进行类石墨碳修饰,成功开发了ZnO-NRA/C-x纳米复合结构,该结构因其优异的光生电子和空穴的分离和迁移性能,从而具有显著提升的CO_2光还原活性和光稳定性.本工作证明,类石墨碳修饰是一种可以广泛借鉴的有效提升半导体材料光催化活性和光稳定性的可行方法. 相似文献
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功能性碲化镉纳米荧光探针荧光猝灭法测定过氧化氢 总被引:4,自引:0,他引:4
用L-半胱氨酸作稳定剂制备了碲化镉量子点,并选取回流时间为21 min,具有发射波长为555 13m的量子点作为测定过氧化氢荧光探针.在pH 8.0的磷酸盐缓冲溶液中,过氧化氢与碲化镉量子点反应而使其氧化,导致其荧光的猝灭.结果显示,荧光强度的减弱程度(△F)与过氧化氢的浓度在1.0×10-7~6.0×10-5mol·L-1之间呈线性关系.此方法的检出限(3s/b)为8.0×10-8mol·L-1应用此方法测定了雨水中过氧化氢的含量,并以此样品作基体,用标准加入法进行了回收试验,测得平均回收率为99.5%. 相似文献
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