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本文应用全对称群的Dirac理论计算了分子H_2X(X=O、S、Se)的结构,并与非相对论的结果比较.对比相对论和非相对论的结果,所得到的分子几何差异不大;而所计算的能量,相对论的比非相对论的要低,并能量随质量增加而降低;相对论值的极化率(A~3)和偶极矩更接近实验值.分子的电性状态为费密子共群的不可约表示E_1,明显地体现不可约表示E1的效应.所以,特别对重元素分子,更要应用相对论方法. 相似文献
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在加入核运动效应修正下的Born-Oppenheimer近似电子能量的基础上, 采用QCISD(T)/ aug-cc-pvqz方法计算出H同位素双原子分子(H2, HD, HT, D2, DT,T2)的势能函数参数, 获得体现H同位素分子质量差异下的势能函数。 并在此基础上导出H同位素分子的力常数和光谱数据。 同时对于OH, OD和OT分子采用QCISD/aug-cc-pvtz方法计算, 同样获得了这些分子对应的势能函数、 力常数和光谱数据。Based on the correction of the electron energy under Born Oppenheimer approximation using nuclear motion effect, the parameters of potential energy functions for hydrogen isotopic diatomic molecules (H2, HD,HT,D2, DT,T2) are calculated with QCISD (T) method and aug-cc-pvqz basis set,and those potential energy functions that indicate the differences from the masses of hydrogen isotopic atoms are obtained. The force constants and spectroscopic data of those molecules are calculated as well. The potential energy functions, force constants, and spectroscopic data of the isotopic diatomic molecules OH, OD,and OT are also derived using QCISD method and aug-cc-pvtz basis set. 相似文献
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碳化硅(SiC)具有禁带宽度大、电子饱和漂移速度高、击穿场强高、热导率高、化学稳定性好等优异特性,是制备高性能功率器件等半导体器件的理想材料。得益于工艺简单、操作便捷、设备要求低等优点,湿法腐蚀已作为晶体缺陷分析、表面改性的常规工艺手段,应用到了SiC晶体生长和加工中的质量检测以及SiC器件制造。根据腐蚀机制不同,湿法腐蚀可以分为电化学腐蚀和化学腐蚀。本文综述了不同湿法腐蚀工艺的腐蚀机理、腐蚀装置和应用领域,并展望了SiC湿法腐蚀工艺的发展前景。 相似文献
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运用密度泛函理论的B3LYP方法对1-碘-2-锂-邻碳硼烷与亚甲基环戊二烯衍生物的类Diels-Alder反应进行了理论研究.计算结果显示:1-碘-2-锂-邻碳硼烷与亚甲基环戊二烯衍生物的类Diels-Alder反应为分步过程,需要依次经过脱LiI形成碳硼炔、碳硼炔与亚甲基环戊二烯成键、碳硼烷基1,2-σ迁移和成环四个过程才能形成与Diels-Alder反应形式相同的产物.其中碳硼烷基的1,2-σ迁移过程为整个反应的决速步,在353 K的实验条件下需要越过28.3 kcal•mol-1的自由能垒才能形成相应的碳硼烷基降冰片烯衍生物,理论预测的反应速率与实验结果较好吻合.自然键轨道理论(NBO)分析结果显示:该反应与正常电子需求的Diels-Alder反应(NEDDA)具有相似的电子结构特征.文中还对反应底物的取代基效应进行了讨论,并得到了与实验数据基本一致的结果. 相似文献
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