Rb0.3K0.7TiOPO4晶体弹光系数的相对法和绝对法测量

本文报道了利用晶体通光方向上光束相差测量弹光系数的方法，并采用相对法和绝对法测量了Ｒｂ０．３Ｋ０．７ＴｉＯＰＯ４晶体的弹光系数。     

掺Yb钒酸盐晶体激光振荡中的光学双稳态现象研究

研究了三种掺Yb钒酸盐晶体Yb:LuVO4,Yb:YVO4和Yb:GdVO4的激光振荡中所呈现的光学双稳态效应.以晶体所吸收的抽运功率表征的双稳区宽度ΔPabs可超过1W,在双稳区高功率一侧的边界,即激光振荡的上阈值点,出现激光输出功率的不连续变化或跃变,同时发生亚毫秒时间尺度上的大幅度强度涨落.谐振腔的输出耦合透过率、晶体长度、晶体中的热效应等对双稳态效应均具有重要影响.     

BN坩埚中的AIN单晶生长

AIN是第三代直接宽带隙半导体材料的代表，具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特点，在制作大功率微电子器件和紫外探测器等方面，具有广泛的应用前景。AIN在光电子领域的应用潜力也不容忽视。AIN作为GaN材料的衬底，与目前广泛使用的SiC和宝石衬底相比，具有晶格失配位错密度低、热导率高、热膨胀系数差别小等优点，因而能大大提高GaN器件的性能和使用寿命。目前，各国竞相投入大量的人力、物力进行AIN单晶的研究工作。我国在这方面还鲜有报道。本文报道了山东大学在AIN单晶生长探索方面取得的一些进展。     

无光釉中LiAlSiO4-SiO2固溶体的枝晶研究

本文研究了无光釉中LiAlSiO4-SiO2固溶体的枝晶形貌、物相、成分、形成温度及其关系.六枝雪花状枝晶为六方晶系的β-石英固溶体,十字状枝晶为四方晶系的凯石英固溶体,即枝晶形貌反映了晶体结构的对称.枝晶的成分与基质玻璃的成分分异与形成温度和机制有关.枝晶形成时存在两种机制,其生长基元分别为原子(分子)生长或晶核切变生长.枝晶分枝程度和形成机制除与过冷度有关外,还与枝晶对称性有关.四方凯石英枝晶多以原子(分子)生长,其分枝少;六方β-石英枝晶多以晶核切变机制生长,其分枝多.     

Nd:Ca4ReO(BO3)3(Re=Gd,Y)晶体最佳激光、最佳倍频及最佳自倍频方向的确定

介绍了Nd:Ca4ReO(BO3)3(Re=Gd,Y)晶体最佳激光方向、最佳倍频方向的确定.综合考虑激光受激发射截面、抽运光吸收系数、有效非线性系数的各向异性,分析了自倍频性质的空间分布,并就此确定出最佳自倍频方向 关键词： Nd:Ca4ReO(BO3)3(Re=Gd Y)晶体 激光发射 倍频 自倍频     

Nd:LuVO4晶体缺陷的研究

采用提拉法生长的Nd:LuVO4晶体是一种适合二极管泵浦的新型激光晶体,运用化学腐蚀结合光学显微术和同步辐射白光X射线形貌术对Nd:LuVO4晶体缺陷进行观察,结果表明:晶体的主要缺陷为位错和小角晶界.利用高分辨X射线衍射仪进一步验证了这一结果.并初步讨论了缺陷形成的原因.     

Er/Yb:Gd0.5Lu0.5VO4多晶原料的合成及表征

Er/Yb: Gd05Lu0.5VO4晶体用于人眼安全和超快调Q脉冲激光领域中,而生长该类晶体的原料需纯度高、成分均匀、配比准确.以三种方法合成Er/Yb: Gd0.5Lu0.5VO4原料:(1)利用液相法合成的ErVO4、YbVO4、LuVO4、GdVO4以一定比例混合在高温下烧结(液相-固混法);(2)采用液相共沉淀法生成Er/Yb: Gd0.5Lu0.5VO4沉淀后在高温下烧结(液相-液混法);(3)以柠檬酸为络合剂,用溶胶-凝胶法合成前驱体,在高温下烧结.利用XRD、FTIR、SEM、ICP、EDS等分析方法对合成原料表征,探讨各种方法合成原料的最佳条件,从纯度、颗粒尺寸、均匀性、组分准确性等方面比较三种方法合成原料的优缺点,为合成优质钒酸盐混晶原料提供重要的实验依据.     

立方相KTa0.67Nb0.33O3晶体的系列相变研究

采用拉曼散射技术研究了立方相KTa0.67Nb0.33O3晶体的系列相变,从声子角度分析了各相变特点.降温过程中立方-四方和四方-正交相变分别发生在-29℃和-95℃左右,正交-三方相变可能发生在-150℃左右.最后简单讨论了晶体的相变机制和居里点与晶体组分的关系,并比较分析了居里点的实验值与理论值的差异.