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71.
研究了高k栅介质对肖特基源漏超薄体SOI MOSFET性能的影响.随着栅介质介电常数增大,肖特基源漏(SBSD) SOI MOSFET的开态电流减小,这表明边缘感应势垒降低效应(FIBL)并不是对势垒产生影响的主要机理.源端附近边缘感应势垒屏蔽效应(FIBS)是SBSD SOI MOSFET开态电流减小的主要原因.同时还发现,源漏与栅是否对准,高k栅介质对器件性能的影响也不相同.如果源漏与栅交叠,高k栅介质与硅衬底之间加入过渡层可以有效地抑制FIBS效应.如果源漏偏离栅,采用高k侧墙并结合堆叠栅结构,可以提高驱动电流.分析结果表明,来自栅极的电力线在介电常数不同的材料界面发生两次折射.根据结构参数的不同可以调节电力线的疏密,从而达到改变势垒高度,调节驱动电流的目的.
关键词:
k栅介质')" href="#">高k栅介质
肖特基源漏(SBSD)
边缘感应势垒屏蔽(FIBS)
绝缘衬底上的硅(SOI) 相似文献
72.
在基于核心素养的课程改革的背景下,高中数学教学出现了许多新的特点,对高中数学作业的布置也提出了更高的要求.如何根据学生的实际认知水平,遵循数学教学的基本原则.设计符合学生发展的数学作业,提升学生的数学核心素养,已成为每位数学教师必须面对与思考的课题.笔者基于实际教学经历,从作业布置的时间和类型进行阐述. 相似文献
73.
1,3-二(4-吡啶基)丙烷用硫酸二甲酯甲基化生成双吡啶盐(2),该吡啶盐(2)和α-二酮在碱性条件下缩合生成1-(N-甲基-4-吡啶基)-3-(N-甲基-4-吡啶亚基)-4,5-二取代-1,4-环戊二烯甲基硫酸盐(3),得率良好。1,3-二(4-吡啶基)丙烷用不同的卤代烷分步烷基化得不对称的双吡啶盐(5),(5)用上述方法和α-二酮反应得不对称桥环菁染料(6)。本工作还测定了桥环菁染料的可见和荧光光谱,并讨论了染料(3)的质子化过程和pK_b值。 相似文献
74.
双折射性是各种光学材料的重要性能之一,具有高双折射率的光学材料在诸多研究及工业领域的应用越来越广泛.然而,作为常用的光学薄膜及光波导材料之一的聚合物材料的双折射性通常却很弱,只能通过实验对其双折射率进行大致的表征,缺乏对其双折射率的系统性理论计算,从而限制了提高聚合物双折射性的研究.本文建立了从聚合物的单体分子结构到多分子链的系统性的双折射率理论计算方法,并借助此方法研究了导致聚合物弱双折射性的限制因素.以聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)为研究对象,运用密度泛函理论研究了其本征双折射率,这里的本征双折射率是指分子链完全取向时其单体单元的双折射率.计算结果表明其本征双折射率高达0.0738左右,并且通过计算给出了PMMA单体单元的平均双折射率色散曲线.采用分子动力学方法研究了该聚合物(包含20个分子链)的材料双折射率.理论计算结果表明,尽管该聚合物具有较大的本征双折射率,但是由于聚合物中分子链取向度极低,聚合物材料最终表现出来的双折射率只有0.00052.本文建立的研究方法及研究结果为研究增强聚合物材料双折射性提供了理论依据. 相似文献
75.
76.
77.
为同时筛查植物源驱蚊产品中致敏性芳香剂和农药化合物,建立了一种基于溶剂提取/气相色谱-串联质谱(GC-MS/MS)同时检测78种致敏性芳香剂和4种农药化合物的方法。采用极性色谱柱Agilent VF-WAXms进行色谱分离,通过不同的特征离子对对部分共流出化合物进行定性定量分析。以阳性样品为研究对象对提取溶剂和提取时间进行优化,确定最佳提取条件为:以二氯甲烷为提取溶剂,在30℃恒温条件下超声提取30 min。结果表明,82种目标化合物在对应质量浓度范围内具有良好的线性关系,相关系数(r)均大于0.992 0,定量下限为0.02~5.0 mg/kg,回收率为60.0%~120%,相对标准偏差(RSD)不大于9.5%。将该方法用于驱蚊贴、驱蚊扣、驱蚊液和驱蚊凝胶等29个样品的筛查,共检出33种致敏性芳香剂和1种农药(驱蚊酯)。80%以上的样品中检出α-蒎烯、β-蒎烯和D-柠檬烯等11种致敏性芳香剂,最高含量为116~21 140 mg/kg;3个驱蚊液中检出驱蚊酯,含量为10 200~21 350 mg/kg。该方法操作简单、结果准确,可用于驱蚊产品中致敏性芳香剂和农药化合物的同时筛查和含... 相似文献
78.
采用传统陶瓷制备工艺制备(1-x)Ba_(0.998)La_(0.002)TiO_3+ xBi_4Ti_3O_(12) (0≤x≤0.01)系统陶瓷.对在还原气氛(氮气)中烧成的陶瓷样品在一定温度下进行再氧化处理.研究了不同Bi_4Ti_3O_(12)掺杂浓度以及再氧化过程对BaTiO_3微观结构、介电性能及居里温度Tc的影响.结果表明:掺杂Bi_4Ti_3O_(12)后,BaTiO_3陶瓷的晶粒尺寸明显减小;Bi_4Ti_3O_(12)具有提高陶瓷居里点温度的作用,当x=1.0时,居里温度提高到T_c=150 ℃.随着BIT加入量的增加,电子与缺位混合补偿,晶格中将产生金属离子缺位,以补偿多余电子,因此随着BIT掺入量的增加,电阻率逐渐增大. 相似文献
79.
80.