含联萘基团的手性聚芳醚酮类环状齐聚物修饰电极的制备及其对色氨酸/磷钨杂多酸超分子化合物的手性识别

用溶剂诱导的含联萘基团的手性聚芳醚酮类环状齐聚物（S-PENEKC）制备修饰电极,利用循环伏安法实现了对D,L,DL-色氨酸／磷钨杂多酸的超分子化合物（D,L,DL—H,Trp2-[PW12O40]）的手性识别．     

主链含联萘的聚吡啶手性离子探针的合成和性质

合成了一种主链含联二萘基团的聚吡啶类共轭聚合物, 并通过圆二色谱(CD) 和紫外可见光谱(UV-Vis) 研究了其对Cu2+和Pd2+的识别能力, 并初步推测了识别机理.     

激波管中H_2─O_2爆轰产物辐射光谱的实验研究

本文采用Ｐｌａｒｏｉｄ６６７高速感光底片和大型石英棱镜摄谱仪，首次成功地拍摄到３０００～６４５０范围内激波管中Ｈ２─Ｏ２爆轰及杂质光谱。经识别确认出以下谱线和谱带：ＯＨ（０，０）、ＯＨ（０，１）和Ｏ１Ｓｃｈｕｍａｎｎ—Ｒｕｎｇｅ分子谱带，管壁物质及管内附积物Ｆｅ、Ｃｒ、Ｃａ、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｎａ的原子谱线以及管壁物质和管内附积物参与化学反应的中间产物的分子谱带系ＦｅＯ（黄带系）、ＣｒＯ（红黄带系）、ＣａＯＨ和Ｎａ２的无带头结构及ＡｌＯ（绿带系）。并对上述谱线和谱带的产生机理进行了分析和讨论。实验表明：在Ｈ２—Ｏ２爆轰中，Ｈ２对金属氧化物有较强的还原性。光谱分析还发现：Ｈ２—Ｏ２爆轰产生的ＯＨ（０，０）和ＯＨ（０，１）两谱带强度与Ｈ２—Ｏ２火焰中产生的ＯＨ（０，０）和ＯＨ（０，１）两谱带强度比较发生了反转。     

提拉法生长直径8inch Yb∶YAG激光晶体

设计制造了适于生长直径8 inch Yb∶YAG激光晶体的生长系统和热场,采用感应加热提拉法成功生长出了直径8英寸Yb∶YAG激光晶体,晶体等径部分最小直径202 mm,等径长超过215 mm,总重63.7 kg,晶体外形完整,内部无气泡、包裹物、开裂等宏观缺陷,5 mW绿光激光照射下,未见散射颗粒.     

炸药粉点火与快速反应临界条件的确定

 在爆炸激波管中利用我们研制的测温技术、回收技术及光谱技术研究了三氨基三硝基苯（TATB）、黑索金（RDX）、梯恩梯（TNT）粉在不同激励条件下的反应程度。研究表明：TATB炸药的临界点火温度和压力最高,其次是TNT,RDX最小。测量结果与国外的结果进行了比较。     

掺Yb3+钇铝石榴石晶体的生长和性能研究

用提拉法生长出φ40×190mm3的掺Yb3+钇铝石榴石(Yb∶YAG)晶体,摸索出了合适的温场系统、生长工艺和热处理条件.通过测量Yb∶YAG晶体在939nm处的透过率得出了其吸收系数与原始掺杂浓度之间的关系.所生长Yb∶YAG晶体的光-光转换效率为38.6;,斜率效率达55.1;.     

集成电路微互连结构中的热迁移

高工作电流在集成电路微互连结构中产生大量焦耳热,引起局部区域的温升、形成高温度梯度,金属原子沿着温度梯度反向运动发生热迁移.热迁移是集成电路微互连失效的主要原因之一.阐述了热迁移原理、失效模式及原子迁移方程.综述和分析了在单纯温度场、电场和温度场耦合等不同载荷条件下金属引线和合金焊料的热迁移研究.归纳并提出了集成电路微互连结构热迁移研究亟待解决的问题. 关键词： 集成电路 微互连 热迁移     

铝粉快速反应光谱中AlO B^2Σ^＋→X^2Σ^＋发射光谱的研究

在由光学多道分析仪收集的氢氧气体爆轰激励下铝粉快速反应光谱中，观察到ＡｌＯＢ２Σ＋→Ｘ２Σ＋跃迁Δｖ＝０带系的光谱特征与通常铝氧化反应的光谱特征不同。经分析是因为存在一个从４６７ｎｍ开始向长波方增强的连续辐射，它改变了该波长区ＡｌＯ分子的辐射特征。这一连续辐射可能是由铝与水蒸汽发生水合反应生成，而处于不同激发态的多原子分子ＨＡｌＯＨ产生     

高炉炉温与生铁元素含量及其关系的多因素分析

前言 早在五十年代中期,国外专家就注意到了生铁中碳的绝对含量升高了20～50%,而硅的含量随着冶炼技术的提高稳定在0.5%左右,这就使得过去通过有经验的工人凭出铁时所溅的火花来判断炉温的方法愈来愈不适应了.但是准确判断炉温又十分重要,炉温过高,浪费能源,过低又会使生铁冻结,造成生铁质量出格,带来更大的经济损失.于是,寻找生铁中含量多、易测量的元素来代替硅去预报炉温就显得比较重要了.于是提出: Ⅰ.生铁中各种元素与含碳量之间有什么关系? Ⅱ.含碳量与炉温是否有关系?如果有关系,能否用碳来预报炉温? 针对以上问题,我们用多元统计分…     

改进型Ramsauer装置

为了测量慢电子与气体原子(分子)碰撞散射的总截面,建立改进型Ramsauer装置.通过调试,解决了大的本底,能量测量及装置自身的不均匀磁场等问题。地磁屏蔽效果为30mG,并使散射室和电子枪区间的压差比较大。