金属有机物气相外延生长InAIGaN薄膜及其性能表征

在不同的生长温度和载气的条件下，采用低压金属有机物气相外延方法生长了系列的InAlGaN薄膜，通过能量色散谱(EDS)，高分辨X射线衍射(mixRD)和光致发光谱(PL)对样品进行表征与分析，研究了生长工艺对InAlGaN外延层结构和光学性能的影响。发现当以氮气做载气时，样品的发光很弱并且在550nto附近存在一个很宽的深能级发光峰；当采用氮气和氢气的混合气做载气时，样品中的深能级发光峰消失且发光强度明显提高。以混合气做载气，InAlGaN薄膜中铟的组分随生长温度的升高而降低，而薄膜的结构和光学性能却提高。结合PL和HRXRD的测试结果得到了较佳的生长参数：即载气为氢气和氮气的混合气以及生长温度在850℃到870℃。     

反射式NEA GaN光电阴极量子效率恢复研究

以反射式NEA GaN光电阴极充分激活、衰减以及补Cs后的量子效率曲线为依据,针对阴极量子效率的衰减规律和补Cs后的恢复状况,论述了NEA GaN光电阴极量子效率的衰减和恢复机理.经过重新Cs化处理,反射式NEA GaN光电阴极量子效率在240 nm到300 nm的短波区域恢复到激活后最好状态的94%以上,300 nm到375 nm的长波区域恢复到88%以上.结合反射式NEA GaN光电阴极衰减前后的表面势垒形状和反射式GaN光电阴极量子效率的计算公式,得到了量子效率曲线的衰减规律以及补Cs后的恢复状况与 关键词： 反射式 NEA GaN光电阴极 量子效率     

负电子亲和势GaN真空面电子源研究进展

结合国内和国外的最新研究成果,论述了目前在NEA GaN真空面电子源研究方面的现状. 从光电发射理论、表面净化方法、阴极激活工艺、光谱响应测试以及材料本身特性等方面针对GaN真空电子源的研究取得了一定成绩:初步研究了NEA GaN电子源的光电发射机理;给出了可获得原子级清洁表面的净化方法;采用Cs或Cs/O对GaN材料进行了有效激活;测试了GaN真空电子源材料的光谱响应;探讨了影响电子源量子效率的材料特性. 指出了下一步研究需要关注的内容. 关键词： NEA GaN 电子源 光谱响应     

火箭配电器测试系统设计

火箭配电器作为箭上电气系统的重要部件,对火箭飞行试验起着至关重要的作用;配电器测试直接反映其各项功能达标情况,测试方法的优劣会影响对配电器性能的评价高低;配电器测试系统以加固计算机为开发平台,通过PXI数据采集板卡对调理后的信号进行采集和控制,并在显示器上显示测试结果与数据,从而完成配电器的各项功能测试;测试系统原理样机测试某箭上配电器,比较测试值与设计值结果相符,可以得出系统设计可行、可靠;该测试系统大大改进了以往的测试手段,具有体积小、可靠性高、易于携带等优点。     

Sm0.9Sr0.1AlO3-δ钙钛矿氧化物的固相反应合成和电学性能

用固相反应法制备了Sm0.9Sr0.1AlO3-δ钙钛矿氧化物陶瓷.通过XRD,SEM和交流复阻抗谱以及氧浓差电池方法研究了样品的物相结构、微观形貌、电学性能及输运机理.结果表明,在1650℃烧结时,可以制备出单相的具有四方钙钛矿结构的氧化物Sm0.9Sr0.1AlO3-δ;1650℃烧结16 h时的Sm0.9Sr0.1AlO3-δ样品具有最高的相对密度和电导率,其值分别为96.7%和1.3×10-2S/cm(900℃),比未掺杂的SmAlO3的电导率大4个数量级左右,高温区电导活化能(T＞670℃)小于低温区电导活化能(T＜670℃);Sm0.9Sr0.1AlO3-δ在空气气氛中是一个氧离子和电子空穴的混合导体,氧离子迁移数在0.7左右,并随温度升高逐渐增加,氧离子电导活化能(0.95 eV)大于空穴电导活化能(0.84 eV),900℃时氧离子电导率为9.65×10-3S/cm.     

GaN厚膜中的质子辐照诱生缺陷研究

本文采用正电子湮没谱研究质子辐照诱生缺陷, 实验发现: 能量为5 MeV的质子辐照在GaN厚膜中主要产生的是Ga单空位, 没有双空位或者空位团形成; 在10 K测试的低温光致发光谱中, 带边峰出现了"蓝移", 辐照后黄光带的发光强度减弱, 说明黄光带的起源与Ga空位(V_Ga)之间不存在必然的联系, 各激子发光峰位置没有改变, 仅强度随质子注量发生变化; 样品(0002)面双晶XRD扫描曲线的半峰宽在辐照后明显增大, 说明质子辐照对晶格的周期性产生了影响, 薄膜晶体质量下降. 关键词： GaN 缺陷 质子 辐照     

Er0.5Eu0.5(TTA)3phen/PMMA温敏漆的光学性质研究

利用自由基聚合作用制备了Er_0.5Eu_0.5(TTA)₃phen/PMMA温敏漆,并对其光学性质进行了研究。研究结果表明,稀土离子与配体配位成键;Er³⁺的掺杂对温敏漆荧光发射具有增益作用;20～70℃范围内,温敏漆具有热猝灭性质;Er³⁺的掺杂能够提高温敏漆的相对荧光强度变化率及测温灵敏度。Er_0.5Eu_0.5(TTA)₃phen/PMMA温敏漆作为新型示温材料,在飞行器热密度测量技术等方面具有潜在应用价值。     

盘状多酸P_5W_(30)/阳离子聚电解质/氧化石墨烯杂化多层膜的电致变色性能

为了提高薄膜[PEI/P_5W_(30)]_(30)的电致变色性能,将具有大的二维尺寸和良好导电性的氧化石墨烯引入该薄膜中。通过层层自组装(LBL)技术构筑了基于盘状多酸K12.5Nal.5[Na P_5W_(30)O_(110)]·15H_2O(P_5W_(30))、氧化石墨烯(GO)的复合薄膜[PEI/P_5W_(30)/PEI/GO]_(30)(PEI:聚乙烯亚胺),并利用UV-Vis光谱对薄膜的组成及增长进行监测;通过原子力显微镜对薄膜的表面形貌进行考察,利用循环伏安法对薄膜电化学氧化还原性质进行研究;薄膜在外加氧化还原电位下呈现出无色/蓝色的可逆变化,电致变色响应时间在10 s以内;此外,薄膜在阶跃电位0.75 V/-0.75 V下循环150次,电致变色性能没有明显减弱,体现了薄膜良好的电致变色可逆性。氧化石墨烯的引入使薄膜[PEI/P_5W_(30)/PEI/GO]_(30)呈现出响应速度快、抗电疲劳强的电致变色性能,将在电致变色器件领域有广阔的应用前景。     

（FeCp_2）_（0.65）[Ni（C_3S_7）_2]的合成及电化学性质研究

合成了一种新型的导电配位型化合物（FeCp2）0.65[Ni（C3S7）2]。通过EA,ICP,1H NMR,UV对该化合物进行了表征,并通过循环伏安法和变温四探针法对其电化学性质进行了研究。结果表明分子中S原子个数增多以及二茂铁阳离子（FeCp2＋）的引入有利于导电性能的提高。     

Energy transfer ultraviolet photodetector with 8-hydroxyquinoline derivative-metal complexes as acceptors

We choose 8-hydroxyquinoline derivative-metal complexes(Beq,Mgq,and Znq) as the acceptors(A) and 4,4',4-tri-(2-methylphenyl phenylamino) triphenylaine(m-MTDATA) as the donor(D) respectively to study the existing energy transfer process in the organic ultraviolet(UV) photodetector(PD),which has an important influence on the sensitivity of PDs.The energy transfer process from D to A without exciplex formation is discussed,differing from the working mechanism of previous PDs with Gaq[Zisheng Su,Wenlian Li,Bei Chu,Tianle Li,Jianzhuo Zhu,Guang Zhang,Fei Yan,Xiao Li,Yiren Chen and Chun-Sing Lee 2008 Appl.Phys.Lett.93 103309)]and REq[J.B.Wang,W.L.Li,B.Chu,L.L.Chen,G.Zhang,Z.S.Su,Y.R.Chen,D.F.Yang,J.Z.Zhu,S.H.Wu,F.Yan,H.H.Liu,C.S.Lee 2010 Org.Electron.111301]used as an A material.Under 365-nm UV irradiation with an intensity of 1.2 mW/cm~2,the m-MTDATA:Beq blend device with a weight ratio of 1:1 shows a response of 192 mAAV with a detectivity of 6.5 × 10~(11) Jones,which exceeds those of PDs based on Mgq(146 mA/W) and Znq(182 mA/W) due to better energy level alignment between m-MTDATA/Beq and lower radiative decay.More photophysics processes of the PDs involved are discussed in detail.