喷管对脉冲爆轰发动机性能的影响

采用热力学循环分析方法, 从理论上推导了脉冲爆轰发动机(pulse detonationengine, PDE)不完全膨胀条件下的热效率公式, 并定量考察了不同燃烧室初始温度下热循环效率随出口压力比的变化, 研究表明气体膨胀越完全, 工质的热循环效率越高. 应用数值模拟方法分别研究了收缩-扩张喷管和扩张喷管, 比较了它们对PDE推力和比冲的影响, 考察了它们在PDE各个循环阶段的作用. 此外, 还分析了收缩-扩张喷管收缩段引起的反射激波的影响, 理论上反射激波会降低PDE热循环效率和比冲, 但当反射激波马赫数小于1.5时, 对PDE热循环效率的影响很小, 其正面作用占优.      

碳载Pt-P催化剂对氧还原的电催化性能

用NaH2PO2液相还原方法制得碳载Pt-P(Pt-P/C)催化剂(m(Pt)∶m(P)=5∶1)。 X射线衍射谱测量表明,Pt-P/C催化剂的Pt衍射峰的2θ值稍大于Pt/C催化剂的相应值,表明P进入了Pt晶格,形成了Pt-P合金。 电化学测试表明,Pt-P/C催化剂对氧还原的电催化性能要比商品化的E-TEK Pt/C催化剂好,其还原电位正移了40 mV。 由于Pt-P/C催化剂中Pt-P粒子的平均粒径和相对结晶度与Pt/C催化剂相似,推测Pt-P/C催化剂对氧还原的电催化性能好于Pt/C催化剂的原因可能为P的作用。     

第23届全国高中学生化学竞赛暨冬令营活动纪要及试题分析

2010年1月15日上午,由中国化学会主办、浙江省化学会与浙江大学承办的第23届全国高中学生化学竞赛暨冬令营在浙江大学隆重开营.来自全国各省、市、自治区的194名参赛选手及各省代表队的领队、观察员、学会代表、列席代表共500余人参加了开营式.     

烯烃以糖衍生的手性酮为催化剂的有机催化不对称环氧化

由糖衍生的手性酮是非官能化烯烃的有机催化不对称环氧化的一类重要催化剂,它与过氧硫酸氢钾（KHSO5）可原位产生对顺式烯烃、反式烯烃、三取代烯烃和末端烯烃均有效的氧化剂--手性二氧杂环丙烷.本文对由糖衍生的手性酮的合成方法、不对称诱导反应的机理、手性酮糖的分子结构以及反应条件对其催化活性和不对称诱导作用的影响进行了评述.     

基于Gelius模型计算的C60和C70的紫外光电子能谱

在B3LYP/6-31G(d,p)水平上对两种富勒烯C₆₀和C₇₀进行了构型优化. 在此基础上,并基于Gelius模型, 计算了这两种富勒烯的紫外光电子能谱曲线. 理论计算的曲线同实验曲线符合的很好.此外, 从理论曲线并结合量子化学计算的结果, 可以看到, C₇₀分子上不同化学环境的的碳原子对紫外光电子能谱曲线的贡献是不同的.     

MOFs传感器在癌症及其生物标志物检测中的应用

癌症是世界上最致命的疾病之一,因此癌细胞的有效捕获和敏感检测对基础研究以及临床诊断和治疗都具有重要意义.基于金属有机骨架(MOFs)的催化活性和固有的发光性能等特点,MOFs已被成功地开发为传感平台实现对癌症及其标志物的检测.综述了基于MOFs的电化学、荧光、电化学发光、比色传感器在癌细胞及核酸、蛋白质等生物标志物检测...     

取代芳基席夫碱类化合物的室温研磨合成及其紫外可见吸收光谱的研究

研究了取代芳基单席夫碱及双席夫碱的室温研磨固态缩合反应,测定了其在环己烷和甲醇中的紫外可见吸收光谱,并探讨了其电子吸收光谱与分子结构的关系,以及溶剂对电子吸收光谱的影响.     

无溶剂、无催化剂条件下5-[(3-吲哚基)-芳甲基]-2,2-二甲基-l,3-二氧六环-4,6-二酮的合成

在无溶剂和催化剂条件下，由芳香醛、吲哚、丙二酸亚异丙酯的三组分缩合反 应，制备了5．[(3-吲哚基)-芳甲基]-2，2-二甲基-1，3-二氧六环-4，6-二酮，产 率为70％～85％，产物结构经～1H NMR，IR确证．     

富勒烯负离子的自聚行为

C6。可以说是迄今发现的具有最美妙对称性的分子——60个碳原子均位于完全等价的几何位置上，而且由于形成了覆盖整个‘咏’面的大。键，结构非常稳定．最近一系列实验发现，C。。在激光的作用下还能进一步聚合饲．我们在实验中首次发现了C。。在脉冲激光溅射下自聚成的负离子，并对实验记录的质谱作了分析．1实验实验在自制的激光等离子体源飞行时间质谱计问上进行．C。。粉末压紧后以n面胶固定在样品架上．实验所用的激光波长532urn，脉宽7us．会聚后作用于样品的激光功率密度在10’－10‘W·cm－’之间．激光产生的等离子体中的正负离…     

Study of the Electroless Silver Seed Formation on Silicon Surface

The silver seed on silicon was prepared through aqueous I-IF and AgNO3 solution at room temperature. In order to explore the formation process of silver seed on silicon, the methods of open circuit potential with time （OCP-t）, anodic stripping sweep voltammetry （ASV） and scanning tunneling microscope （STM） were used in this work. The procedure of silver nucleus growing into large particles was explained by electro-negativity. The growth mechanism of silver seed on silicon has been presented： at first, the silver monolayer and multilayer firstly grows onto silicon without fully covering the surface at the expense of silicon etching due to the silver seed attracting the electron from silicon, after that, the monolayer coalesces together, forming continuous grain film with some silver atoms diffusing into the silicon and the multilayer still grows thick simultaneously.