数学问题解答

2006年11月号问题解答(解答由问题提供人给出)1641如图,BC是半圆O的直径,AC⊥BC于C,AD切半圆于D,设圆的半径为r,且BD OA=29r,求:AD.(安徽省肥西中学刘运宜231200)解连结OD、CD.因为AD是半圆O的切线,所以OD⊥AD,即∠ADO=90°.又因为AC⊥BC,所以∠ACO=90°,所以∠ADO ∠ACO=180°     

六方AlN本征缺陷的第一性原理研究

用基于密度泛函理论平面波赝势法首先对六方AlN本征点缺陷(氮空位、铝空位、氮替代铝、铝替代氮、氮间隙、铝间隙)存在时的晶格结构进行优化，得到其稳定结构；然后通过各缺陷形成能的计算可得知其在生长过程中形成的难易程度；最后从态密度的角度对各种本征点缺陷引起的缺陷能级及电子占据情况进行了分析.发现除氮空位外其他本征缺陷在带隙中形成的能级都很深，要得到n型或p型AlN必须要引入外来杂质.计算得到的本征缺陷能级对于分析AlN的一些非带边辐射机理有重要帮助. 关键词： 六方AlN 形成能 缺陷能级 态密度     

Growth and Characterization of Trumpet-Shaped ZnO Microtube Arrays on Si Substrates

Aligned trumpet-shaped zinc oxide microtube arrays have been successfully prepared on silicon （100） substrates via the chemical vapour deposition method with a mixture of ZnO and active carbon powders as reactants. The results show that two types of trumpet-shaped ZnO microtubes can be obtained. A plausible growth mechanism based on the studies of scanning electron microscopy （SEM）, transmission electron microscopy （TEM）, x-ray diffraction （XRD）, and room-temperature photoluminescence spectroscopy is proposed and discussed. The initial metastable zinc-rich ZnOx embryos play a key role in the formation of trumpet-shaped ZnO microtubes. On the different surfaces of metastable zinc-rich ZnOx （x 〈 1）, embryos exhibit different stabilities and resistivities to oxidation; these tiny embryos are gradually extended with different growing rates along the directions of its long axis and circular boundary around its oxide shell. Just this special reason creates the formation of trumpet-shaped microtubes and results in the inerratic and imperfect hexagonshaped cross section that appears. Moreover, the analytical results also show that the as-synthesized ZnO microtube arrays can exhibit better room-temperature photoluminescence behaviour.     

正则点、等力点及其他

1　近三年来关于三角形“正则点”的研究自 1 999年文 [1 ]提出三角形“正则点”概念后 ,近三年来围绕“正则点”的文章不断涌现 (见文 [2 ]～ [9]) ,形成了一个小小的热潮 .三角形所在平面内关于其三边的对称点构成正三角形的点称为三角形的“正则点”.关于三角形的“正则点”的主要结果有 :( 1 )正则点的分布1正三角形只有一个正则点 ,即其中心 ;2最大角小于 1 2 0°的非等边三角形 ,内部外部各有一个正则点 ;3最大角等于 1 2 0°的三角形 ,在外部及最长边上各有一个正则点 ;4最大角大于 1 2 0°的三角形 ,其两个正则点都在三角形的外部 .…     

HL-2A装置等离子体反馈控制系统

由于在HL-2A装置建设时期受时间、人力和财力等多方面因素的限制，在2002年装置验收时反馈控制仅限于完成程序控制的初步功能。随着HL-2A装置工程建设的开展和装置物理实验的需要，迫切需要在程序控制的基础上，建立一套完善的等离子体放电反馈控制系统。     

具有存储性能的薄膜EL数字显示器

电致发光薄膜本身带有存贮性能,对于在显示方面的应用很有利。我们收集了几篇日本霞浦公司在不同场合对发表的关于这种薄膜的文章和报告的摘要,译出供大家参考。几篇的内容都不详细,有重复,但又不尽相同,经过互相补充参照,对他们的工作可以了解得清楚一些。     

液晶数字显示器的研制

我们红峰半导体元件厂是上海虹口区手工业局所属的一家里弄小厂,在毛主席革命路线指引下,在三面红旗的光辉照耀下,遵照毛主席关于“发动广大的妇女群众参加生产活动”的指示,由十几个家庭妇女建立和发展起来的。十多年来,尤其是经过无产阶级文化大革命以来,我厂广大职工、干部坚持自力更生、艰苦奋斗、发扬敢想敢干的革命精神,先后造出了锗、硅争气管以及集成电路,G型大功率,F型、30I合并管等器件.目前全厂职工近400人,其中女职工占80%。全厂没有一个专业技术人员,学过一般物理、化学知识的也只有廿多人。 在深入开展批林批孔运动和“工业…     

ICP-AES分析超导粉中杂质元素的干扰系数矩阵校正法

利用ICP-AES法测定了铋系超导前驱粉（BSCCO）中Fe,Cr,Ni,Si,Al和Ba等微量杂质元素,优化了仪器测定参数并研究了酸的种类及浓度对测定结果的影响。系统研究了BSCCO基体元素Bi,Sr,Pb,Ca和Cu对微量杂质元素测定的干扰,分别测定了每个基体元素对测定元素的校正系数并组成交互干扰校正矩阵,采用全选主元高斯消去法计算出基体元素产生的背景等效浓度,再计算出样品的真实浓度。用此方法对合成标样中的上述微量杂质元素进行了测定,分析结果的回收率99.5％～100.5％,测定了实际样品中的杂质元素,并与ICP-MS法进行了对比,二者结果一致。