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为研究金属-FGM-陶瓷 EFBF
复合板的稳态热应力,从热传导规律出发,结合热应力计算公式,建立了该复合板稳态热应
力的研究模型,用有限元和辛普生法分析了T_a=500K和T_b=1800K时,该
复合板的稳态热应力分布并与无梯度两层复合板的结果进行了比较.
结果表明:FGM梯度层的厚度、组分和孔隙率对该EFBF复合板的热应力有不同程度的影响,
此外,有梯度三层复合板的热应力比较缓和,最大拉应力减小29.18%.
此结果为该复合板的设计和应用提供了准确的计算依据. 相似文献
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23.
以非线性物理教学为例介绍了授之工具,传之方法建立教师指导下的学生自主学习模式及其教学思想和具体做法。 相似文献
24.
25.
如何给工科学生讲分形物理——介绍华中科技大学非线性物理教学改革之一 总被引:4,自引:1,他引:3
本文介绍了作者在华中科技大学讲授分形物理的几个重要环节及做法;抓住分形本质特性,立足于物理、精选模型、上机实践。最后,所花学时甚少却能取得比较好的效果。 相似文献
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28.
29.
利用半导体工艺和器件仿真软件silvaco TCAD(Technology Computer Aided Design),模拟研究了采用硅/硅锗合金(silicon/silicon germanium alloy,Si/Si_(1-x)Ge_x)量子阱结构作为吸收层的薄膜晶体硅异质结太阳电池各项性能.模拟结果显示,长波波段光学吸收随锗含量的增加而增加,而开路电压则因Si_(1-x)Ge_x)层带隙的降低而下降.锗含量为0.25时,短路电流密度的增加补偿了开路电压的衰减,效率提升0.2%.氢化非晶硅/晶体硅(a-Si:H/c-Si)界面空穴密度以及Si_(1-x)Ge_x)量子阱的体空穴载流子浓度制约着空穴费米能级的位置,进而影响到开路电压的大小.随着锗含量增加,a-Si:H/c-Si界面缺陷对开压的影响降低,Si_(1-x)Ge_x)量子阱的体缺陷对开压的影响则相应增加.高效率含Si_(1-x)Ge_x)量子阱结构的硅异质结太阳电池的制备需要a-Si:H/c-Si界面缺陷的良好钝化以及高质量Si_(1-x)Ge_x)量子阱的生长. 相似文献
30.