二甲亚砜硝酸钇的晶体结构

二甲亚砜硝酸钇Y(NO₃)₃·3DMSO晶体属单斜晶系,a=13.604(4)?,b=12.669(4)?, c=11.554(2)?, β=100.14(4)°,z=4。空间群为P2₁/n。用PW-1100四圆衍射仪收集强度数据,独立衍射点数为3615个。结构已用重原子法解出,用全矩阵和方块对角矩阵最小二乘方法修正结构参数,最后R因子为0.080。结构分析结果表明,围绕着钇离子的九个氧构成稍歪扭的“三帽三方棱柱”配位多面体。钇和配位氧之间 关键词：     

分散方式对PEMFC微孔层油墨流变特性与微结构的影响研究

制备高性能的微孔层对于提升质子交换膜燃料电池性能至关重要,其中微孔层油墨的制备是微孔层制备中的核心环节,油墨的分散方式和分散时长均会影响微孔层的性能。在本文中,研究了在两种不同的分散方式及三种不同分散时长下：超声分散(15 min,30 min,45 min)和球磨分散(1 h,2 h,3 h),对微孔层性能的影响,并对微孔层油墨进行了流变性研究、粒径分布和形貌表征以及BET测试。研究结果表明：球磨分散与超声分散制备的微孔层油墨呈现不同的流变性,前者黏度20 m Pa·s明显高于后者2 mPa·s,粒径分布也因分散方式不同呈现明显差异。球磨分散方式制备的微孔层表面出现明显的团聚絮状物,增加了表面粗糙度,同时该制备方式下的微孔层比表面积为9.2922 m²·g^-1。同样制备时长也会对微孔层性能产生影响,研究发现球磨分散2 h制备的微孔层展示了更高的优越性。     

量的正比与反比

本通报组织的初中算术教法的稿件,自1953年8月起陆续刊载,迨至本月,应轮到比和比例及百分法,適有管承仲、趙崇林两同志自蘇联“数学教学”1952年第3期译出此篇,原文虽係就吉塞遼夫所编算术课本写的,但我们现用的算术课本有取材於此,所以尚属合用,并且此文已提出比例一章教学上的困难问题而予以适当的解决,特刊登於此,不另撰稿。另外百分法一章教法,由陈天池、孫梅生两同志发表意见。接登此篇之後.至此,我们所组织的初中算术教法告一段落.     

InCI分子C^1Ⅱ1态光谱研究

采用激光诱导荧光技术对ＩｎＣ１分子Ｃ＾１Ⅱ１→Ｘ＾１∑＾＋荧光光谱进行了分析和归属,在发射谱中探测到ｖ′＝１向下的跃迁,证明Ｃ态预离解只能发生在ｖ′＝１之上。并对Ｃ＾１Ⅱ１→Ｘ＾１∑＾＋的荧光衰变曲线进行了观测,得到ＩｎＣ１分子Ｃ＾１Ⅱ１（ｖ′＝１）态的无碰撞辐射寿命τ０≈１１ｎｓ及电子跃迁矩│Ｒｅ│＾２≈５．９５Ｄ＾２。     

近红外漫反射光谱法测定玉米秸秆NDF与ADF含量

应用主成分空间和傅里叶变换近红外光谱技术,采用偏最小二乘回归法(PLS),在国内首次建立了适合不同品种类型、不同生长发育时期和不同部位且适配范围广的近红外漫反射光谱(NIRS)测定玉米秸秆中性洗涤纤维(NeutralDetergentFiber,NDF)和酸性洗涤纤维(AcidDetergentFiber,ADF)含量的稳定校正模型。结果表明,采用一阶导数 矢量归一化预处理和一阶导数 多元散射校正预处理,谱区均为7502～5450cm-1和4601～4247cm-1,所建立的NDF与ADF校正模型,其校正和预测效果最佳。其校正决定系数(R2cal)均大于094,交叉验证和外部验证决定系数(R2cv,R2val)为092～096,各项误差(RMSEE,RMSECV和RMSEP)为149%～181%。该结果对青贮玉米秸秆材料快速鉴定和筛选具有重要的意义。     

恒流电晕充电对聚四氟乙烯多孔薄膜驻极体驻极态的影响

利用常温下恒流和恒压电晕充电、充电后的等温表面电位衰减、热刺激放电和扫描电镜等实 验手段研究了恒流和恒压电晕充电技术对聚四氟乙烯多孔薄膜驻极体驻极态的影响.与恒压电晕充电相比较，恒流电晕充电时由于流过薄膜的电流恒定，增加了注入电荷在多孔结构厚度方向界面处的俘获概率，使沉积电荷密度上升，改善了驻极体的储电能力.然而，这些位于不同层深多孔界面处的俘获电荷在这类功能膜储存或使用过程中，经外激发从脱阱位置 以跳动（hopping）模式输运至背电极的路径相对缩短将导致脱阱电荷衰减较快. 关键词： 恒流电晕充电 聚四氟乙烯多孔膜 驻极体 电荷稳定性     

LD泵浦Nd∶GdVO4/GaAs被动调Q激光器研究

报道了采用大功率半导体激光器端面泵浦Nd∶GdVO4晶体,利用GaAs晶片兼作饱和吸收被动调Q元件和输出耦合镜,实现了1.06 μm激光的被动调Q运转.在泵浦功率为13.9 W时,获得最高平均输出功率为3.6 W,脉冲宽度为252 ns,单脉冲能量为27 μJ以及峰值功率为107 W的激光脉冲.     

采用保偏光子晶体光纤在1.6μm区域产生超连续谱

报道了利用保偏光子晶体光纤在1.6 μm区域产生超连续谱.通过将光参量放大器产生的中心波长为1.5938 μm、重复频率为250 kHz、脉冲宽度为250 fs的光脉冲耦合进纤芯直径为2.0 μm、长度为0.2 m的保偏光子晶体光纤,获得了1.6 μm区域的光谱展宽,展宽的光谱带宽为45.8 nm (1.5892~1.6350 μm).     

亚微米光栅型导光板设计

提出了利用亚微米光栅制作导光板的方法,给出亚微米光栅型导光板的初始结构.用严格耦合波理论计算分析了在满足基底全反射条件的45°入射角下红(700 nm)、绿(555 nm)、蓝(465 nm)三色光垂直出射的亚微米光栅(0.651μm、0.516μm、0.433μm)在槽深0.05~0.9μm之间变化时,透射衍射效率在2%~43%之间变化.分析了亚微米光栅的作用,做出性能评价,并研究了特定范围入射角引起的衍射角变化.     

LD泵浦Nd∶LuVO4/Cr4+∶YAG被动调Q激光器

采用大功率半导体激光器端面泵浦Nd∶LuVO4晶体，利用Cr4+∶YAG晶体作为可饱和吸收元件，实现了1.06 μm激光的被动调Q运转.在泵浦功率为19.1 W时，获得最高平均输出功率为4.58 W，脉冲宽度为84 ns，单脉冲能量为36.6 μJ以及峰值功率为436.2 W的激光脉冲.