ZnO薄膜的反射、透射光谱及能带结构测量

采用正入射的方法研究了生长在硅基片上的氧化锌薄膜的反射光谱，测量出氧化锌薄膜的光学吸收边在370nm，所对应的能量值为3.35eV，测量生长在石英玻璃基片上的氧化锌薄膜的透射光谱，得到相同的吸收边，表明ZnO薄膜的光学禁带宽度与体材料的禁带宽度一致，反射谱中，在550－600nm之间观察到一个吸收峰，吸收峰的位置以及吸收边的陡峭程度都薄膜的结晶状况的不同而有所不同。     

ZnO∶Al薄膜中本征缺陷对光电效应的影响

在直流溅射法制备ZnO薄膜的过程中 ,通过合适选取溅射时氧氩的压力比 ,可以显著提高所得n ZnO p Si异质结的光生短路电流 ,并且对该异质结的光生开路电压没有明显影响 ,从而可以用这种方法明显提高其光电转化能力。即使是在已经进行了n型掺杂的ZnO薄膜 (这里为ZnO∶Al)中 ,改变溅射时氧氩比对光电效应的影响也很明显。通过实验 ,已经证实了产生这种现象的原因是溅射时氧氩比的改变导致了ZnO薄膜内部的本征缺陷浓度的改变 ,使得载流子浓度变化而导致的结果。在氧氩压力比约为 1∶3时 ,光电转化效率最高     

LP-MOCVD异质外延ZnO薄膜中的应力及对缺陷的影响

利用低压金属有机化学气相淀积(LP-MOCVD)在Si基片上外延生长ZnO薄膜，制备了两类样品 ：一类是在Si上直接外延ZnO，另一类是在Si上通过SiC过渡层来外延ZnO.根据两类样品的拉 曼光谱、x射线衍射、原子力显微图和光致发光的结果，表明ZnO外延薄膜中的张应力对薄膜 的结晶状况有着重要的影响，使用SiC过渡层能够有效缓解ZnO薄膜中的张应力，减小缺陷浓 度，提高ZnO外延层的质量；然后根据缺陷的形成机制进一步提出，对于ZnO/Si，其中较大 的张应力导致了高浓度的非辐射复合缺陷的形成，使得样品的紫外和绿峰的发射强度均大大 降低；对于ZnO/SiC/Si，其中较小的张应力导致ZnO薄膜中主要形成氧替位缺陷O_{Zn，从而使发光中的绿峰增强. 关键词： ZnO薄膜 应力 缺陷 拉曼光谱}     

Influence of Interface Charge on Electrical Properties of ZnO／Si Heterojunction

The capacitance-voltage and current-voltage properties of the samples before and after annealing are investigated at 300 K and 195K. It is found that the interface charge plays an important role for the heterojunction properties. After annealing, the samples exhibit typical junction properties. The heterojunction shows a built-in potential 0.62eV consistent with the theoretical result 0.67eV. However, the sample exhibits more complex behaviour before annealing. The experimental results can be explained by heterojunction theory when, introducing interface charge, which suggests that the annealing can reduce interface charge and can improve the junction properties of the samples.     

ZnO/Si异质结的光电转换特性研究

利用直流反应溅射方法在p型Si衬底上生长掺Al的n型ZnO薄膜,测量了由n型ZnO薄膜和p型Si衬底组成的异质结在黑暗和光照条件下的I-V特性,结果表明该异质结具有优良的整流特性,而且在光照条件下的反向电流迅速增大并很快趋于饱和.通过测量ZnO薄膜的光电流和异质结的光电压的光谱响应,初步分析了异质结的光电转换机理.测量结果显示,在入射光波长为380nm时光电流强度明显下降,反映出光电流与ZnO薄膜禁带宽度的密切关系;同时还发现,在与ZnO禁带宽度相对应的波长前后所产生的光生电压方向相反.推测这一现象与异质结的能带结构密切相关. 关键词： ZnO薄膜 异质结 光电转换 光谱响应     

钠硒电池关键材料的研究进展

钠硒电池中硒正极导电率高(1×10^-3 S/m),体积比容量高(3253mAh/cm³),而钠负极原材料资源丰富,成本低廉,在基站式储能方面具有一定优势.但是,循环过程中硒正极的穿梭效应及体积变化等问题极大限制了钠硒电池的发展.本综述总结了钠硒电池的基本原理和现存难题,并详细介绍了其研究进展,最后展望了钠硒电池的未来发展方向,以期为钠硒电池的进一步研究提供新的思路.