The residual C concentration control for low temperature growth p-type GaN

In this work, the influence of C concentration to the performance of low temperature growth p-GaN is studied.Through analyses, we have confirmed that the C impurity has a compensation effect to p-GaN. At the same time we have found that several growth and annealing parameters have influences on the residual C concentration:(i) the C concentration decreases with the increase of growth pressure;(ii) we have found there exists a Ga memory effect when changing the Cp_2 Mg flow which will lead the growth rate and C concentration increase along the increase of Cp_2 Mg flow;(iii) annealing outside of metal–organic chemical vapor deposition(MOCVD) could decrease the C concentration while in situ annealing in MOCVD has an immobilization role to C concentration.     

Suppression of electron and hole overflow in GaN-based near-ultraviolet laser diodes

In order to suppress the electron leakage to p-type region of near-ultraviolet GaN/In_xGa_(1-x )N/GaN multiple-quantumwell(MQW) laser diode(LD), the Al composition of inserted p-type AlxGa_(1-x)N electron blocking layer(EBL) is optimized in an effective way, but which could only partially enhance the performance of LD. Here, due to the relatively shallow GaN/In_(0.04)Ga_(0.96)N/GaN quantum well, the hole leakage to n-type region is considered in the ultraviolet LD. To reduce the hole leakage, a 10-nm n-type Al_xGa_(1-x)N hole blocking layer(HBL) is inserted between n-type waveguide and the first quantum barrier, and the effect of Al composition of Al_xGa_(1-x)N HBL on LD performance is studied. Numerical simulations by the LASTIP reveal that when an appropriate Al composition of Al_xGa_(1-x)N HBL is chosen, both electron leakage and hole leakage can be reduced dramatically, leading to a lower threshold current and higher output power of LD.     

人工触发闪电电流波形特征参数分析

通过分析在夏季强雷暴活动频繁的山东滨州地区连续4年人工触发闪电实验中所获得的闪电回击通道底部电流资料,结果表明人工触发闪电回击峰值电流几何平均值为14.6kA,电流波形10％—90%上升时间和30％—90%上升时间的几何平均值分别为2.3μs和1.8μs,相应上升陡度分别为4.7kA/μs和4.4kA/μs.波形半峰值宽度的几何平均值为17μs,回击1ms内转移电荷量的几何平均值为1.2C,回击电流作用积分的几何平均值为6.1×10³A²s.对比研究表明回击峰值电流与接地状况、回击电流波形的上升时间以及半峰值宽度之间没有明显相关性,但与电流波形上升陡度以及回击1ms之内转移电荷量之间存在相关性,回击峰值电流（I_p）与回击1ms内转移电荷量（Q）之间满足关系式：I_p=14.1Q^0.69.通过与自然闪电放电参数的对比分析表明,人工触发闪电回击过程与自然地闪放电的继后回击过程相似. 关键词： 人工触发闪电 地闪 闪电电流 回击     

等离子体处理碳纳米管的研究现状及展望

采用等离子体处理技术对碳纳米管进行表面处理是一项新兴的技术,本文对在碳纳米管处理过程中,等离子体处理工艺参数的选择,以及处理前后表面结构变化、形貌变化、场发射效应等进行了综述,并对等离子体处理技术在碳纳米管表面修饰中的应用前景进行了展望.     

雷电在水平导体中产生感应电压的观测及数值模拟研究

对自然雷电的9次回击过程在水平导体上产生的感应电压特征进行了分析,并利用数值模拟分析了各种参量对感应电压的影响.自然雷电9次回击在导体上产生的感应电压的变化范围为4.6—18.6 kV,平均值为11.2 kV.感应电压的半峰值宽度和下降时间的几何平均值分别为0.87和2.9 μs.数值模拟结果表明,回击在导体两端产生的感应电压随回击速度的增加而增大,随导体高度的增加而增大.当导体两端的接地电阻匹配时,感应电压随电阻的增加而增大,但并不满足线性关系.当导体两端的接地电阻不匹配时,高电阻端的感应电压远大于低电 关键词： 感应电压 自然雷电 数值模拟     

合金吸气剂除杂-气相色谱法测定混合气体中氪、氙的含量北大核心CSCD

提出了合金吸气剂除杂-气相色谱法测定混合气体中氪、氙含量的方法。样品通过减压进样装置进入气相色谱仪,选用管径为3.18 mm、长度为100 cm的不锈钢管为除杂柱,填装合金吸气剂,以消除氮气、氢气等杂质气体对氪、氙测定的干扰。结果显示:氪、氙的体积分数分别在4.55×10^(-4)%~2.65×10^(-3)%,5.60×10^(-5)%~3.29×10^(-4)%内与其对应的峰面积呈线性关系,检出限(3S/N)分别1.71×10^(-6)%,1.65×10^(-6)%;对混合标准气体重复测定6次,峰面积的相对标准偏差均不大于1.0%;按照试验方法与文献报道的气相色谱-质谱法对6个混合气体样品进行测定,相对偏差的绝对值均不大于1.0%。     

硝酸异丙酯与Cl原子、 OH和NO3自由基反应的机理及动力学

采用CCSD(T)//M06-2X/6-311++G(d,p)方法, 结合传统过渡态理论, 研究了硝酸异丙酯与Cl原子、 OH及NO₃自由基的反应机理和动力学. 两个反应物单体首先形成氢键复合物, 随后X(X=Cl原子、 OH和NO₃自由基)提取硝酸异丙酯中叔碳的α-H原子或甲基的β-H原子, 室温下, 以X提取α-H原子为主. 反应的主要历程为 Cl原子(OH或NO₃自由基)提取(CH₃)₂CHONO₂的α-H原子, 生成HCl(H₂O或HNO₃)分子和(CH₃)₂CONO₂自由基, 后者分解为丙酮和NO₂. 结果表明, 在200~500 K温度范围内, 随着温度的升高, 丙酮和NO₂的产率降低; 在室温下, 硝酸异丙酯与Cl原子、 OH和NO₃自由基反应的速率常数分别为3.933×10^-11, 1.182×10^-13和7.134×10^-19 cm³·molecule^-1·s^-1. 计算所得硝酸异丙酯与OH自由基反应的动力学数据与实验结论一致.     

基于模糊聚类的不同形式偏好信息的集结方法研究

针对具有5种不同形式偏好信息的群决策问题给出了一种分析方法.当专家给出的偏好信息是模糊互补判断矩阵、区间值、正互反矩阵、序关系值以及效用值时,首先把不同形式的偏好信息转化为模糊互补判断矩阵,然后,再根据模糊互补判断矩阵得出每个专家的方案排序值,据此对专家进行模糊聚类,根据聚类结果确定专家的权重,进而进行信息合成和方案选优,并用算例进行了验证.     

虚拟定值法在X射线荧光光谱分析中的应用

<正>X射线荧光光谱(XRF)分析中的基本参数法(FP),有着足够高的分析精度,它在新合金的化学成分分析中被广泛地应用。航空工业中新合金材料不断涌现,但因用户少、成本高,很少有单位研制相应的供XRF分析用的成套标准样品。目前在航空发动机上应用的新牌号材料仅镍基高温合金就达40余种,却只有DZ125与GH4169两套标准样品面世,且只有主量成分,没有次量成分。单标样灵敏度系数法(即FP)的高分析精度是     

BEPC II直线加速器数字BPM前端调理电路的研制

针对北京正负电子对撞机改造工程（BEPC II）直线加速器束流位置测量电子学系统故障率上升这一现状,结合BEPC II直线加速器束流参数以及BPM电子学ADC芯片带通采样的需求,设计了隔离度高、幅相一致性好的数字BPM射频前端电子学模块。数字BPM电子学系统采用MicroTCA 4.0系统架构,以FPGA作为主控制器,基于EDA软件开发设计。重点介绍了射频前端电子学模块中射频功率放大器、数字可调衰减器、带通滤波器等设计和实验室及在线测试结果。BEPC II对撞模式下,使用正电子束流,完成电子学系统在线测试,x方向位置测量精度约为38.46 μm,y方向位置测量精度约为26.16 μm,其测量精度和系统稳定性优于商用模拟BPM电子学模块,能够满足BEPC II直线加速器束流位置测量需求。