WSe2纳米结构的合成及减摩性能研究

将W粉和Se粉按一定比例混合,直接密封在石英管中加热或高能球磨、压片,在Ar气氛中加热,得到了不同形貌的WSe2纳米结构.利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM、HRTEM)分析了WSe2纳米结构的组成、微观形貌和组织形态;利用UMT-2摩擦试验机考察了WSe2作为HVI500液体基础油添加剂的摩擦磨损性能.研究结果表明:直接密封加热得到的产物为棒状WSe2纳米材料,最小棒直径为6 nm;球磨、压片后加热得到WSe2纳米颗粒,颗粒的平均尺寸在50 nm以下,二者都具有层状结构和良好的结晶性.添加质量分数5%的WSe2纳米材料作为基础油添加剂能够显著降低摩擦系数,减少磨损,增强了材料抗疲劳磨损能力.     

Ti-Al金属间化合物润滑薄膜制备及其摩擦磨损性能研究

采用双靶反应磁控溅射法在不锈钢基体表面沉积Ti-Al二元金属间化合物薄膜,采用改变基体相对于靶材位置的方法调整薄膜中Al和Ti含量,通过对薄膜成分和结构表征以及摩擦系数测定,并结合Ti-Al合金相图系统研究不同成分薄膜的摩擦磨损特性.结果表明:随着薄膜中Al含量在43.20at%～67.89at%之间改变,薄膜的摩擦系数处于0.05～0.30之间;当薄膜中Al含量为45.59at%时,薄膜的摩擦系数最小,为0.05,且Al含量为43.20at%～48.23at%的薄膜的摩擦系数均小于0.10;当Al含量大于48.23at%时,随着Al含量的增加,薄膜的摩擦系数增至0.32;当Al含量为43.20at%～48.23at%时,薄膜中形成了α2-Ti3Al γ-TiAl两相共存组织,具有减摩效果的同时,使其磨损率降低12.57%～38.41%.     

光催化半导体Ag$lt;sub$gt;2$lt;/sub$gt;ZnSnS$lt;sub$gt;4$lt;/sub$gt;的第一性原理研究

通过基于密度泛函理论的第一性原理计算, 对光催化水解半导体Ag₂ZnSnS₄的改性方案做了理论研究. 在与同类化合物的带边位置比较后发现, Cu与Ge共掺杂能够在Ag₂ZnSnS₄中实现禁带宽度和带边位置的双重调节, 从而使其能带结构优化到光催化水解最为理想的状态. 另外, CuGaSe₂ 可与Ag₂ZnSnS₄形成type-Ⅱ型带阶结构, 制备它们的异质结同样可用于提升其光催化水解性能. 关键词： 光催化半导体 2ZnSnS₄')" href="#">Ag₂ZnSnS₄ 带阶 电子结构优化     

无压烧结合成高纯度Ti3SiC2粉体

本文通过优化混合方式将Ti、Si、石墨和Al等粉末按照一定配比混合后,在1 420℃氩气保护下合成了Ti3SiC2粉末。用XRD和SEM分别分析了样品中的相成分、微观形貌,计算得出其质量百分含量,高达96.7%,研究了烧结工艺中降温速率对Ti3SiC2微观形貌的影响,并讨论了其生长机理。本工艺原料混合简单有效,得到的产品纯度高,因而有助于实现Ti3SiC2粉末的批量生产。