交换环上上三角矩阵的李三导子

Let T(n,R) be the Lie algebra consisting of all n × n upper triangular matrices over a commutative ring R with identity 1 and M be a 2-torsion free unital T(n,R)-bimodule.In this paper,we prove that every Lie triple derivation d : T(n,R) → M is the sum of a Jordan derivation and a central Lie triple derivation.     

交换环上严格上三角矩阵的广义李三导子(英文)

本文研究了交换环R上所有n×n严格上三角矩阵构成的李代数N(n,R)(n≥5)上广义李三导子.利用矩阵技巧,证明了N(n,R)(n≥5)上任意广义李三导子为一李三导子与一位似映射的和.对于N(n,R)(n≥3)上广义李导子,得出类似结果.     

Z2上平延群的有理不变量

本文研究了Z2上平延群的有理不变量.利用矩阵的方法,获得了平延群的一组超越基.     

单晶硅表面均匀小尺寸金字塔制备及其特性研究

表面织构是一种通过有效的光俘获增加短路电流从而提高太阳电池效率的主要途径之一.在加入间隙式超声和NaClO添加剂的碱性四甲基氢氧化铵(TMAH)溶液中对单晶硅表面进行织构化处理,研究超声与NaClO在织构过程中对金字塔成核和生长的影响,以及金字塔大小对高温工艺之后的单晶硅少子寿命的影响.研究表明,通过在织构溶液中加入间隙式超声控制气泡停留在硅片表面的时间和脱离硅片表面速度,增强了小尺寸金字塔的均匀分布.织构之后硅片在AM1.5G光谱下的加权平均反射率能够达到12.4%,在高温扩散和氧化之后少子寿命的大小与金字塔大小之间存在近似于指数衰减函数的关系. 关键词： 表面织构化 反射率 少子寿命 单晶硅太阳电池     

沉积温度对等离子增强化学气相沉积法制备的SiNx:H薄膜特性的影响

利用Centrotherm公司生产的管式等离子增强化学气相沉积(PECVD)设备在p型抛光硅片表面沉积SiN_x:H薄膜, 研究沉积温度对SiN_x:H薄膜的组成及光学特性、结构及表面钝化特性的影响. 然后采用工业化的单晶硅太阳电池制作设备和工艺制作太阳电池, 研究不同温度制备的薄膜对电池电性能的影响. 测试结果表明: SiN_x:H薄膜的折射率随着沉积温度的升高而变大, 分布在1.926-2.231之间, 这表明Si/N摩尔比随着沉积温度的增加而增加; 当沉积温度增加时, 薄膜中Si－H键和N－H键浓度呈现减小趋势, 而Si－N键浓度逐渐升高, 薄膜致密度增加; 随着沉积温度的升高, SiN_x:H薄膜中的氢析出导致了钝化硅片的有效少子寿命先升高后降低, 并且有效少子寿命出现明显的时间衰减特性. 当沉积温度为450 °C时, 薄膜具有最优的减反射和表面钝化效果. 采用不同温度PECVD制备的5组电池的电性能测试结果也验证了这一结果.     

利用智能手机测定药剂中维生素B12含量的研究

提出了一种利用智能手机测定维生素B12含量的分光光度法,利用智能手机光线感应器及相关软件\"RGB调色板\"和\"phyphox\"等对不同浓度维生素B12的透光强度进行测量,数据处理后得到相应的吸光度值,发现其与维生素B12的浓度在4.0~96.0 μg/mL范围内呈现良好的线性关系。此方法具有简单、快捷等优点,可应用于药剂中维生素B12含量的测定。