具有Ⅳ类功能反应的非自治捕食系统的持续性和周期解

本文讨论了一类具有HollingⅣ类功能反应的非自治捕食系统,利用Brouwer不动点定理和构造Liaponov函数的方法．得到该系统永久持续生存和存在唯一全局稳定的周期解的充分条件．     

离子液体/金纳米粒子自组装介孔材料及其增强的细胞色素c直接电化学(英文)

室温离子液体作为一种软模板用来组装介孔材料,这种材料是由表面覆盖有半胱氨酸的自组装巨型金纳米粒子构成的.首先,由于静电作用或者配体末端的羧基和氨基基团之间的缩合反应,覆盖有半胱氨酸的金纳米粒子能够自组装形成纳米线和亚微米球形粒子.其次,球形自组装粒子在和疏水性室温离子液体1-辛基-3-甲基咪唑鎓六氟磷酸盐相互研磨时能形成一种准固态凝胶.最后,将复合凝胶涂在玻碳电极上,然后在PH=7.4的磷酸缓冲溶液中用循环伏安法进行极化,由于富余的室温离子液体分散在溶液中,形成了一种介孔组装结构.该材料具有良好的导电性和生物大分子亲和性.由于比表面积大和介孔内部的"薄层"效应,细胞色素c的氧化还原反应显著增强.实验结果表明,这种介孔材料在生物传感器和生物燃料电池等电化学器件方面具有潜在的应用前景.     

二维有限区域饱和软土Biot固结的数值模拟

针对二维有限矩形区域饱和软土固结问题,选取四种不同边界条件组合,利用数值模拟方法研究了在上表面剪切载荷作用下土体沉降变形的特征和规律。结果表明:在剪切载荷单独作用下,土体位移以水平位移为主,同时竖向位移也客观存在。这反映了土体固结过程中流固耦合的物理现象。土层最终变形量(沉降和水平位移)由剪切载荷与土体物性决定,与边界透水性无关;边界条件对土体的变形模式有着决定性影响。剪切载荷作用、法向载荷作用及二者联合作用的计算结果对比表明:虽然软土Biot固结是复杂的流固耦合过程,但在这个过程中载荷叠加原理依然成立。     

An investigation of ionizing radiation damage in different SiGe processes

Different SiGe processes and device designs are the critical influences of ionizing radiation damage. Based on the different ionizing radiation damage in SiGe HBTs fabricated by Huajie and an IBM SiGe process, quantitatively numerical simulation of ionizing radiation damage was carried out to explicate the distribution of radiation-induced charges buildup in KT9041 and IBM SiGe HBTs. The sensitive areas of the EB-spacer and isolation oxide of KT9041 are much larger than those of the IBM SiGe HBT, and the distribution of charge buildup in KT9041 is several orders of magnitude greater than that of the IBM SiGe HBT. The result suggests that the simulations are consistent with the experiment, and indicates that the geometry of the EB-spacer, the area of the Si/SiO_2 interface and the isolation structure could be contributing to the different ionizing radiation damage.     

混合价Keggin结构磷钨钼杂多化合物的光化学合成及其 电子离域性研究

采用光化学还原的方法合成了三个混合价的Keggin结构磷钨钼杂多化合物。混合价杂多化合物系一电子还原产物,其骨架结构仍然保持母体杂多阴离子的特征。^3^1P核磁共振,顺磁共振和Evans法的研究表明,"蓝电子"仅在钼原子之间离域。随着钼取代原子数的增多,化合物的顺磁性逐渐减小。     

退火工艺对水热合成SnSe多晶材料热电性能的影响

单晶SnSe是一种具有优异热电性能的新型中温热电材料,但是具有更广阔应用前景的多晶SnSe热电性能较低.采用水热法结合放电等离子烧结技术制备了p型SnSe多晶块体热电材料,利用XRD、FE-SEM、ZEM-3热电测试系统等研究了不同退火温度对SnSe多晶材料物相组成、微观结构和热电性能的影响.结果 表明,合适的退火温度可以通过促进晶粒生长,减少晶格缺陷来调整载流子浓度和迁移率,提高材料的电导率,从而获得功率因子的显著提升.经过600℃退火处理后,SnSe多晶材料的电导率在773 K时最大值为3.83 μW/(cm·K2),但其热导率几乎保持不变,与未退火样品相比ZT值(773 K)从0.56提高到0.63.     

Na0.015 Sn0.985 Se/PEDOT:PSS块体复合热电材料的制备与性能研究

PEDOT :PSS作为非常有潜力的有机热电材料,具有良好的加工性和成膜性、较高的电导率以及低热导率等优点,但是相对于无机材料,PEDOT :PSS的ZT值仍较低.目前关于PEDOT:PSS的研究大都集中在薄膜材料上,而热电材料的主流应用主要集中在块体材料上,因此对PEDOT :PSS块体热电材料的研究具有重要意义.介绍了一种块体PEDOT :PSS热电材料的制备方法,采用有机极性溶剂DMSO对PEDOT:PSS进行掺杂改性,并与无机材料Na0.015Sn0.985Se复合制得高性能Na0.015Sn0.985Se/PEDOT:PSS块体复合热电材料.结果表明,DMSO可以极大的提高材料的电导率;与Na0.015Sn0.985Se复合后虽然电导率有所下降,但同时伴随着热导率的降低以及Seebeck系数的增大,最终当复合量为10wt;时ZT值在300 K附近达到2.65×10 -3,相比于基体提高了约3倍.     

不同偏置影响锗硅异质结双极晶体管单粒子效应的三维数值仿真研究

针对国产锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT),采用半导体器件三维计算机模拟工具,建立单粒子效应三维损伤模型,研究不同偏置状态对SiGe HBT单粒子效应的影响.分析比较不同偏置下重离子入射器件后,各端口电流瞬变峰值和电荷收集量随时间的变化关系,获得SiGe HBT单粒子效应与偏置的响应关系.结果表明:不同端口对单粒子效应响应的最劣偏置不同,同一端口电荷收集量和瞬变电流峰值的最劣偏置也有所差异.载流子输运方式变化和外加电场影响是造成这种现象的主要原因.     

左手介质对谐振腔谐振频率的影响

在谐振腔设计过程中, 谐振腔的品质因数以及谐振频率都是需要考虑的关键因素. 传统的方法是通过减小谐振腔的尺寸或者利用高次模来提高谐振腔的谐振频率, 但是由于两种方法都有其局限性, 导致设计结果并不理想. 通过理论计算与模拟仿真相结合的方法, 对影响谐振腔谐振频率的因素进行分析, 得出了填充介质的材料属性与谐振腔谐振频率的关系. 理论计算显示: 当用“左手介质”作为谐振腔的填充物质时, 可以在不改变谐振腔尺寸的基础上提高谐振频率. 高频结构仿真器(high frequency structure simulator)的仿真数据也证明了以上结果, 从而得出谐振腔的谐振频率可以不受谐振腔尺寸的限制. 相较于传统理论而言, 研究结论有进一步的发展, 为探索和设计新颖的谐振腔提供了理论依据.