新方法制备不溶性丝素薄膜及其性质研究

报道一种制备不溶性丝素蛋白薄膜的新方法.在温和搅拌下,将丝素溶液浓缩至16%,通过调整干燥温度和干燥速率,直接获得不溶于水的丝素薄膜.薄膜结构通过FTIR-ATR和XRD测定,同时对薄膜的机械性能进行研究.结果表明,丝素薄膜在干燥温度高于60℃时,有充足的β折叠结构存在,机械性能良好.当干燥温度为70℃时,材料的拉伸强度和断裂伸长率分别为29.8MPa和59.6%,远远强于经过甲醇处理的丝素薄膜的机械性能.当干燥温度高于60℃时,材料在水中具有优异的稳定性.由于在丝素薄膜的制备中避免了甲醇的使用并使材料具有更好的机械性能,此方法制备的丝素薄膜更为安全,应用会更广泛.     

A fabrication and magnetic properties study on Al doped Zn0.99Co0.01O dilution ferromagnetic semiconductors

This paper reports that a chemical method is employed to synthesize Co and Al co-doped ZnO,namely,Zn0.99 x Co0.01 Al x O dilution semiconductors with the nominal composition of x = 0,0.005 and 0.02.Structural,magnetic and optical properties of the produced samples are studied.The results indicate that samples sintered in air under the temperatures of 500 C show a single wurtzite ZnO structure and the ferromagnetism decreases with the increase of Al.Photoluminescence spectra of different Al-doped samples indicate that increasing Al concentration in Zn0.99 x Co0.01 Al x O results in a decrease of Zn i,which resembles the trend of the ferromagnetic property of the corresponding samples.Therefore,it is deduced that the ferromagnetism observed in the studied samples originates from the interstitial defect of zinc(Zni) in the lattice of Co-doped ZnO.     

温和的苯热溶剂条件下GaP纳米棒的形成机理研究

采用金属Na，白磷和GaCl₃为原料，在温和的苯热溶剂条件下制备了直径为20—40nm，长度为200—500nm的GaP纳米棒和直径为20—40nm的球形颗粒.利用X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和X射线光电子能谱(XPS)研究了反应条件对产物结晶性和形貌的影响.实验结果表明，当反应温度低于250℃时，产物基本上为GaP纳米棒，并随着反应温度升高，产物逐渐转化为球形纳米颗粒；当反应温度超过280℃时，产物完全为规则的球形.同时，GaP纳米棒的生长遵循SLS生长机理. 关键词： 纳米GaP 苯热 SLS生长机理     

表面活性剂溶液中硫化铅纳米结构的可控生长

应用软模板法成功制备了半导体硫化铅树枝状纳米结构。此反应是在非离子表面活性剂Triton X-100存在下进行的,具有条件温和,操作简单等优点。对反应过程中硫化铅各向异性生长的影响因素进行系统的阐述,通过简单地控制反应时间及表面活性剂的加入量就可得到纳米棒、纳米分枝结构以及立方结构。考虑到形貌对半导体性能有重要影响,这一实验结果的取得应具有很高的实际应用价值。     

锂离子电池正极材料FePO3

通过控制溶液的pH值用FeCl3和Na3PO4溶液共沉淀法制备出了无定型FePO4·1.3H2O,通过成分析,热分析,X射线衍射和扫描电镜分析对材料进行了表征.该材料在0.2 mA·cm-2的电流密度下起始容量达到130mA·h·g-1同时具有良好的循环性能,表现出一个良好的锂离子电池候选材料.球磨可以提高材料的电化学性质,可能是因为其中活性成份含量提高的原因.当其加热到700℃成为晶态的FePO4时则容量变低,这种高温下容量的损失的机理可能是与高温下形成非活性相有关.     

碳氮纳米晶体的制备与表征

采用机械球磨法,以石墨为反应前驱物,在充有300kPa压力的氨气气氛下连续球磨200h,然后在氨气气氛、650℃以上的温度条件下热处理4h,制备出C3N4纳米单晶.X射线粉末衍射(XRD)确定出样品中主要晶相为β-C3N4,此外还有少量的α-C3N4.电子衍射、红外光谱测试结果进一步表明产物的结构为C3N4单晶.     

立方相β-GaN纳米晶的气相化学反应制备研究

在氮气氛中，以GaP纳米晶为原料，在相对较低的反应温度下，通过N-P取代的气相化学反应 制备立方相β-GaN纳米晶.这是由于GaP纳米晶具有较大的比表面积和表面众多的空位键，使 之具有较高的反应活性造成的.不同升温速率造成不同的化学反应机理，从而生成不同形貌 的β-GaN纳米晶材料. 关键词： 氮化镓 立方相 纳米晶     

液相电化学沉积法制备高氮含量CNx薄膜及性能的研究

采用液相电化学沉积法,以二氰二胺的丙酮溶液为沉积液,以镀有ITO(铟锡氧化膜)的导电玻璃为衬底制备了CNx薄膜.初步探讨了沉积温度和沉积电压对薄膜中氮含量的影响.通过XPS、FTIR光谱、SEM和US-Vis光谱对得到的CNx薄膜的化学结合状态、结构形貌和光学性质进行了表征,并用高电阻仪对薄膜的绝缘性进行了分析.XPS结果表明,CNx薄膜中碳氮主要以单键连接,sp3杂化的C—N键占85%.在IR光谱中,仅出现了C—N键和CN双键的吸收峰.SEM图谱显示CNx薄膜呈颗粒状,粒径平均为80nm左右.在水浴加热条件下沉积的CNx薄膜在200～300nm近紫外区为非线性吸收.薄膜的电阻率随氮含量的增加而增大,测量值在1012～1016Ω·cm之间.     

PCVD法制备ZrO~2和YSZ薄膜

以金属β-二酮类有机螯合物Zr(DPM)~4和Y(DPM)~3为挥发性源物质, 采用微波等离子体化学气相淀积法于较低的温度下(420～560℃)成功地在多孔α-Al~2O~3陶瓷,非晶玻璃等衬底上制备出致密的ZrO~2和YSZ薄膜材料.XRD分析结果表明,纯ZrO~2薄膜中除了单斜相外还存在着亚稳态的四方相.当掺入的Y~2O~3 摩尔百分含量大于或等于7%时,ZrO~2完全被稳定成立方相.SEM观察表明, 在等离子体内的不同区域中生成的薄膜形貌有所不同.XPS检测了YSZ薄膜中Zr3d~5~/~2和Zr3d~3~/~2 的电子结合能,发现较ZrO~2的标准值低0.7eV.由TEM观察和由XRD衍射峰半宽度计算, 所制备的ZrO~2和YSZ薄膜中微晶粒径在10nm左右     

微乳液法制备不同形貌低维硒化锌纳米晶

利用微乳液法,实现了多晶硒化锌纳米空心球、单晶硒化锌纳米棒以及ZnSe量子点的低温合成.通过调整Triton X-100/环己烷/水体系中表面活性剂Triton X-100的浓度分别制备出直径在120 nm左右,壁厚在6nm左右的ZnSe多晶纳米空心球体、长度达1μm的单晶纳米棒和直径位于4～6nm的ZnSe量子点.紫外可见吸收光谱显示不同形貌ZnSe纳米结构的吸收特征具有较大的差别.