Oxygen vacancy in N-doped Cu2O crystals: A density functional theory study

The N-doping effects on the electronic properties of Cu2O crystals are investigated using density functional theory. The calculated results show that N-doped Cu2O with or without oxygen vacancy exhibits different modifications of electronic band structure. In N anion-doped Cu2O, some N 2p states overlap and mix with the O 2p valence band, leading to a slight narrowing of band gap compared with the undoped Cu2O. However, it is found that the coexistence of both N impurity and oxygen vacancy contributes to band gap widening which may account for the experimentally observed optical band gap widening by N doping.     

一锅法合成吡咯并[2,1-a]异喹啉类化合物

以[3+2]环加成反应产物吡咯烷酮作为底物（1）,经过一锅法N-烯丙基化/分子内Heck环合反应合成了12个吡咯并[2,1-a]异喹啉类化合物2a~2l,产物收率50%~79%,其结构经¹H NMR, ¹³C NMR,¹⁹F NMR和HR-MS(ESI)表征。      

普适型纸芯片的研究与应用

纸基分析芯片(纸芯片)具有成本低、便携化、操作和后处理简单无污染等优点,在临床诊断、食品质量控制和环境监测等领域有着广阔的应用前景。然而,由于难以制作性能优异的疏脂性屏障,使得纸芯片在涉及有机溶剂和表面活性剂的分析检测中,其发展受到了限制。针对当前纸芯片开发研究中存在的灵敏度较低、对有机溶剂和表面活性剂敏感等难点问题,研究人员在滤纸基底上制作出了性能优异的疏水隔离图案和高粘附疏水表面,并验证了所制备的纸芯片对涉及有机溶剂和表面活性剂的分析检测具有普适性。本文对此类普适型纸芯片的研究与应用进行评述。     

二肽物±(4S)-5-[叔丁基二甲基硅氧-4-二苄氨基-2-甲酰氨基-N-3-羟基-2-(三苯甲烷基)丙基]戊酰胺的合成

以D-丝氨酸为起始原料,经酯化、还原、氧化、缩合、水解等九步反应,合成了非天然氨基酸τ-L-His-D-Ala的关键前体——二肽物±(4S)-5-[(叔丁基二甲基硅氧)-4-(二苄氨基)-2-甲酰氨基-N-3-羟基-2-(三苯甲烷基)丙基]戊酰胺,总收率35.3%,其结构经1H NMR,13C NMR和MS表征。     

ZnO双晶纳米梳

以纯锌粉作为原料，用气相输运法在650℃合成了ZnO双晶纳米梳结构，并用高分辨透射电镜 及选区电子衍射等方法对其微观结构进行了研究.结果表明双晶纳米梳两侧的齿针呈一定角 度以孪晶方式对称生长，其孪晶面为(1 1-3)，两侧齿针都垂直于孪晶界，其直径均匀分布 在50—100nm，每一侧梳背和齿针的生长方向均分别为〈0 1-1 0〉和〈0 0 0 1〉.由于孪晶 造成了晶体取向的变化，基于镜像对称的特征，ZnO双晶纳米梳两侧梳背的外缘可以均为Zn 终结的(0 0 0 1)面，因此都可以发生自催化作用并形成分支结构，这种纳米结构的生长过 程与王中林等人提出的极性生长机理相符合. 关键词： 氧化锌 纳米梳 双晶 极性生长     

从废银液中回收制备氧化银

银-锌电池是以氧化银作为正极活性物质。目前生产这种电池所用的氧化银,大部分是用硝酸直接溶解金属银,再与强碱作用而得。近年来世界市场上金属银价格飞涨,使生产银-锌电池成本增高。我们调查了消耗银的单位(电镀厂、保温瓶厂、制镜厂、照像馆等)产生的废银液中含有大量的金属银。因此,如何将这部分贵重金属予以充分利用,这是一个值得研究的问题。     

Si2CN4(010)表面特性的第一性原理研究

应用第一性原理系统地研究了不同端面Si₂CN₄(010)模型的表面特性.通过3种可能表面模型解离能的比较,表明位于SiN层内的Si—NⅡ 键结合最强,而与碳二亚胺链状结构相连的Si—NⅠ 键结合最弱,因此易于形成以Si/NⅠ 键为端面的表面.文中还研究了弛豫前后表面的原子结构和电子特性,表面的NⅠ 原子容易形成新键,这是由于不饱和的NⅠ 原子在费米能级处有较高的态密度,电子结构不稳定,相反表面C原子状态较稳定,无明显的成键趋势. 关键词： 2CN₄')" href="#">Si₂CN₄ 表面 原子结构 电子结构     

锐钛矿(TiO2)半导体的氧空位浓度对导电性能影响的第一性原理计算

基于低温重氧空位锐钛矿半导体的态密度计算，在同等条件下研究取不同大小模型的锐钛矿做适量浓度的氧空位存在，分别对进入导带的相对平均电子数和氧空位类杂质的散射迁移率进行计算，之后对电导率进行类比，发现锐钛矿半导体的导电性能对适量浓度低的氧空位有利可行得到了证明.同时，低温重氧空位的条件下，锐钛矿半导体的电导率不仅与氧空位浓度有关，而且和进入导带的平均电子数有关，和氧空位散射的电子迁移率有关的正确结论.     

质子导体SrCe0.9Y0.1O3-α的柠檬酸法合成研究

采用柠檬酸液相法合成了钙钛矿相SrCe0.9 Y0.1 O-α跃粉体，将所制粉体模压成型后在1450℃烧结10h得到陶瓷膜片。对粉体合成的热处理过程进行了DSC／TG，XRD研究，通过SEM观察了粉体及膜片的微观结构。结果表明，用柠檬酸液相法制备的螫合前驱体在热处理形成srCe0.9 Y0.1 O3-α的过程中，先出现了YxCe1-x O2-x／2复合氧化物、SrCO3及反尖晶石结构的Sr2CeO4相，在1100℃可以完令转变为SrCe0.9 Y0.1 O3-α钙钛矿相；这种方法比传统固相法的合成法温度低，粉体一次粒子粒径小于1μm，分散性差，但烧结性能良好。     

负热膨胀材料立方ZrMo2O8合成研究

采用湿化学法合成了前驱物ZrMo2O7(OH)2(H2O)2, 并用SEM观察了不同回流时间所得晶粒形貌, 结果显示经过较短时间的回流(12 h)就能获得一定尺寸的晶粒并趋于稳定.观察了不同回流温度所得前驱物晶粒形貌, 其晶粒呈长方体棒状形态, XRD结果证明结晶度随回流温度的升高而提高; 探讨了不同回流温度下所获得的前驱物ZrMo2O7(OH)2(H2O)2对合成立方ZrMo2O8的影响.结果表明, 100 ℃回流所得前驱物经热处理后可获得纯立方相ZrMo2O8.此外, 对前驱物的热处理温度选择在400 ℃左右有利于纯立方相的获得.