基于TCM电路的抗温度漂移老化传感器设计

结合电路老化检测原理与温度补偿方法(Temperature Compensation Method, TCM), 提出了一种具有抗温度漂移特性的老化传感器电路方案. 该方案首先根据晶体管的温度补偿, 设计温度不敏感的TCM延迟单元; 然后结合被测组合电路的老化冗余时间, 利用TCM延迟单元级联方式实现参考老化延迟电路; 最后将老化延迟检测电路的输出和参考延迟电路的输出进行时序比较, 判断电路是否处于老化状态. 在SIMC 65nm CMOS工艺下仿真验证, 结果表明所设计的老化传感器功能正常, 在-40~120℃之间稳定性达到98％.     

溶剂热法制备铝掺杂的氧化锌透明导电薄膜

采用溶剂热法在玻璃基片上沉积铝掺杂的氧化锌透明导电膜(AZO)。研究了前驱溶液中Al3+与Zn2+的物质的量的比nAl3+/nZn2+、溶剂热反应温度和反应时间对薄膜物相、形貌、可见光透过率和电阻率的影响。结果表明,溶剂热法所制备的AZO薄膜具有六方纤锌矿结构,Al3+不仅改善薄膜的导电性而且起矿化剂的作用促进薄膜生长,溶剂热反应时间的增加没有使薄膜显著增厚。采用溶剂热法可制备出可见光平均透过率大于80%、方块电阻小于500Ω的AZO薄膜。     

掺铟氧化锌纳米阵列的制备、结构及性质研究

通过碳热辅助化学气相沉积法,用Au做催化剂在850℃下制备了铟掺杂的氧化锌（In/ZnO）纳米阵列.纳米棒的尺寸均匀,表面光滑,直径约为400 nm,长为2—3 μm.能量色散谱和X射线光电子能谱分析表明, 六棱柱状的纳米阵列中成功地进行了In 的掺杂,含量约为08%.室温光致发光谱显示掺杂后的紫外发射峰位有红移,峰的半高宽变大, 没有观察到绿光发射峰位.拉曼光谱显示出ZnO的峰位有不同程度的偏移,并且有新的峰位出现,这表明In的掺杂有效地取代了部分Zn的晶格. 关键词： In掺杂 ZnO 纳米阵列 光致发光     

NH3气氛处理制备p型ZnO薄膜及性能表征

采用NH₃气氛处理直流/射频共溅射方法制得的ZnO：Al薄膜,从而获得Al+N共掺p型ZnO薄膜.XRD,场发射扫描电子显微镜测试及Hall效应测试发现,处理温度对ZnO薄膜的结构和电学性能具有较大的影响,其中处理温度为700℃时,薄膜具有较好的c轴择优取向,并且薄膜表面平整,结构紧密,晶粒大小均匀,无明显空洞和裂缝,具有良好的表面质量,晶粒尺寸约为40—60nm,薄膜的导电类型由n型转变为p型. 关键词： p型ZnO Al+N共掺杂 直流/射频共溅射     

含有偶氮苯和1,3,4-噁二唑结构聚合物的合成及性能

合成了同时含有偶氮苯和1,3,4-噁二唑结构的新型共轭聚合物(LPOXD),采用FT-IR、UV-Vis、1H NMR、GPC、TGA和DSC测试技术对其结构进行了表征。 结果表明,所得共轭聚合物的特性粘数为0.02960 L/g,Mw和分子量分布指数PDI分别为8500 g/mol和1.55。 质量损失5%的温度为290 ℃,Tg为92.8 ℃。 长烷氧基侧链的引入极大地提高了LPOXD在氯仿和四氢呋喃等有机溶剂中的溶解性。 采用紫外-可见吸收光谱、荧光光谱及循环伏安对LPOXD的光电性能进行了研究。 结果表明,在365 nm紫外光照射下,LPOXD中偶氮苯发生反-顺异构化;350 nm光激发下,LPOXD在蓝紫光波长范围内发射荧光;循环伏安测试得出LPOXD最高占有轨道(HOMO)能量和最低空轨道(LUMO)能量分别为-5.96和-3.17 eV。     

MOCVD法制备一维定向ZnO晶须阵列及掺杂研究

采用大气开放式MOCVD技术,以Zn(C5H7O2)2为前驱物,在玻璃和单晶硅基片上生长了沿c轴高度定向、规则排布的氧化锌晶须阵列.在此基础上,采用多气路输送不同金属有机源的方法,进行了ZnO晶须的掺杂,制备了掺铝元素的一维定向晶须阵列.XRD结果表明未掺杂ZnO晶须为六方纤锌矿结构,沿c轴高度取向;掺铝ZnO晶须晶体结构仍为六方纤锌矿结构,沿c轴择优取向.SEM结果显示,未掺杂的ZnO晶须阵列排布规则,长径比达到20;掺杂ZnO晶须随着铝掺杂浓度的增加,晶须的形貌及排布规则性变差.     

不同前驱体制备的碳化氮材料电化学选择性还原四价锡离子

分别以三聚氰胺、尿素、碳酸胍和硫脲为原料,通过热解法制备了碳化氮(CN)材料。利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱(XPS)和氮气吸附-脱附测试对其进行了详细表征。将由该材料制备的电极作为阴极,铂片作为对电极,在酸性溶液中电催化选择性还原Sn(Ⅳ)。与铜片、石墨板、钌铱钛板等常见阴极电极材料相比,CN不仅在双电极电解池中具有较低的电势,且在酸性溶液中稳定,可以实现将Sn(Ⅳ)选择性还原为Sn(Ⅱ)。     

Oxygen vacancy in N-doped Cu2O crystals: A density functional theory study

The N-doping effects on the electronic properties of Cu2O crystals are investigated using density functional theory. The calculated results show that N-doped Cu2O with or without oxygen vacancy exhibits different modifications of electronic band structure. In N anion-doped Cu2O, some N 2p states overlap and mix with the O 2p valence band, leading to a slight narrowing of band gap compared with the undoped Cu2O. However, it is found that the coexistence of both N impurity and oxygen vacancy contributes to band gap widening which may account for the experimentally observed optical band gap widening by N doping.     

A density functional theory study on the adsorption of CO and O2 on Cu-terminated Cu2O （111） surface

The adsorptions of CO and 02 molecules individually on the stoichiometric Cu-terminatcd Cu20 （111） surface are investigated by first-principles calculations on the basis of the density functional theory. The calculated results indicate that the CO molecule preferably coordinates to the Cu2 site through its C atom with an adsorption energy of-1.69 eV, whereas the 02 molecule is most stably adsorbed in a tilt type with one O atom coordinating to the Cu2 site and the other O atom coordinating to the Cul site, and has an adsorption energy of -1.97 eV. From the analysis of density of states, it is observed that Cu 3d transfers electrons to 2π orbital of the CO molecule and the highest occupied 5σ orbital of the CO molecule transfers electrons to the substrate. The sharp band of Cu 4s is delocalized when compared to that before the CO molecule adsorption, and overlaps substantially with bands of the adsorbed CO molecule. There is a broadening of the 2π orbital of the 02 molecule because of its overlapping with the Cu 3d orbital, indicating that strong 3d-2π interactions are involved in the chemisorption of the 02 molecule on the surface.     

Si2CN4(010)表面特性的第一性原理研究

应用第一性原理系统地研究了不同端面Si₂CN₄(010)模型的表面特性.通过3种可能表面模型解离能的比较,表明位于SiN层内的Si—NⅡ 键结合最强,而与碳二亚胺链状结构相连的Si—NⅠ 键结合最弱,因此易于形成以Si/NⅠ 键为端面的表面.文中还研究了弛豫前后表面的原子结构和电子特性,表面的NⅠ 原子容易形成新键,这是由于不饱和的NⅠ 原子在费米能级处有较高的态密度,电子结构不稳定,相反表面C原子状态较稳定,无明显的成键趋势. 关键词： 2CN₄')" href="#">Si₂CN₄ 表面 原子结构 电子结构