掺钕三硼酸铋晶体(Nd:BiB_3O_6)的光谱性质

采用顶部籽晶法, 生长了掺钕的新型非线性光学晶体Nd:BiB3O6, 测量了该晶体的折射率, 并拟合了晶体的折射率色散参数. 同时还测量了晶体的室温吸收谱, 并与0.2 mol/L的 NdCl3溶液的室温吸收谱进行了分析比较. 根据Judd-Ofelt理论, 拟合出晶体场唯象强度参数: Ω2 = 0.1776 × 10-20, Ω4 = 0.1282 × 10-20, Ω6 = 0.1357 × 10-20 cm2. 计算了各能级的辐射跃迁几率AJ,J', 荧光辐射寿命τ, 荧光分支比βJ'， 振子强度fJ,J'等. 根据这些光学参量, 讨论了该晶体的部分性能和应用前景.     

不同组分的钒酸盐混晶Ybt:YxGd1-t-xVO4光谱与激光性质的比较研究

研究了三种掺Yb钒酸盐混晶Yb_0.005:Y_0.298Gd_0.697VO₄, Yb_0.007:Y_0.407Gd_0.586VO₄和Yb_0.009:Y_0.575Gd_0.416VO₄的室温偏振吸收谱和发射谱. 结果表明,最强的吸收和发射相应于π偏振,位 关键词： 掺Yb钒酸盐混晶 吸收谱和发射谱 激光振荡 偏振态     

超强磁场下非掺杂ZnSe/BeTe Ⅱ型量子阱中激子和带电激子的光学特性

报道了液态氦温度(4.2 K)下非掺杂ZnSe/BeTe Ⅱ型量子结构中ZnSe势阱层内空间直接光致发光(PL)光谱的磁场依赖性(磁场高达53 T).实验结果显示,随着磁场的增加,激子和带电激子的PL强度呈现出相反的振动行为.当激子的PL强度增加时带电激子的PL强度减小,反之,当激子的强度减小时带电激子的强度却增加.并且在整个磁场范围内,这些振动呈现近似等间隔的周期性变化.这个行为被解释为费米能级与朗道能级的周期性共振,这个共振导致了处于费米能级上的二维电子气态密度的周期性调制. 关键词： 光致发光 二维电子气 带电激子 Ⅱ型量子阱     

KTa＿（1－x）Nb＿xO＿3晶体的同步辐射X射线白光形貌术研究

利用北京同步辐射光源，对居里点在室温附近的掺铁钽铌酸钾光折变晶体进行了Ｘ射线白光形貌术研究．观察显示，晶体内部除了杂质偏析物和一组沿［０１０］方向的生长层外，还有一组与之正交的畴组态，后者被发现不满足一般面缺陷的衬度消光规律，仅有异常散射效应揭示其衬度．利用同步辐射波长的可调谐性，揭示了该组畴随波长改变其衍时衬度变化的规律，而且畴的衍射强度被发现违背Ｆｒｉｅｄｅｌ定律．依据实验证据，这组畴被确认为１８０°铁电畴．对畴形成原因和晶体生长特性进行了讨论．     

Rb0.3K0.7TiOPO4晶体弹光系数的相对法和绝对法测量

本文报道了利用晶体通光方向上光束相差测量弹光系数的方法，并采用相对法和绝对法测量了Ｒｂ０．３Ｋ０．７ＴｉＯＰＯ４晶体的弹光系数。     

掺Yb钒酸盐晶体激光振荡中的光学双稳态现象研究

研究了三种掺Yb钒酸盐晶体Yb:LuVO4,Yb:YVO4和Yb:GdVO4的激光振荡中所呈现的光学双稳态效应.以晶体所吸收的抽运功率表征的双稳区宽度ΔPabs可超过1W,在双稳区高功率一侧的边界,即激光振荡的上阈值点,出现激光输出功率的不连续变化或跃变,同时发生亚毫秒时间尺度上的大幅度强度涨落.谐振腔的输出耦合透过率、晶体长度、晶体中的热效应等对双稳态效应均具有重要影响.     

Electron tunneling effects on radiative recombination in modulation n-doped ZnSe/BeTe type-II quantum wells

We have studied the cyclotron-resonance absorption and photoluminescence properties of the modulation n-doped ZnSe/BeTe/ZnSe type-II quantum wells.It is shown that only the doped sample shows electron cyclotron-resonance absorption.Also,the undoped sample shows two distinctive peaks in the spatially indirect photoluminescence spectra,and the doped one shows only one peak.The results reveal that the high concentration electrons accumulated in ZnSe quantum well layers from n-doped layers can tunnel through BeTe barrier from one well layer to the other.The electron concentration difference between these two well layers originating from the tunneling results in a new additional electric field,and can cancel out a built-in electric field as observed in the undoped structures.