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142.
十六烷在120°,Co~(60)能源的辐射条件下,氧化的主要生成物是过氧化物。当氧化温度为120°,剂量率每分钟940拉特时,P值为340,G值为490,较高的G值说明氧化是以链锁方式进行。文中研究了氧化时间,氧化温度对于过氧化物生成量的影响。氧化在二至九小时之间,过氧化物的生成与氧化时间接近正比关系,更长的氧化时间使过氧化物的速率降低。在90—135°氧化温度间,过氧化物的生成对温度有依赖关系,低于120°过氧化物的生成量很少。文中对于十六烷辐射氧化产物中过氧化物进行了高真空蒸馏以及吸附层析的分离研究,层析分离方法可以从氧化混合物中获取浓度约为98%的过氧化物。分子量测定、元素分析以及红外光谱分析证明十六烷辐射氧化过程中生成的过氧化物具ROOH的结构。 相似文献
143.
苯甲酰基乙酸乙酯是合成苯甲酰基乙酰苯胺等的重要原料,后者是彩色照相成色剂,又是其它彩色成色剂的中间体,也是稀土及金属的重要试剂。苯甲酰基乙酸乙酯的合成方法,都是由乙酰基乙酸乙酯在金属锂、钠、镁和无水条件下与苯甲酰氯反应,然后再水解制得。但这种方法不适宜制备量大的。 相似文献
144.
145.
利用原位聚合方法将聚苯乙烯(PS)共价接枝到二硫化钼纳米片表面,获得的材料MoS_2-PS能均匀地分散在常见的有机溶剂中。开孔Z-扫描实验结果表明:与MoS_2、MoS_2/PS相比,MoS_2-PS的N,N-二甲基甲酰胺(DMF)溶液及其聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)薄膜样品均表现出更好的非线性光学性能。相对于溶液,在532nm和1 064nm激光激发时,MoS_2-PS/PMMA固体薄膜表现出最大的非线性吸收系数(βeff),分别达到407.70cm/GW(MoS_2-PMMA:100.69cm/GW;MoS_2/PS/PMMA:116.55cm/GW)和429.64cm/GW(MoS_2-PMMA:-48.92cm/GW;MoS_2/PS/PMMA:66.31cm/GW);相应的光限幅阈值分别为0.92GW/cm2(532nm)和1.12GW/cm2(1 064nm)。MoS_2-PS/PMMA固体薄膜经200℃退火处理后,βeff和光限幅性能得到增强(βeff分别为455.67cm/GW和448.90cm/GW;光限幅阈值分别为1.07GW/cm2和0.87GW/cm2)。 相似文献
146.
以石墨粉,钽酸钠以及硝酸银为原料,通过三步合成法制备出一系列Ag-NaTaO3-RGO复合材料。并对样品在紫外光照射下的光解水制氢活性进行了评价。结果表明:系列Ag-NaTaO3-RGO复合材料均表现出较高的光解水制氢活性。其中,性能最优的0.2Ag-NaTaO3-RGO的制氢速率分别是NaTaO3,Ag-NaTaO3,和NaTaO3-RGO的5.64,1.97和1.48倍。对Ag-NaTaO3-RGO复合材料光催化制氢性能改进的原因进行了探讨:(1)石墨烯具有优异的电子转移性能,能够有效阻止光生电子、空穴的复合。(2)银纳米颗粒充当电子陷阱,能够进一步提高电子空穴分离速率。(3)石墨烯的引入增强了复合物的光吸收性能。最后,根据所得实验数据,给出了Ag-NaTaO3-RGO复合材料光催化制氢的反应机理。 相似文献
147.
2,3-二氰基-2,3-二(X-取代苯基)丁二酸二乙酯在苯乙烯中的分解动力学研究齐陈泽,吴靖嘉,段大勇,贾志胜,张斌,杨第伦(兰州大学应用有机化学国家重点实验室,兰州大学化学系,兰州,730000)关键词2,3-二氰基-2,3-二(X-取代苯基)丁二... 相似文献
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采用超高效液相色谱-串联质谱法(UPLC-MS/MS)测定纺织品中19种邻苯二甲酸酯(PAEs)类化合物。实验采用Waters C_(18)色谱柱(50×2.1 mm,1.7μm),以甲醇-0.1%甲酸溶液为流动相,流速为0.4μL/min,采用梯度模式洗脱;质谱采用正离子电离模式(ESI+),多反应监测模式(MRM)检测。19种PAEs在其线性范围内线性良好(r20.994),定量限(S/N=10)为0.1~0.5mg/kg,回收率为88.8%~112.6%,相对标准偏差(RSDs,n=6)为1.1%~10.9%。实验表明该方法检测速度快,灵敏度高,适合纺织品中增塑剂的检测。 相似文献
150.
Deuterium Retention in the Co-Deposition Carbon Layers Deposited by Radio-Frequency Magnetron Sputtering in D2 Atmosphere 下载免费PDF全文
Carbon is deposited on C and Si substrates by rf magnetron plasma sputtering in a D2 atmosphere. The deposited layers are examined with ion beam analysis and thermal desorption spectroscopy (TDS). The growth rates of the layers deposited on Si decrease with increasing substrate temperature, while increase significantly with the increase of D2 pressure. Meanwhile, the deuterium concentrations in the layers deposited on the Si substrates decrease front 30% to 2% and front 31% to 1% on the C substrates, respectively, when the substratc temperature varies from 350K to 90OK. Similarly, the D concentration in the layer on the Si substrates increases from 3.4% to 47%, and from 8% to 35% on the C substrates when the D2 pressure increases from 0.3Pa to 8.OPa. D desorption characterized by TDS is mainly in the forms of D2, HD, HDO, CD4, and C2D4, and a similar release peak occm% at 645K. The release peak olD2 molecules at 960K can be attributed to the escaped gas from the thin co-deposited deuterium-rich carbon layer in the form of C D bonding. 相似文献