影响阻尼牛顿法收敛性的两个重要参数

对阻尼牛顿算法作了适当的改进,证明了新算法的收敛性.基于新算法,运用计算机代数系统Matlab,研究了迭代次数k,参数对(μ,λ)与初值x0三者间的依赖关系,研究了病态问题在新算法下趋于稳定的渐变(瞬变)过程.数值结果表明:(1)阻尼牛顿迭代中,参数对(μ,λ)与迭代次数k间存在特有的非线性关系;(2)适当的参数对(μ,λ)与阻尼因子α的共同作用能够在迭代中大幅度地降低病态问题的Jacobi阵的条件数,使病态问题逐渐趋于稳定,从而改变原问题的收敛性与收敛速度.     

用于鸟撞试验的仿真鸟弹研究

对用于飞机结构抗鸟撞试验的仿真鸟弹进行了研究,给出了配方,其基体材料为明胶和水.密度是仿真鸟弹的关键参数,通过工艺流程和添加调质材料对其进行控制.鸟弹外形尺寸和重量由模具保证,制作出了满足规范要求的1.8kg标准形态鸟弹.利用4块12mm厚的铝板,进行了3次真实鸟弹试验和1次仿真鸟弹的鸟撞对比试验.试验结果表明,仿真鸟弹具有足够的强度可承受发射过载.同时仿真鸟弹与真实鸟弹的动态变形模式以及结构动态应变响应时间历程基本一致.其结构动态应变响应最大值仅相差3.2％,而结构残余变形相差8.7％.上述结果证明了本文研制的仿真鸟弹可以在结构抗鸟撞试验研究中替代真实鸟弹.     

芳基、芳甲基及哌嗪基脒类化合物的设计与合成及5-HT和NE重摄取双重抑制活性

基于药效团模型和前期的研究结果, 设计合成了一类全新结构类型的芳基、芳甲基及哌嗪基脒类化合物, 通过1H NMR, HRMS对化合物结构进行了确证, 并完成了初步的体外药理活性评价. 结果表明, 这些化合物均显示出不同程度的5-HT和NE重摄取抑制活性, 其中化合物4b的活性最好, 化合物4a和8a在整体动物抗抑郁药效学实验中表现出明确的抗抑郁活性.     

4-(1-硫杂-2亚氨基-3,4-二氮杂-1,4-亚丁基)-4-脱氧阿维菌素B1a的合成

以阿维菌素B1a为原料经选择性C-5羟基保护、氧化合成5-O-烯丙氧羰基-5-氧代-5-脱氧阿维菌素B1a (3), 然后与N-取代氨基硫脲偶联, 缩合产物经MnO2氧化关环、脱保护得到10个未见文献报道的4-(1-硫杂-2-亚氨基- 3,4-二氮杂-1,4-亚丁基)-4-脱氧阿维菌素B1a (7a～7j). 目标化合物结构经1H NMR, 13C NMR和MS确证.     

锥形二维光子晶体太阳电池数值模拟

采用时域有限差分方法,模拟研究在本征吸收层引入锥形二维光子晶体(2D PC)后,其结构参数变化对单结微晶硅电池各膜层吸收的影响规律.研究表明,2D PC的纵横比(高度与周期之比)对电池本征吸收具有决定性影响.周期小于1μm时,本征吸收随着纵横比的增大先上升后下降,纵横比为1时达到最大值;周期大于1μm时,本征吸收达到最大值的纵横比小于1,且周期越大,实现本征吸收最大化的纵横比越小.当周期为0.5μm,纵横比为1时,锥形2D PC电池的本征吸收达到峰值,短路电流密度为27.8 mA/cm2;与平面结构相比,短路电流密度提升5.8 mA/cm~2,相对增加27%.该研究突破了以往认为绒面陷光效果主要取决于绒面形貌横向特征尺寸的观点,对实验获取最佳的周期或随机绒面陷光结构具有指导意义.     

类锌Au~(49+)离子电子碰撞激发速率系数的研究

利用全相对论扭曲波方法和研究电子碰撞激发过程的计算程序REIE06系统计算了类锌Au~(49+)离子从基态(3s~23p~63d~(10)4s~2)的4s、3d、3p和3s电子激发到4 l(l=p、d、f)和5 l(l=s、p、d、f)的碰撞激发强度,研究了在不同入射电子能量下碰撞强度的变化规律,通过对类锌Au~(49+)离子涉及金激光等离子体M带谱,3d→4f和3d→5f电子碰撞激发速率的计算,分析了等离子体中电子温度对碰撞过程的影响.部分计算结果与其它理论及实验结果进行了比较,取得了很好的一致性.     

Influence of the total gas flow rate on high rate growth microcrystalline silicon films and solar cells

This paper reports that high-rate-deposition of microcrystalline silicon solar cells was performed by very-high-frequency plasma-enhanced chemical vapor deposition. These solar cells, whose intrinsic μ c-Si:H layers were prepared by using a different total gas flow rate (F_total), behave much differently in performance, although their intrinsic layers have similar crystalline volume fraction, opto-electronic properties and a deposition rate of ～ 1.0~nm/s. The influence of F_total on the micro-structural properties was analyzed by Raman and Fourier transformed infrared measurements. The results showed that the vertical uniformity and the compact degree of μ c-Si:H thin films were improved with increasing F_total. The variation of the microstructure was regarded as the main reason for the difference of the J--V parameters. Combined with optical emission spectroscopy, we found that the gas temperature plays an important role in determining the microstructure of thin films. With F_total of 300~sccm, a conversion efficiency of 8.11% has been obtained for the intrinsic layer deposited at 8.5~\AA/s (1~\AA=0.1\,nm).     

高反射率硅基薄膜一维光子晶体的研究制备

采用射频等离子体增强化学气相沉积的方法,研究制备了一种基于硅基薄膜的高反射一维光子晶体。通过交替改变反应气体组分实现低折射率Si Ox层和高折射率a-Si层的交替层叠沉积,具有两种膜层介质折射率比大、反射率高、沉积时间短、工艺窗口宽等优点。采用5周期的Si Ox层与a-Si层构成的一维光子晶体(厚度分别为155 nm和55 nm),其禁带范围内(650~1 100 nm)的平均反射率达到99.1%,高于相同波长范围内Ag的平均反射率(96.3%)。     

微波熔盐沉积制备AlN纳米晶及光致发光特性研究

以高纯AlCl3和Li3N为反应原料,NaCl和KCl为混合熔盐,使用微波熔盐沉积法在700℃制备出A1N纳米晶.利用XRD、SEM、EDS等对纳米晶的物相、形貌进行了定性和定量表征,并使用PL测试了材料的光学性质,分析了主要缺陷类型.XRD测试结果表明,实验获得产物为六方纤锌矿结构的AlN.使用Scherrer公式估算了AlN 产物的晶粒平均粒度大小约为35.6 nm,表明所得确为AlN纳米晶.SEM观测到的纳米晶形貌为方形,分布均匀且晶粒形状几近,平均粒度约为35 nm.EDS测试结果显示AlN纳米晶中Al和N的原子相对百分含量为50.521;和49.479;,其化学配比几近于1∶1物质的量比.室温PL测试发现发光中心在435 nm,缺陷主要是杂质缺陷类型.以上结果充分表明微波熔盐沉积法是一种制备AlN纳米晶的有效方式.     

连续离子层吸附反应(SILAR)法制备AgGaS2纳米薄膜及性能表征

采用连续离子层吸附反应(SILAR)法,通过500℃退火在玻璃衬底上制备出AgGaS2纳米薄膜.使用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、X射线能谱(EDS)、紫外可见(UV-Vis)谱和光致发光(PL)谱等对纳米薄膜的物相、形貌、化学配比和光学性能进行了定性和定量表征.XRD测试结果表明,实验获得产物为黄铜矿结构AgGaS2,并观测到(112)面和(224)面.使用Scherrer公式估算了AgGaS2产物的晶粒平均粒度大小约为30 nm.SEM观测到的AgGaS2纳米薄膜外形均匀一致,沉积紧密,薄膜沉积的纳米平均颗粒直径约为18～ 26 nm.EDS测试结果显示AgGaS2纳米薄膜中Ag、Ga和S三元素的原子相对百分含量为25.12;,26.66;和49.93;,其化学计量比几近于1∶1∶2物质的量比.通过紫外可见透过光谱得到截止波长为470.1 nm,禁带宽度为2.64 eV.室温PL测试发现发光中心在456 nm,与AgGaS2晶体发光中心相比产生了约40nm的蓝移.以上结果充分表明SILAR法是一种制备AgGaS2纳米薄膜的有效方式.