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11.
稀土与天青石共伴生多金属矿主要由稀土氟碳酸盐和天青石组成,研究了含稀土和锶的混合矿的焙烧及浸出过程,考察了焙烧温度、焙烧时间、浸出初始酸浓度、浸出温度、浸出时间等对浸出率的影响,获得优化的工艺参数为:焙烧温度500℃,焙烧时间2 h,浸出初始酸浓度1.0 mol.L-1,浸出温度35℃,浸出时间1 h,稀土浸出率达95%以上,锶浸出率小于5%,几乎不进入溶液相而保留在固相浸出渣中得以分离和富集。  相似文献   
12.
利用磁控溅射和Sr成分的调制以及原位热处理方法,在10mm×10mm大小的(001) 取向SrTiO单晶衬底上制备出三明治结构为La0.7Sr0.3MnO3(100nm)/La0.96Sr0.04MnO (5nm)/ La0.7Sr0.3MnO (100nm) 的隧道结外延薄膜,然后再次 利用磁控溅射方法,在三层单晶膜上方继续沉积Ir22Mn78(15n m)/Ni79Fe21(5nm)/Pt(20nm)等金属三层膜.最后利用深紫外曝 光和Ar离子束刻蚀等微加工技术,制备出长短轴分别为12和6μm或者8和4μm大小的椭圆形L a1-xSrxMnO成分调制的复合磁性隧道结.在4.2K和 外加磁场8 T的测试下,La1-xSrxMnO成分调制的复 合磁性隧道结其隧穿磁电阻(TMR)比值达到3270%, 直接从实验上证实了铁磁性La0.7Sr0.3MnO金属氧化物的自旋极化率(97%)可接近100%,具 有很好的半金属性质. 关键词: 1-xSrxMnO')" href="#">La1-xSrxMnO 半金属 成分调制 复合磁性隧道 结 隧穿磁电阻  相似文献   
13.
氟碳铈矿热分解动力学研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
采用Harcourt-Esson方法对不同来源的氟碳铈矿晶体热分解动力学进行了系统研究,得到的反应机制方程用普适积分法进一步验证,结果显示微山矿热分解为一级反应,不同品位的冕宁、非洲、芒廷帕斯氟碳铈矿热分解反应都是按照三维扩散机制进行的。  相似文献   
14.
通过在平栅型基板上,分别溅射氧化铋薄膜和氧化锡薄膜,形成阴极场发射阵列,并在阴极和栅极之间加载脉冲电流,使阴栅级之间的薄膜形成裂缝,并进行场致发射性能测试,测试结果表明,平栅型双层膜发射器件的开启电压随阳极电压增加而降低.在阳压为3000 V,隔离子高度为500 μm时,平栅型双层膜场发射器件的开启电压为110 V,在栅压为110 V时的发射效率为1;左右,随着栅压的增大,发射效率逐渐减小.该双层膜阴极具有均匀的发射性能、良好的栅控能力以及场发射特性.  相似文献   
15.
二(2-乙基己基)磷酸从含氟稀土硫酸溶液中萃取铈的机制   总被引:1,自引:0,他引:1  
研究了二 ( 2 乙基己基 )磷酸 (DEHPA) 磺化煤油体系从氟碳铈矿氧化焙烧 硫酸浸出液中萃取Ce4 的机制 ,发现水相中F- 和Ce4 同时被萃入有机相 ,通过斜率法和研究平衡有机相中cF- cCd4 和初始水相酸度、初始水相氟离子浓度、有机相浓度之间的关系 ,推测出F- 和Ce4 以CeF2 A2 形式被DEHPA萃入有机相。  相似文献   
16.
对HDEHP(H2A2),HEH/EHP(H2B2),Cyanex272(H2L2)萃取剂在硫酸介质中单独以及HDEHP-HEH/EHP和HDEHP-Cyanex272混合萃取剂萃取稀土元素Y(Ⅲ)的机制进行了研究. 研究发现,单独采用HDEHP和HEH/EHP萃取Y(Ⅲ)时,SO2-4参与了反应,造成反应过程中放出的H 个数随萃取剂浓度的变化而变化,对于单独采用Cyanex272萃取Y(Ⅲ)的过程中则是OH-参与了反应. 计算了混合萃取剂萃取Y(Ⅲ)的协萃系数(R),当水相平衡pH=1.2时,HDEHP和HEH/EHP混合萃取体系与HDEHP和Cyanex272混合萃取体系萃取Y(Ⅲ)的R分别为27.68和48.99,并且协萃系数随水相平衡pH的升高而增加. 确定了在HDEHP和HEH/EHP混合萃取体系中的协萃反应并计算了反应的平衡常数及萃合物形成反应的稳定常数,反应机制为阳离子交换反应.  相似文献   
17.
通过用喷墨打印制备的ZnO/IGZO异质结代替单层半导体沟道克服了氧化物缺陷导致的电子传输限制。ZnO/IGZO异质结晶体管表现出带状电子传输,迁移率比单层IGZO或ZnO TFT分别增大了约9倍和19倍,达到6.42 cm~2/(V·s)。开关比分别增大了2个和4个数量级,达到1.8×10~8。性能的显著改善源自于IGZO和ZnO异质界面间由于导带的大偏移量而形成的二维电子气。  相似文献   
18.
从含氟硫酸稀土溶液中萃取铈过程产生第三相的原因   总被引:1,自引:0,他引:1  
研究了二(2-乙基己基)磷酸(DEHPA)从含氟硫酸稀土溶液中萃取Ce4 过程中生成第三相的组成。运用X荧光光谱法和化学法测定了有机相中析出沉淀物的成分。并分析其原因,发现产生第三相主要是由于有机相对Ce^4 的还原作用造成的。研究了有机相的还原性,进而找出抑制其还原作用,避免第三相生成的方法。  相似文献   
19.
由于依靠不断缩小存储单元尺寸来提升单位面积存储能力的传统方法将会面临着器件尺寸的物理极限等瓶颈,人们逐渐将目光投向了能够在单一器件上实现高密度存储的多级存储器件。本文利用有机薄膜晶体管中存在的持续光电导率(PPC)效应制备了一个光写入操作的多级存储器件,有效地避免了电写入操作对器件的接触破坏性和较大功耗问题。研究了在不同功率(60,100,150μW/cm2)和不同持续时间(50~1 000 ms)700 nm光写入脉冲作用下的器件存储状态,器件在光功率为60μW/cm2、持续时间为100 ms的光脉冲下展现出了低至0.189 nJ的极低工作功耗。通过对器件施加16个连续光写入脉冲证实器件具有16个有效的存储状态,实现了存储容量为4 bits的多级光写入存储功能。  相似文献   
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