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在可溶性淀粉存在下,分别在30℃和4℃条件下,以氯化钙和碳酸钠为原料合成碳酸钙.用XRD和红外光谱对产物进行了表征,用扫描电子显微镜观察产物粒子的形状.结果表明,在30℃下,随着可溶性淀粉浓度的升高,球霰石的含量增加.而在4℃时,没有加入可溶性淀粉,得到的是方解石和球霰石的混合物,可溶性淀粉质量百分比浓度是0.93;时,得到的是纯方解石;1.9;时,得到的是方解石和球霰石的混合物;2.8;时,得到的是纯球霰石,说明温度和可溶性淀粉都可以影响碳酸钙的晶型和形状.还研究了样品的热重性质. 相似文献
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所谓反证法,就是首先提出一个与原命题结论相反的假设,然后从假设出发,经过正确的推理,导出矛盾,从而否定假设,进而肯定原命题的一种方法.导出的矛盾主要有:与已知条件矛盾;与已知的公理、定理、定义、公式矛盾;与反设矛盾;自相矛盾.…… 相似文献
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Cr:KTP晶体生长机制的研究 总被引:1,自引:2,他引:1
本文采用激光Raman光谱与IR光谱对Cr:KTP-K6(K6P4O13),KTP-K6高温溶液淬冷后的玻璃体进行了研究,指出由于掺质Cr2O3引入KTP-K6溶液,使溶液中的焦磷酸根向正磷酸根转化,从而提高了溶液的溶解度,利用高温溶液缓慢降温法生长了光学质量的Cr:KTP晶体,研究了晶体生长形态。讨论了晶体的生长机制。 相似文献
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掺质KTP型晶体生长与性能研究 总被引:6,自引:1,他引:5
采用高温溶液法生长了含掺质离子Zr4+,Ga3+的单掺和双掺系列KTP型晶体.晶体生长过程中发现Ga掺入溶液后,体系更加稳定,容易生长出光学质量的晶体;而Zr掺入溶液后体系稳定性降低,晶体生长较困难.用等离子体发射光谱测定了各掺质离子在晶体中的含量,计算出掺质离子的分配系数,发现生长体系中Ga无论是在高掺入量还是低掺入量的情况下,Ga在晶体中的含量都十分稳定.测定了晶体的晶胞参数、紫外-可见-红外吸收光谱,测定的结果发现,晶胞参数均变化不大,在吸收光谱中Ga:KTP在可见光谱区有少量的光吸收,而Zr:KTP晶体是无色透明的.通过粉末倍频实验发现,Zr的掺入有助于晶体倍频转换效率的提高.通过晶体c轴向离子电导率的测试发现,Ga的掺入使c轴向电导率降低了大约3个数量级.双掺Zr和Ga的晶体是性能更为优良的掺质KTP型晶体. 相似文献
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本文首先概述了晶体三维周期性结构的表征与其内涵,继而简要地阐明了晶体基本性质和人工调制晶体周期性结构,最后在已取得成就的基础上,展望了新型晶体材料发展的未来. 相似文献